专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种晶圆自动贴DAF膜装置-CN202120703937.0有效
  • 韦有乾 - 韦有乾
  • 2021-04-07 - 2021-11-12 - B65H41/00
  • 一种晶圆自动贴DAF膜装置,包括DAF膜分离装置和DAF膜粘贴装置;所述DAF膜分离装置包括放料卷轴、收料卷轴、主滚筒和分离刀,所述放料卷轴分别与收料卷轴、主滚筒传动连接,且所述放料卷轴与收料卷轴同向转动,所述放料卷轴与主滚筒反向转动,所述放料卷轴和收料卷轴中的一个与动力装置连接;所述DAF膜粘贴装置设于DAF膜分离装置的下方,且所述DAF膜粘贴装置可以从主滚筒下方伸出和收回,所述DAF膜粘贴装置包括吸盘此晶圆自动贴DAF膜装置不仅可以自动地把离型膜和DAF膜分离,而且能够将DAF膜精确地粘贴在晶圆和支撑圈上,降低了工人的劳动强度,提高了生产效率。
  • 一种自动daf装置
  • [发明专利]DAF分割确认方法-CN202210099933.5在审
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2022-01-27 - 2022-08-16 - H01L21/78
  • 本发明提供DAF分割确认方法,能够容易地确认配设于晶片的背面的DAF是否按照每个芯片适当地分割。该方法至少包含如下的工序:支承工序,在沿着分割预定线(14)形成有分割起点(110)的晶片的背面(10b)配设DAF的一个面(18a),将晶片定位于具有收纳晶片的开口(Fa)的环状的框架(F)的开口中,在DAF的另一个面(18b)粘贴划片带(T2),借助划片带将DAF和晶片支承于框架;DAF分割工序,将晶片与框架之间的划片带扩展而与芯片对应地分割DAF;收缩工序,将晶片与框架之间的划片带加热而使松弛收缩;划片带剥离工序,将划片带从DAF剥离;和DAF分割确认工序,确认DAF是否与各芯片对应地分割。
  • daf分割确认方法
  • [发明专利]一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置-CN202310961493.4有效
  • 王玮;陈浪;杜建宇;张驰 - 北京大学
  • 2023-08-02 - 2023-10-20 - H01L21/48
  • 本申请提供一种基于DAF膜的晶圆封装方法、结构和装置,涉及半导体技术领域,该方法包括:将DAF膜覆盖在晶圆的第一表面;对DAF膜进行刻蚀,制备得到多个盲孔,盲孔的深度为DAF膜的厚度;在DAF膜的表面沉积种子层,使种子层覆盖所述多个盲孔的底部和侧壁;在盲孔中填充与种子层的材料相同或匹配的第一金属材料,直至第一金属材料完全填充所述盲孔;去除DAF膜表面多余的金属材料,得到晶圆的DAF膜封装结构;利用DAF膜封装结构本申请通过在DAF膜上刻蚀盲孔,在盲孔中填充第一金属材料,实现了在DAF膜中嵌入多个金属柱,利用金属柱的导热性,提升晶圆封装结构中DAF膜的热导率。
  • 一种基于daf封装方法结构装置
  • [实用新型]一种DAF膜封装结构-CN202021828446.0有效
  • 吴俊;熊强 - 珠海市中芯集成电路有限公司
  • 2020-08-27 - 2021-02-26 - H01L23/31
  • 本实用新型涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种DAF膜封装结构,包括芯片以及至少一片DAF膜,其中所述DAF膜上相对的两个表面分别设置有凹槽,所述凹槽用于放置芯片,并且所述DAF膜上设置有凹槽的两个表面均覆盖有粘胶层;本实用新型在DAF膜的相对两个表面上分别设置用于安装芯片的凹槽,芯片可以通过粘接的方式固定在凹槽中,采用凹槽定位,提升封装的精度,还便于进行后续的切片操作;并且芯片可以封装在相邻的两片DAF膜之间,两片DAF膜上的凹槽位置错位粘接,保证粘接到芯片上的DAF膜厚度,保证相邻两片芯片之间的安全绝缘距离。
  • 一种daf封装结构
  • [发明专利]加工方法-CN201510092472.9在审
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2015-03-02 - 2015-09-09 - H01L21/301
  • 本发明提供加工方法,该加工方法是对应于一个个器件来分割在晶片的背面粘贴的DAF的方法,晶片被形成为格子状的分割预定线划分而在正面形成有多个器件,特征在于,包括如下工序:晶片准备工序,准备在晶片的沿着分割预定线的内部形成有改性层的晶片、或者沿着分割预定线分割为一个个器件的晶片;晶片配设工序,将在晶片准备工序中准备好的晶片定位到具有收纳晶片的开口部的环状框架中,隔着DAF将晶片的背面配设到扩展带上;和DAF分割工序,在实施了晶片配设工序后,使扩展带扩张,使拉伸力经由DAF作用于晶片,使相邻的器件之间的间隔扩大,同时对应于器件来分割DAF,在DAF分割工序中,将DAF加热至规定的温度来使DAF软化。
  • 加工方法
  • [发明专利]芯片的贴附方法及摄像模组-CN202011259631.7在审
  • 梁超业 - 昆山丘钛光电科技有限公司
  • 2020-11-12 - 2021-02-02 - H05K3/30
