[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模，在衬底中形成半导体材料区；

在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；

在衬底上形成第三掩蔽层，并以第三掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；

去除第三掩蔽层的一部分，所述部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及

形成栅介质层，并在第三掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成第二掩蔽层的操作包括：在第一掩蔽层的侧壁上形成第一侧墙，其中，第一掩蔽层和第一侧墙两者形成所述第二掩蔽层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中

形成第三掩蔽层的操作包括：

在衬底上形成子掩蔽层，并去除第一掩蔽层，

其中，子掩蔽层和第一侧墙两者形成所述第三掩蔽层，以及

去除第三掩蔽层的一部分的操作包括：

去除第一侧墙。

4.根据权利要求3所述的方法，其中第一侧墙被完全去除，并且该方法在去除第一侧墙之后还包括：在子掩蔽层的侧壁上形成第二侧墙。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

第一掩蔽层包括氮化物和氧化物的堆叠，

子掩蔽层包括氧化物，

第一侧墙包括多晶硅或非晶硅，

第二侧墙包括氮化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成半导体材料区的操作包括：

以第一掩蔽层为掩模，对衬底进行氧化；

去除衬底的氧化部分，形成开口；以及

在开口中外延生长半导体材料区。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成第一掩蔽层，并以第一掩蔽层为掩模形成源区和漏区之一；

在衬底上形成第二掩蔽层，并以第二掩蔽层为掩模，在衬底中形成半导体材料区；

在衬底上形成第三掩蔽层，并以第三掩蔽层为掩模形成源区和漏区中另一个；

去除第三掩蔽层的一部分，所述部分靠近所述源区和漏区中另一个；以及

形成栅介质层，并在第三掩蔽层的剩余部分的侧壁上以侧墙的形式形成栅导体。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成第二掩蔽层的操作包括：在衬底上形成第二掩蔽层，并去除第一掩蔽层。

9.根据权利要求7所述的方法，其中形成第二掩蔽层的操作包括：

在衬底上形成子掩蔽层，并去除第一掩蔽层；

在子掩蔽层的侧壁上形成第二侧墙，

其中，子掩蔽层和第二侧墙两者形成所述第二掩蔽层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中

形成第三掩蔽层的操作包括：

在第二掩蔽层的侧壁上形成第一侧墙，

其中，第二掩蔽层和第一侧墙两者形成所述第三掩蔽层，以及

去除第三掩蔽层的一部分的操作包括：

去除第一侧墙。

11.根据权利要求10所述的方法，其中

第一掩蔽层包括氮化物，

子掩蔽层包括氧化物，

第一侧墙包括多晶硅或非晶硅，

第二侧墙包括氮化物。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，形成半导体材料区的操作包括：

以第二掩蔽层为掩模，对衬底进行氧化；

去除衬底的氧化部分，形成开口；以及

在开口中外延生长半导体材料区。

13.一种半导体器件，包括：

衬底；

在衬底中形成的半导体材料区；

在衬底上形成的源区和漏区以及栅堆叠，

其中，半导体材料区实质上在源区和漏区之一中以及在栅堆叠下方延伸，以及

所述栅堆叠包括：

栅介质；和

栅导体，所述栅导体以侧墙形式形成于位于栅堆叠一侧的电介质层的侧壁上。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，栅介质层包括高K电介质材料，栅导体包括金属栅导体材料。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，还包括：设置在栅介质层和栅导体之间的功函数调节层。

16.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述衬底包括Si，所述半导体材料区包括SiGe或III-V族化合物半导体。