[发明专利]制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及制造电子部件的方法。

背景技术

电子部件封装一般是半导体器件制造的最后阶段。电子部件可以被集成在独立的保护封装内、与另一部件或其他多个部件安装在混合或多部件模块中、或直接连接到印刷电路板（PCB）上。

发明内容

根据本发明的优选实施方式，披露了一种制造半导体器件的方法。该方法包括在载体上配置晶片（wafer），其中该晶片包括单独的芯片、将芯片结合到支撑晶片并且去除载体。

根据本发明的另一实施方式，披露了一种制造半导体器件的方法。该方法包括将晶片放置到划片胶带（dicing tape）上、将晶片切割为多个芯片并将具有多个芯片的划片胶带放置在载体上。该方法还包括将多个芯片结合到支撑晶片的接触垫，以及从多个芯片上去除划片胶带和载体。

根据本发明的另一实施方式，披露了一种制造半导体器件的方法。该方法包括将具有多个单独的芯片的划片胶带放置在载体上，每个芯片通过间隔体（spacer）与其邻近的芯片隔开，并且将多个单独的芯片结合到支撑晶片上的接触垫。该方法还包括从包覆（encapsulation）和多个芯片去除支撑晶片，以及切割包覆以形成多个半导体器件。

附图说明

为了更充分地理解本发明及其优点，结合附图参考以下说明，在附图中：

图1示出了其上形成有突起（bump）的晶片；

图2示出了放置在划片胶带上的晶片；

图3示出了放置在载体上的晶片和划片胶带；

图4示出了翻转的晶片和支撑晶片；

图5示出了结合到支撑晶片的晶片；

图6示出了从芯片去除载体；

图7示出了在支撑晶片上的包覆的芯片；

图8示出了没有支撑晶片的包覆的芯片；以及

图9示出了封装的芯片。

具体实施方式

在下面，将详细讨论当前优选实施方式的制造和使用。但是应当理解，本发明提供了在多种具体环境中可实施的许多可应用的发明概念。所讨论的具体实施方式仅仅是示出了制造和使用本发明的具体方式，而并非限制本发明的范围。

本发明将对于具体环境下的实施方式、即制造电子部件的方法进行描述。然而，本发明也可能被应用于其他部件的制造方法。

在一个本发明实施方式中，将包括单独的芯片的晶片结合到具有接触垫的支撑晶片。支撑晶片被加热到芯片结合（die-bonding）温度。将晶片压至支撑晶片上，使得配置在单独的芯片上的突起融化，并在单独的芯片和垫之间形成具有合金的互连（interconnect）。

在本发明的一个实施方式中，晶片包括芯片和间隔体，其中间隔体将邻近的芯片隔开。该芯片可包括有源和/或无源器件，并且间隔体可以是未经处理的半导体材料。芯片和间隔体粘接至箔，并且箔附着于载体。通过热或光，箔的粘附性改变。在将晶片结合到支撑晶片后，可将箔和间隔体从芯片去除。将芯片附着到支撑晶片。支撑晶片上的芯片之间的空间提供了用于封装晶片级的芯片的空间。

在本发明的一个实施方式中，改变箔的粘附性以使芯片和间隔体以不同的粘接强度结合到箔。这使得已结合的芯片从箔去除，而间隔体还附于箔上。粘附性可通过热或光来改变。

本发明实施方式使用晶片到晶片结合处理提供了快速的半导体制造处理。晶片到晶片结合处理远快于传统的步进式（die-by-die）拾取和附着处理。本发明的实施方式还提供了芯片和接触垫之间可靠的互连。互连可以形成由不同的金属材料构成的合金。因为在支撑晶片上配置接触垫提供了对传统的引线框架的成本改进，所以本发明的实施方式能够节省成本。

图1至图9示出了制造半导体器件的方法。例如，半导体器件可以是封装的芯片。图1示出了包括半导体基底的晶片100。例如，半导体基底可以是硅、锗或其他半导体材料。晶片100可以是诸如GaAs、InP、Si/Ge或SiC的化合物半导体。晶片可以是大块硅或绝缘体上硅（SOI）。

晶片100可经过处理形成诸如功率晶体管或射频（RF）器件的独立器件。另外，晶片100可经过处理形成诸如处理器、微控制器、收发器、存储器件等的集成电路（IC）。在一些实施方式中，晶片可经过处理形成MEMS器件。

晶片100可进行处理，使得单个芯片以预定的距离隔开。预定的距离提供了封装晶片级的芯片的空间。另外，晶片100可经过处理，使得这些芯片仅通过切口（kerf）而不通过额外的空间而分隔。