[发明专利]一种基于高K材料的LDMOS器件

权利要求书

1.一种基于高K材料的LDMOS器件，其包括衬底，所述衬底上设置有源极和漏极，所述漏极连接有漂移区所述源极和漂移区之间通过沟道连接在一起，所述沟道上设置有栅极，所述栅极和所述沟道之间设置有绝缘层，其特征在于：所述绝缘层包括一个由高K材料组成的高K层。

2.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：构成所述高K层的材料为：Si₃N₄、HfO₂或ZrO₂。

3.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述衬底为SOI衬底。

4.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述栅极是由金属栅或多晶硅构成的。

5.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其还包括连接所述源极和所述衬底的连接层，所述连接层由P型重掺杂或金属构成。

6.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述绝缘层靠近所述漏极一侧的厚度大于其靠近所述源极一侧的厚度。

7.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其采用厚度大于所述漂移区的N阱层取代所述漂移区，所述N阱层中靠近所述源极的一侧设置有浅沟道隔离。

8.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：其采用厚度大于所述漂移区的N阱层取代所述漂移区，所述N阱层上方设置有一层由LOCOS工艺形成的第二SiO2层，所述第二SiO2层一端设置在所述绝缘层与所述N阱层之间。

9.根据权利要求1所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区上设置有场板，所述场板与所述漂移区之间设置有第二绝缘层。

10.根据权利要求9所述的一种基于高K材料的LDMOS器件，其特征在于：所述第二绝缘层依次包括以下三层：SiO₂层、高K层和SiO₂层。