[发明专利]栅结构及栅结构的形成方法

权利要求书

1.一种栅结构，包括：

在衬底上的绝缘层；

在所述绝缘层上的第一导电层图案；

在所述第一导电层图案上的金属欧姆层图案；

在所述金属欧姆层图案上的防扩散层图案；

在所述防扩散层图案上的非晶层图案；和

在所述非晶层图案上的第二导电层图案。

2.如权利要求1所述的栅结构，其中所述第一导电层图案包括多晶硅，所述第二导电层图案包括金属。

3.如权利要求2所述的栅结构，其中所述第二导电层图案、所述非晶层图案、所述防扩散层图案和所述金属欧姆层图案分别包括钨（W）、金属硅化物（MSi_x）、钨氮化物（WN_x）和钛（Ti）。

4.如权利要求3所述的栅结构，其中所述防扩散层图案的氮含量大于以重量计约20％。

5.如权利要求3所述的栅结构，其中所述防扩散层图案中的x值在0.2至0.9的范围内。

6.如权利要求3所述的栅结构，其中所述非晶层图案包括钨硅化物（WSi_x）、钛硅化物（TiSi_x）、钼硅化物（MoSi_x）或钽硅化物（TaSi_x）。

7.如权利要求3所述的栅结构，其中所述金属欧姆层的厚度小于约

8.一种栅结构，包括：

在衬底上的隧道绝缘层；

在所述隧道绝缘层上的电荷俘获层图案；

在所述电荷俘获层图案上的阻挡层图案；和

在所述阻挡层图案上的栅电极，该栅电极包括：

在所述阻挡层图案上的第一导电层图案；

在所述第一导电层图案上的金属欧姆层图案；

在所述金属欧姆层图案上的防扩散层图案；

在所述防扩散层图案上的非晶层图案；和

在所述非晶层图案上的第二导电层图案。

9.一种栅结构的形成方法，包括：

在衬底上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成第一导电层图案；

在所述第一导电层图案上形成金属欧姆层图案；

在所述金属欧姆层图案上形成防扩散层图案；

在所述防扩散层图案上形成非晶层图案；和

在所述非晶层图案上形成第二导电层图案。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第二导电层图案采用钨形成，所述非晶层图案采用钨硅化物形成，所述防扩散层图案采用钨氮化物形成。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述金属欧姆层图案采用钛形成。

12.如权利要求9所述的方法，还包括将杂质注入到所述非晶层图案中以改善所述非晶层图案的非晶特性。