[发明专利]半导体封装件、基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210433145.1 申请日: 2012-11-02
公开(公告)号: CN102915995A 公开(公告)日: 2013-02-06
发明(设计)人: 陈嘉成;苏洹漳;谢佳雄;陈姿慧;李明锦 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种半导体封装件、基板及其制造方法。

背景技术

半导体封装件技术在电子产业中扮演一个重要的角色。轻巧、坚固和高效能已经成为消费型电子和通讯产品的基本要求,半导体封装件必须提供较佳的电子性能,小体积和多数量的输入/输出端点。

使用于半导体封装件的基板通常具有多重金属层,多重金属层可以电性连接于所使用的信号导线及/或贯孔。当封装件的尺寸缩小,用以连接多重金属层的信号导线及贯孔可以变得更小且更接近,而增加成本及组装线路封装工艺的复杂性。因此必须发展出经由不复杂的工艺及适用以大量生产以制造具有较薄外形的基板,以有一高生产量的产出。并且必须发展出对应组装件所包含基板及基板与对应封装件的制造方法。

发明内容

根据本发明的一实施例,提供一半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一芯片、一封装体及数个焊球。基板包含一绝缘层、数个接垫、一防焊层、数个第一信号导线及数个第二信号导线。绝缘层具有相对的顶部侧及底部侧。各个接垫具有一第一侧表面且设置于绝缘层的底部侧。防焊层具有一第二侧表面且设置于绝缘层的底部侧。第一侧表面连接第二侧表面。除了第一信号导线的表面外,各个第一信号导线嵌入于绝缘层中,并自绝缘层的底部侧暴露,且连接于对应此些接垫的其中之一。各个第二信号导线设置于绝缘层的顶部侧且连结于对应第一信号导线的其中之一。芯片设置于基板上且电性连接于基板。封装体包覆芯片。各个焊球设置于此些接垫的其中之一。

根据本发明的另一实施例,提供一基板。基板包括一绝缘层、数个接垫、防焊层、数个第一信号导线及数个第二信号导线。绝缘层具有相对的顶部侧和底部侧。各个接垫具有一第一侧表面且设置于绝缘层的底部侧。防焊层具有一第二侧表面且设置于绝缘层的底部侧。第一侧表面连接第二侧表面。除了第一信号导线的表面外,各个第一信号导线嵌入于绝缘层中,并自绝缘层的底部侧暴露,且连接于对应此些垫的其中之一。各个第二信号导线设置于绝缘层的顶部侧且连结于对应第一信号导线的其中之一。

根据本发明的另一实施例,提供一半导体封装件的制造方法。制造方法包括下列所述的步骤。提供一载体。设置数个接垫及一防焊层于载体之上。设置绝缘层以覆盖接垫和防焊层。移除载体。设置芯片于绝缘层之上。形成数个焊球于接垫上。

附图说明

图1绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图2绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图3A~3K绘示图1的半导体封装件的制造方法流程图。

图4绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图5绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图6A~6K绘示图4的半导体封装件的制造方法流程图。

图7绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图8绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图9绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图10绘示根据本发明一实施例的一半导体封装件的部分剖面图。

图11A~11M绘示图7的半导体封装件的制造方法流程图。

所有附图及详细描述中,共同的元件以相同的参考符号标示。下述的详细说明及结合伴随的附图下,将使本发明更加清楚。

主要元件符号说明:

100、200、400、500、700、800、900、1000:半导体封装件

110、210、410、510、710、810、1010:基板

111、411、711’、716:绝缘层

111a、411a、711a:贯孔

112、412:接垫

112a:接垫的顶部表面

112b:接垫的第一底部表面

112c:接垫的第一侧表面

113、119、413、419:防焊层

113a:防焊层的一顶部表面

113b:防焊层的第二底部表面

113c:防焊层的第二侧表面

114、414、416、716’、718:种子层

115、415:第一信号导线

115a:第一信号导线的一表面

116:导电层

118、418:第二信号导线

118a、418a:接垫部

120、220、420、820、1020:芯片

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210433145.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top