[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装结构及其制造方法，且特别是有关于一种含有芯片的半导体封装结构及其制造方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，各式半导体封装结构不断推陈出新。举例来说，处理器封装结构、存储器封装结构、影像感测封装结构或重力方向感测封装结构提供各种不同的功能，带给电子产业相当大的进步。

其中，随着封装结构产品的多样化，芯片设置于封装结构内的方式也必须进一步创新，以符合各种特殊型态的应用。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装结构及其制造方法，其利用垂直式置放芯片的方式以符合各种特殊型态的应用。

根据本发明的一方面，提出一种半导体封装结构。半导体封装结构包括一基板及一芯片。基板具有一承载表面。芯片具有一主动表面。芯片设置于基板上，且芯片的主动表面实质上垂直于基板的承载表面。

根据本发明的另一方面，提出一种半导体封装结构的制造方法。半导体封装结构的制造方法包括以下步骤。首先，提供一基板，基板具有一承载表面。吸附一芯片，芯片具有一主动表面。之后，90度转置芯片以便垂直地置放芯片于基板上，以使芯片主动表面实质上垂直于基板的承载表面。焊接芯片于基板上。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示一实施例的半导体封装结构的示意图。

图2绘示图1的基板的俯视图。

图3～6绘示图1的半导体封装结构的制造方法流程图。

图7绘示一实施例的半导体封装结构的示意图。

图8绘示另一实施例的半导体封装结构的示意图。

图9绘示图8的基板的俯视图。

主要元件符号说明：

100、200、300：半导体封装结构

110、310：基板

110a、310a：承载表面

111、311：线路层

112：防焊层

112a、312a：开口

120、220a、220b、220c、320：芯片

120a、320a：主动表面

120b、320b：板边

130、330：锡球

140、340：焊接材料

150：底填充材料

220a’、220b’、220c’：归零中心点

310b：凹槽

310d：侧壁

500：吸取装置

C1：缺口

D1、D4、D5：距离

D2：厚度

D3：深度

D6：直径

L1、L2：连线

P11、P21：接垫

P12、P22：焊垫

具体实施方式

请参照图1，其绘示一实施例的半导体封装结构100的示意图。半导体封装结构100包括一基板110、至少一芯片120、至少一锡球130、至少一焊接材料140及至少一底填充材料(under fill)150。

如图1所示，基板110具有一承载表面110a并用以承载各种主动元件或被动元件，并提供线路供此些元件电性连接。基板110包括一线路层111及一防焊层112。线路层111具有一接垫P11。线路层111设置于承载表面110a上。线路层111的材质例如是铜(Cu)或金(Au)。防焊层112覆盖部份的承载表面110a及部份的线路层111。防焊层112的材质例如是树脂或油墨。防焊层112具有一开口112a。开口112a暴露接垫P11。基板110例如是玻璃纤维基板、陶瓷基板、金属基板或硅基板。

芯片120例如是一重力方向感测芯片、一处理芯片、一储存芯片、一指纹辨识芯片或一光学感测芯片。锡球130用以电性连接芯片120及基板110。锡球130的材质例如是锡(Sn)、镍(Ni)、钯(Pb)、铜(Cu)、金(Au)、银(Ag)或其组合。焊接材料140用以帮助锡球130与基板110之间形成共金接合。焊接材料140的材质例如是镍(Ni)、钯(Pb)、金(Au)或其组合。底填充材料150用以填充于焊接点，以保护焊接点并增加焊接点的可靠度。