[发明专利]一种高效率、高耐压肖特基芯片无效
| 申请号： | 201210577793.4 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022090A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 关仕汉;吕新立 | 申请（专利权）人： | 淄博美林电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 淄博佳和专利代理事务所 37223 | 代理人： | 孙爱华 |
| 地址： | 255000 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效率 耐压 肖特基 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高效率、高耐压肖特基芯片，包括顶部金属层（1）、顶部金属层（1）下方的肖特基界面（5）、紧靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一沟槽（3）、下部的N型外延层N-EPI（6）和N型基片N+Substrate（7），其特征在于：在两相邻第一沟槽（3）之间增设第二沟槽（4），第一沟槽（3）的底部厚度大于边部厚度。
2.根据权利要求1所述的一种高效率、高耐压肖特基芯片，其特征在于：所述的第二沟槽（4）为多个，每两个第一沟槽（3）之间设置一个。
3.根据权利要求1或2所述的一种高效率、高耐压肖特基芯片，其特征在于：所述的第二沟槽（4）的深度低于第一沟槽（3）的深度。
4.根据权利要求3所述的一种高效率、高耐压肖特基芯片，其特征在于：所述的第一沟槽（3）的底部厚度是边部厚度的2-5倍。
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