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[发明专利]一种提高无铅铁电薄膜性能的方法及其制备的无铅铁电薄膜-CN201010139802.2有效
发明人：马颖;时群吉;周益春 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2010-04-06 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高无铅铁电薄膜性能的方法及其制备的无铅铁电薄膜。具体涉及无铅铁电薄膜领域的一种利用电离辐照效应来减低无铅铁电薄膜漏电流的方法及其得到的无铅铁电薄膜。其是在室温下，使用带电粒子或者伽马射线等载能粒子束对无铅铁电薄膜进行辐照，其辐照总剂量为10Mrad-100Mrad，辐照后便得到漏电流降低的铁电薄膜。
一种提高铅铁薄膜性能方法及其制备

[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法-CN201810019438.2有效
发明人：李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO₂缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO₂缓冲层为金红石相、外延取向为
电薄膜钛铌缓冲层外延取向氮化镓半导体氮化镓基外延钴酸锶镧衬底制备脉冲激光沉积技术金红石相取向

[发明专利]一种铁电阻变存储器及其开关比的调控方法-CN201610557208.2在审
发明人：王占杰;白宇 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器及调控其开关比的方法，该铁电阻变存储器由上电极材料金，下电极和衬底材料掺铌钛酸锶以及锆钛酸铅铁电材料所构成。该器件的制备方法是利用化学溶液沉积法在掺铌钛酸锶衬底上沉积锆钛酸铅铁电薄膜，然后利用溅射法在锆钛酸铅铁电薄膜上沉积金作为上电极。其中锆钛酸铅铁电材料的厚度为100～450nm。通过调控锆钛酸铅铁电材料的厚度，实现了金/锆钛酸铅/掺铌钛酸锶铁电阻变存储器开关比从17到846的变化，提高了50倍。该方法可以有效地调控铁电阻变存储器开关比，简单易行，便于实际应用。
一种电阻存储器及其开关调控方法

[发明专利]一种加入含钙物料焙烧复杂铜铅铁混合硫化矿、提取铜和铅的方法-CN201410638808.2在审
发明人：廖亚龙;周娟;黄斐荣 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2014-11-13 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： C22B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种加入含钙物料焙烧复杂铜铅铁混合硫化矿、提取铜和铅的方法，属于冶金工程技术领域。将复杂铜铅铁混合硫化矿与含钙物料混合均匀，制成小球，烘干后在温度为750～950℃条件下焙烧1.0～4.0h，冷却至室温后，破碎得到焙砂；将上述得到的焙砂用稀硫酸浸出，然后经固液分离即能得到铜含量低于1.0wt本方法通过加入含钙物料焙烧复杂铜铅铁混合硫化矿、稀硫酸浸出，使复杂铜铅铁硫化矿中的铜和铅得到有效分离和高效提取。
一种加入含钙物料焙烧复杂铅铁混合硫化提取方法

[发明专利]无铅铁电上转换荧光材料及其制备方法和应用-CN201710337929.7有效
发明人：罗来慧;黄胤鹏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-05-15 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： C09K11/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅铁电上转换荧光材料，包括结构为ABO₃的钙钛矿无铅铁电陶瓷材料，其特征在于：该无铅铁电陶瓷材料的化学式为Na_0.5Bi_{0.5‑x‑y固有点缺陷替代无铅铁电陶瓷材料中发射绿光的稀土离子，从而实现陶瓷组分的调节，进而调节陶瓷材料的上转换荧光颜色和性能，同时，还提供该无铅铁电上转换荧光材料的制备方法和应用，能够大大的降低了生产成本，并且很大程度上保护了稀土资源}
铅铁转换荧光材料及其制备方法应用

[发明专利]无铅铁电上转换发光材料及其制备方法-CN201811549094.2有效
发明人：章权;罗来慧;祝泽林;杜鹏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种无铅铁电上转换发光材料，包括结构为ABO3结构的钙钛矿无铅铁电陶瓷材料，其特征在于：该无铅铁电陶瓷材料的化学式为(Na0.5铅铁电上转换发光材料的制备方法。与现有技术相比，本发明的无铅铁电上转换发光材料具备光致变色和温度传感性能，且材料的制备方法简单、成本较低。
铅铁转换发光材料及其制备方法

[发明专利]一种无铅铁电陶瓷材料及其制备方法-CN202211290803.6有效
发明人：罗来慧;饶小翠;杜鹏;姜海 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种无铅铁电陶瓷材料，无铅铁电陶瓷材料的结构为ABO3型，且无铅铁电陶瓷材料的化学式为(1‑x)BaTiO3‑xCaTiO3:0.003Pr3+，0.1≤x≤0.3，本发明还提供了上述无铅铁电陶瓷材料的制备方法，与现有技术相比
一种铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]单相多铁性M‑型铅铁氧体陶瓷材料及其制备方法-CN201510061921.3有效
发明人：谭国龙;李威;盛号号;徐期树 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种单相多铁性M‑型铅铁氧体陶瓷材料及其制备方法，其化学式为PbFe12O19，六方晶系，空间群P63/mmc，分子量1181.2610，所述的单相多铁性M‑型铅铁氧体陶瓷材料在室温下同时具有良好的铁电性和铁磁性，是一种可实用化的单相多铁性材料；其晶粒分布均匀，平均晶粒1～5μm，色泽暗红色至红褐色，将来同时具有铁电性和铁磁性的单相M‑型铅铁氧体PbFe12O19)材料被应用于多铁性领域。本发明的有益效果在于所制得的M‑型铅铁氧体陶瓷材料具有多铁性，在室温下同时具有非常好的铁电性和铁磁性，并且晶粒平均粒径在0.5μm～3μm左右，颗粒分布均匀。
单相多铁性铅铁陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法-CN202110886343.2有效
发明人：孙文红;彭彪林;陈捷 -专利权人：广西大学
申请日： 2021-08-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B05D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种在宽禁带半导体衬底上制备无铅铁电薄膜的方法，先制备包含Ba、Mn和Ti的前驱体溶液，再将前驱体溶液旋凃到预处理好的p‑GaN衬底上，再干燥、热解、退火，重复数次之后得到无铅铁电薄膜，本发明通过溶胶凝胶合成法在宽禁带半导体衬底(GaN)上制备无铅铁电薄膜，制备得到的薄膜材料具有非常宽的负电卡效应，还具有纯度高、致密性好、平均晶粒尺寸小、电场击穿强度大、储能密度高、负电卡效应工作温度范围广等优点。
一种宽禁带半导体衬底制备铅铁薄膜方法

