[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1. 一种半导体装置，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟；

提供在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；

位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的源电极层；以及

位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的漏电极层，

其中，所述绝缘层的表面处的氯浓度为小于或等于1×10¹⁹/cm³，以及

其中，所述绝缘层的所述表面处的铟浓度为小于或等于2×10¹⁹/cm³。

2. 根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜中的氯浓度为小于或等于1×10¹⁹/cm³。

3. 根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜中的所述氯浓度为小于或等于5×10¹⁸/cm³。

4. 根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述绝缘层的所述表面处的所述氯浓度为小于或等于5×10¹⁸/cm³，以及

其中所述绝缘层的所述表面处的所述铟浓度为小于或等于5×10¹⁸/cm³。

5. 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟；

形成位于所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；

形成位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的导电膜；

用含有氯的气体蚀刻所述导电膜来形成源电极层及漏电极层；以及

去除所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的残留物，

其中，由所述气体与所述氧化物半导体膜之间的反应而形成所述残留物。

6. 根据权利要求5所述的方法，其中在所述去除工序之前所述残留物的一部分分散并附着于所述绝缘层。

7. 根据权利要求5所述的方法，其中作为所述去除工序进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤工序。

8. 根据权利要求5所述的方法，其中作为所述去除工序进行使用稀有气体的等离子体处理。

9. 根据权利要求5所述的方法，其中所述残留物中的每个包含含有铟及氯的化合物。

10. 根据权利要求5所述的方法，其中所述残留物的一部分分散并附着于所述绝缘层的表面。

11. 一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极层；

在所述栅电极层上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟；

形成位于所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；

形成位于所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的导电膜；

用含有氯的气体蚀刻所述导电膜来形成源电极层及漏电极层；以及

去除位于所述绝缘层表面上及所述绝缘层的附近的残留物，

其中，由所述气体与所述氧化物半导体膜之间的反应形成所述残留物。

12. 根据权利要求11所述的方法，其中在所述去除工序之前所述残留物的一部分分散并附着于所述绝缘层。

13. 根据权利要求11所述的方法，其中作为所述去除工序进行使用稀氢氟酸溶液的洗涤工序。

14. 根据权利要求11所述的方法，其中作为所述去除工序进行使用稀有气体的等离子体处理。

15. 根据权利要求11所述的方法，其中所述残留物的每个包含含有铟及氯的化合物。

16. 根据权利要求11所述的方法，其中所述残留物的一部分分散并附着于所述绝缘层的所述表面及所述绝缘层的附近。