[发明专利]半导体封装结构及其制造方法无效
申请号: | 201210116207.6 | 申请日: | 2012-04-19 |
公开(公告)号: | CN102623415A | 公开(公告)日: | 2012-08-01 |
发明(设计)人: | 蔡莉雯;陈国华;林慈桦 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L23/48;H01L21/58 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体封装结构,包括:
一基板,具有一承载表面;以及
至少一芯片,具有一主动表面,该芯片设置于该基板上,且该芯片的该主动表面实质上垂直于该基板的该承载表面。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该基板包括:
一线路层,具有一接垫,该线路层设置于该承载表面上;以及
一防焊层,覆盖部份的该承载表面及部份的该线路层,该防焊层具有一开口,该开口暴露该接垫;
其中,该芯片电性连接于该接垫。
3.如权利要求2所述的半导体封装结构,其中该芯片包括一焊垫,该半导体封装结构更包括:
一锡球,设置于该焊垫上;及
一焊接材料,设置于该接垫及该锡球之间;
其中,该芯片以一板边接触该承载表面,该焊接材料及该接垫的厚度实质上小于0.9倍该焊垫至该板边的距离。
4.如权利要求2所述的半导体封装结构,更包括一底填充材料,该底填充材料填充于该开口。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该基板包括:
一线路层,具有一接垫,该线路层设置于该承载表面上;
一防焊层,覆盖部份的该承载表面及部份的该线路层,该防焊层具有一开口,该开口暴露该接垫;及
一凹槽,位于该开口,该芯片设置于该凹槽并电性连接于该接垫。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构,其中该芯片具有一焊垫,该半导体封装结构更包括:
一锡球,设置于该焊垫上;
一焊接材料,设置于该接垫及该锡球之间;
其中该芯片以一板边接触该凹槽的一底面,该凹槽的深度实质上小于0.9倍该焊垫至该板边的距离。
7.如权利要求5所述的半导体封装结构,其中该芯片具有一焊垫,该半导体封装结构更包括:
一锡球,设置于该焊垫上;
其中,该凹槽的一侧壁位于该接垫处,该主动表面至该侧壁的距离小于0.8倍该锡球的直径。
8.如权利要求5所述的半导体封装结构,更包括一底填充材料,该底填充材料填充于该开口。
9.如权利要求1所述的半导体封装结构,其中该至少一芯片的数量为3个,该些芯片为重力方向感测芯片,各该芯片具有一归零中心点,该些归零中心点的二条连线实质上相互垂直。
10.一种半导体封装结构的制造方法,包括:
提供一基板,该基板具有一承载表面;
吸附一芯片,该芯片具有一主动表面;
90度转置该芯片以便垂直地置放该芯片于该基板上,以使该芯片的该主动表面实质上垂直于该基板的该承载表面;以及
焊接该芯片于该基板上。
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