[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201210492786.4 | 申请日： | 2012-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN103839880A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 胡宗福 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层，所述介质层中形成有开口，所述开口内以及开口两侧的介质层上形成有铜金属；
进行第一平坦化工艺，至所述开口内的铜金属与介质层的上表面齐平；
在进行第一平坦化工艺之后，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理；
对氨气等离子体处理后的介质层和铜金属进行第二平坦化工艺。
2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理的温度为300℃~400℃。
3.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理的压强为2.0Torr~2.6Torr。
4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理时，氨气的流量为900sccm~1100sccm。
5.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理的时间为12s~15s。
6.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理之后的90min内进行所述第二平坦化工艺。
7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在进行第一平坦化工艺之后，对介质层和铜金属的上表面进行氨气等离子体处理之前，还包括：进行清洗工艺。
8.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一平坦化工艺和所述第二平坦化工艺为化学机械研磨工艺。
9.如权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述化学机械研磨工艺的研磨液为添加了氧化硅颗粒的研磨液。
10.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为低k材料或者超低k材料。
11.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，在第二平坦化工艺之后，还包括：进行清洗工艺。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210492786.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：去除缺陷的方法
- 下一篇：一种半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
