[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
申请号: | 201010516547.9 | 申请日: | 2010-10-20 |
公开(公告)号: | CN102054789A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 别宫史浩 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
保护绝缘膜;
开口,所述开口被形成在所述保护绝缘膜中;
电极焊盘,所述电极焊盘位于所述开口中;
凸块,所述凸块被形成在所述保护绝缘膜上方,包括凸块核和被形成在所述凸块核上方的导电膜;以及
互连,所述互连连接所述凸块的所述导电膜和所述电极焊盘,
其中,所述凸块核包括绝缘树脂层,和位于所述绝缘树脂层上方的导电树脂层。
2.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,沿着第一方向布置多个所述凸块,
所述互连从所述凸块伸展到不同于所述第一方向的第二方向,并且
所述多个凸块核被构成为使得形成所述凸块核的所述绝缘树脂层的至少下部相互连接。
3.如权利要求1所述的半导体器件,
其中,通过在绝缘树脂中混合导电粉末,使得所述导电树脂层具有导电性。
4.如权利要求3所述的半导体器件,
其中,形成所述导电树脂层的所述绝缘树脂与形成所述绝缘树脂层的树脂相同。
5.一种制造半导体器件的方法,包括在衬底中形成凸块,所述衬底包括保护绝缘膜、被形成在所述保护绝缘膜中的开口、以及从所述开口暴露的电极焊盘,所述方法包括:
在所述保护绝缘膜上方形成绝缘树脂层;
在所述绝缘树脂层上方形成导电树脂层;
通过选择性地移除所述绝缘树脂层和所述导电树脂层的层压膜,形成凸块核;以及
通过在所述凸块核、所述保护绝缘膜以及所述电极焊盘的上方选择性地形成导电膜,来形成所述凸块和将所述凸块连接到所述电极焊盘的互连。
6.如权利要求5所述的制造半导体器件的方法,
其中,所述绝缘树脂层和所述导电树脂层具有感光性,并且
所述形成凸块核的步骤包括曝光并且显影所述层压膜。
7.如权利要求6所述的制造半导体器件的方法,
其中,通过在形成所述绝缘树脂层的绝缘且感光的树脂中混合导电粉末,使得所述导电树脂层具有导电性。
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