[发明专利]金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法有效
| 申请号： | 200610030793.7 | 申请日： | 2006-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101140870A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘乒;马擎天;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体器件 栅极 结构 形成 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法，包括：
在半导体衬底上形成电介质层；
在所述电介质层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成堆栈层并定义栅极的位置；
利用所述堆栈层为掩膜刻蚀所述多晶硅层形成栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述堆栈层结构包括：
在所述多晶硅层上形成的第一抗反射层；
在所述第一抗反射层上形成的第二抗反射层；
在所述第二抗反射层上形成的光致抗蚀剂层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第一抗反射层为富硅聚合物，利用旋涂工艺形成，厚度为100nm～2000nm。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述富硅聚合物为布鲁尔科技有限公司商标为GF系列产品。
5.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述第二抗反射层为硅基抗反射层，厚度为50nm～500nm。
6.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度为500nm～2000nm。
7.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于：对所述光致抗蚀剂层进行包括曝光、显影的光刻工艺以定义栅极的位置。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述方法还包括灰化去除所述第一抗反射层的步骤。
9.一种金属氧化物半导体器件栅极结构的形成方法，包括：
在半导体衬底上形成电介质层；
在所述电介质层上形成多晶硅层；
在所述多晶硅层上形成第一抗反射层；
在所述第一抗反射层上形成的第二抗反射层；
在所述第二抗反射层上形成的光致抗蚀剂层；
图案化所述光致抗蚀剂层以定义栅极的位置；
依次刻蚀所述光致抗蚀剂层、第二抗反射、第一抗反射层和多晶硅层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第一抗反射层为富硅聚合物，利用旋涂工艺形成，厚度为100nm～2000nm。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述富硅聚合物为布鲁尔科技有限公司商标为GF系列产品。
12.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述第二抗反射层为硅基抗反射层，50nm～500nm。
13.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度为500nm～2000nm。
14.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述方法还包括利用灰化工艺去除所述第一抗反射层的步骤。
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