  • 本发明公开了一种芯片的贴附方法及摄像模组,其中,该芯片的贴附方法包括:提供芯片和DAF膜,在芯片上贴附DAF膜;再提供PCB板,将芯片通过DAF膜与PCB板进行贴合;将贴合后的芯片、DAF膜以及PCB板一同进行烘烤通过先在芯片底部贴附DAF热固胶膜,再将将已贴附好DAF膜的芯片与PCB板黏合在一起,贴附制程无需再进行画胶动作,有效改善断胶、少胶及溢胶问题,以及有效改善烘烤过程中因胶水不均匀产生芯片倾斜的问题,从而提升产品测试良率
  • 芯片方法摄像模组
  • [发明专利]一种内埋元件的封装结构及封装方法-CN202011536520.6在审
  • 唐和明;王琇如 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-22 - 2021-04-23 - H01L23/31
  • 本发明公开一种内埋元件的封装结构及封装方法,该内埋元件的封装结构包括:引线框架;半导体元件,其背面结合于导电部的正面;DAF层;半导体元件的正面电极接点由DAF层露出;DAF层设有导通孔;导电结构设于导通孔,导电结构与导电部连接;该内埋元件的封装方法,包括:采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合,形成一级结构;将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面,形成DAF层;在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔该内埋元件的封装方结构及封装方法,将引线框架与DAF材料结合作为基板,半导体元件嵌入基板内,有利于缩小产品体积,简化了方法和结构,引线框架还可用于散热。
  • 一种元件封装结构方法
  • [发明专利]DAF膜及其制备方法、芯片封装结构-CN202010479248.6有效
  • 任济平 - 南通通富微电子有限公司
  • 2020-05-29 - 2022-06-07 - C09J7/22
  • 本申请公开了一种DAF膜及其制备方法、芯片封装结构,所述DAF膜包括第一胶面、第二胶面和中间高导热层,中间高导热层中设置有支撑体,用于防止芯片发生倾斜。本申请通过在DAF膜中添加支撑体,支撑体提供了有效地支撑,保证芯片在受力挤压DAF膜时,避免了由于受力不均匀而导致芯片倾斜。本发明的DAF膜通过支撑体的加入,实现了装片时,芯片始终保持水平,且不改变本身的黏著性,可用于高速晶圆贴覆处理,提高了芯片封装质量和效率。
  • daf及其制备方法芯片封装结构
  • [发明专利]一种内嵌元件的封装方法及封装结构-CN202011536517.4有效
  • 唐和明;王琇如 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
  • 2020-12-22 - 2022-04-22 - H01L21/48
  • 本发明公开一种内嵌元件的封装方法及封装结构,该内嵌元件的封装方法,包括:采用结合材料将半导体元件的背面与引线框架的正面结合,形成一级结构;将DAF材料覆盖并压合于一级结构的正面,形成DAF层;在DAF层加工出将引线框架的正面露出的导通孔;在导通孔内填充金属核球,金属核球之间结合形成导电柱;将引线框架刻出图案;该内嵌元件的封装结构包括:引线框架;半导体元件,其背面结合于导电部的正面;DAF层;半导体元件的正面电极接点由DAF层露出;DAF
  • 一种元件封装方法结构
  • [发明专利]一种单芯片DAF胶带粘晶方法-CN202110663132.2在审
  • 梅志鹏;岳永豪;张宁 - 西安微电子技术研究所
  • 2021-06-15 - 2021-09-17 - H01L21/67
  • 本发明公开了一种单芯片DAF胶带粘晶方法,属于半导体封装技术领域,通过将待粘晶的单芯片贴附在经过预处理DAF胶带上,实现单芯片与DAF胶带的贴合,然后通过传统的粘晶工艺实现芯片与载体的紧密粘接。通过本发明的实施,有效解决了单芯片无法预先贴附DAF胶带进行粘晶的问题,从而解决了单芯片粘晶工艺中容易出现的溢胶、翻胶、胶层不均、空洞等问题。本发明方法是一种使用DAF胶带进行单芯片粘晶的新思路、新方法。应用本发明方法对于单芯片的粘晶,可以将底部空洞率控制在5%以内,胶层均匀性控制在10%,溢胶范围不超过20μm,杜绝翻胶的发生。
  • 一种芯片daf胶带方法
  • [发明专利]一种半导体封装结构及其制备方法-CN202211022509.7在审
  • 陈彦亨;林正忠 - 盛合晶微半导体(江阴)有限公司
  • 2022-08-25 - 2022-09-23 - H01L21/50
  • 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,所述半导体封装结构包括:封装基板、与所述封装基板键合连接的封装体;其中,所述封装体包括重布线层、至少一个芯片、DAF材料层及塑封层;所述重布线层的下表面与所述封装基板键合连接;所述芯片的有源面与所述重布线层的上表面电连接;所述DAF材料层形成于所述芯片的非有源面;所述塑封层形成于所述重布线层的上表面,其上表面与DAF材料层的上表面平齐。本发明的半导体封装结构及其制备方法,通过采用导热能力高的DAF材料层,使DAF材料层不影响封装散热性能,不需要被研磨去除,减少了封装制程成本,并提高了制程良率。
  • 一种半导体封装结构及其制备方法

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