[发明专利]一种耐疲劳耐高温的柔性无铅铁电储能材料及其制备方法-CN202110739616.0在审
发明人：钟高阔;陈骞鑫;李江宇;黄明强;任传来;安峰;张园 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种耐疲劳耐高温的柔性无铅铁电储能材料及其制备方法。柔性无铅铁电储能材料包括柔性衬底、形成于柔性衬底上的缓冲层、形成于缓冲层上的底电极层、以及形成于底电极层上的复合铁电层，复合铁电层为基于底电极层上生长的具有铁电性的多层复合结构，多层复合结构包括依次叠加生长于底电极层上的下层和上层，复合铁电层由多层复合结构重复多周期叠加形成；其制备方法为：选取白云柔性衬底，在柔性衬底上生成CFO缓冲层，在缓冲层上生成SRO底电极层，在底电极层上生成多层BNT‑STO层形成复合铁电层，得到柔性无铅铁电储能材料本申请制得的柔性无铅铁电储能材料具有优异的储能密度和储能效率，储能性能优异。
一种疲劳耐高温柔性铅铁电储能材料及其制备方法

[发明专利]一种复杂铜铅铁混合硫化矿中铜和铅铁的分离方法-CN201310722628.8有效
发明人：廖亚龙;周娟 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2013-12-25 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C22B1/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种复杂铜铅铁混合硫化矿中铜和铅铁的分离方法，属于冶金工程技术领域。首先将复杂铜铅铁混合硫化矿与浓硫酸溶液混合均匀，然后在温度为450~750℃条件下焙烧0.5~3.0h，即制备得到焙砂；将上述步骤制备得到的焙砂自然冷却低于200℃后破碎，然后加入稀硫酸溶液，在温度为40本发明针对铜铅铁混合矿石矿物组成特点，采用硫酸化焙烧实现焙烧中的铜以硫酸铜、铁以三氧化二铁及铅以硫酸铅形态存在，用稀酸浸出焙砂时，极大部分铜进入溶液，铅和极大部分的铁存留于浸出渣中，实现铜与铅和铁的高效分离
一种复杂铅铁混合硫化矿中铜分离方法

[发明专利]制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法-CN200910071931.X无效
发明人：冯明;周玉;王文;贾德昌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
制备可控铌镁酸铅铅铁薄膜方法

[发明专利]基于稀土掺杂的无铅铁电光致色变材料及其制备方法和应用-CN201711305680.8有效
发明人：罗来慧;章园园 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅铁电光致变色材料，包括以(K0.5Na0.5)NbO3为基体的无铅铁电陶瓷材料，其特征在于：该无铅铁电陶瓷材料的化学式为(K0.5Na0.5)0.998‑x取代K+和Na+离子，进而实现材料的上转换发光，与现有技术相比，本发明具有如下优点：本发明的无铅铁电光致色变材料
基于稀土掺杂铅铁电光致色变材料及其制备方法应用

[发明专利]一种无铅铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法-CN202010038508.6有效
发明人：翟继卫;闫非;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/453 文献下载
摘要：本发明涉及一种无铅铁酸铋基陶瓷材料，该无铅铁酸铋基陶瓷材料的化学组成为(1‑x)[(1‑y)BiFeO3‑yBaTiO30.09NbO3+zMn3O4；该无铅铁酸铋基陶瓷材料采用固相反应法和流延成型法进行制备包括将原料按化学计量比进行配料、一次球磨、经720‑750℃煅烧后得到预合成的粉体，再经过二次球磨、过筛、流延成型等工艺得到铁酸铋基无铅高储能密度和储能效率陶瓷生坯，最后在1000‑1020℃高温烧结后得到无铅铁酸铋基陶瓷材料
一种铅铁酸铋基陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种应用无铅铁电材料的片式微制冷器-CN201010146958.3有效
发明人：白洋;郑广平;石三强 -专利权人：香港理工大学
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用无铅铁电材料的片式微制冷器，其包括铁电介质层与金属电极层交替构成的多层结构，所述铁电介质层采用无铅铁电材料；所述金属电极层上施加有用于控制所述铁电介质层的工作电场交替变化的周期方波信号本发明的片式微制冷器采用流延工艺制备多层厚膜结构，通过超高电场条件实现了高电热效应，并具有以下有益效果：1)环保：采用无铅铁电陶瓷为工作介质，符合环保要求；2)高效：实际制冷量可达2J/g以上；3)结构简单
一种应用铅铁材料式微制冷

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