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[发明专利]一种高量子效率CCD结构-CN201910957618.X在审
发明人：杨洪;白雪平;姜华男;袁世顺;翁雪涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：本发明涉及电荷耦合器件技术领域，具体涉及一种高量子效率CCD结构，包括：第一垂直分组、第二垂直分组、第三垂直分组、第四垂直分组，每个垂直分组包括垂直CCD多晶硅栅、第一蓝光窗口和第二蓝光窗口，所述垂直CCD本发明可解决大尺寸像元信号收集问题，可改善大尺寸帧转移CCD以及TDICCD量子效率，同时保证CCD满阱容量、动态范围、转移效率等特性不会退化。
垂直蓝光分组多晶硅栅多晶硅条接触孔电荷耦合器件高量子效率金属引线量子效率像元信号转移效率电学等大像元架构退化互联分割保证

[实用新型]高量子效率的影像传感器-CN200420093000.2无效
发明人：杨敦年;伍寿国;钱河清;曾建贤;林政贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-09-23 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高量子效率的影像传感器，其感光二极管是设置于感光区，且设置于用以定义有源区的浅沟槽隔离结构的底部水平线下方，在感光二极管的表面上依序设置第一介电层和内层介电层，其中第一介电层与感光二极管接触
量子效率影像传感器

[发明专利]一种高荧光量子效率的红光聚合物及量子点溶液及用途-CN201710908468.4有效
发明人：陈于蓝;严春梅 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-29 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高荧光量子效率的红光聚合物及量子点溶液及用途，所述高荧光量子效率的红光聚合物的结构式为：一种荧光量子效率红光聚合物溶液用途

[发明专利]核壳结构量子点及其制备方法，量子点发光薄膜和二极管-CN202011547579.5在审
发明人：周礼宽;邹文鑫 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种核壳结构量子点及其制备方法、量子点发光薄膜和量子点发光二极管。所述核壳结构量子点包括第一量子点的核体和包覆于所述核体的壳层，所述壳层的材料包括第二量子点，且所述第二量子点的带隙小于所述第一量子点。本发明核壳结构量子点能够使得电子‑空穴对可以直接激发壳层中第二量子点发光，有效提高了载流子的注入速率，其EQE高，发光效率高。而且还可以对本发明核壳结构量子点的壳层厚度的控制调节和对第一量子点选择以控制本发明核壳结构量子点发射波长，从而可以获得全波段的本发明核壳结构量子点。本发明量子点发光薄膜和本发明量子点发光二极管的EQE高，发光效率高。
结构量子及其制备方法发光薄膜二极管

[发明专利]一种量子点的合成方法-CN201810577743.3有效
发明人：陈雨 -专利权人：苏州一佳一生物科技有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点的合成方法。所述合成方法包括：提供作为核的CdZnSe量子点；使包含CdZnSe量子点、镉源、锌源和硫源的混合反应体系反应，于所述CdZnSe量子点上形成CdZnS过渡层；其中，所述锌源包括由短链脂肪酸锌与胺在膦源的活化下反应得到的前驱体本发明利用活性高的锌源可避免单纯生成CdS造成量子点效率较低的现象，可减小Cd、Zn、S之间活性的差异，减小由于晶格参数差异所带来的量子点内部缺陷，提高量子点效率。所获量子点吸光度高，发光效率高，尺寸较为均一，单分散性较好，半峰宽较窄。
一种量子合成方法

[发明专利]一种表面修饰有喹啉酸的碳量子点纳米材料在制备用于眼底血管显影的造影剂上的应用-CN202310763709.6在审
发明人：程如梅;方玉莹;南开辉;齐蕾 -专利权人：温州医科大学
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： A61K49/00 文献下载
摘要：一种表面修饰有喹啉酸的碳量子点纳米材料在制备用于眼底血管显影的造影剂上的应用，该纳米量子点具有多电子特性，良好的水分散性，具有优秀的生物相容性，发光性强以及高的量子效率，该种碳量子点具有高的发光性能和高的量子效率其合成方法简单、条件温和、产物易得，该种碳基量子点可用于本发明的眼底血管荧光造影获得良好效果，具有实用性强及广阔的应用前景。
一种表面修饰喹啉量子纳米材料制备用于眼底血管显影造影应用

[发明专利]面向量子点健康显示的高光效白平衡实现方法-CN202210745057.9在审
发明人：徐胜;林新宇;陈志水;杨丹宁;陈恩果;叶芸;郭太良;周小健;朱帅 -专利权人：闽都创新实验室
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06T7/90 文献下载
摘要：本发明提出面向量子点健康显示的高光效白平衡实现方法，面向具有红、绿色量子点子像素、以及不含量子点的蓝色子像素结构的显示器，遵循先保证红、绿色子像素出光的高光效和低蓝光泄露强度，然后再实现显示器三基色白平衡的先后顺序提出能同时满足高光色转换效率和低蓝光透过率的最佳量子点剂量因子u的取值区间，确定u值后，红、绿量子点光色转换层各自的h、c和光色转换效率LCE也能间接确定下来，这表示红、绿量子点子像素达到高光色转换效率LCE和低蓝光透过率BLT，从而实现了高光效健康显示的目的。
面向量子健康显示高光效白平衡实现方法

[发明专利]一种高光密度绿光量子点及其制备方法-CN202310611903.2在审
发明人：赵治强;高晓斌 -专利权人：北京北达聚邦科技有限公司;魏县聚邦新材料科技有限公司;河北欧莱德光电材料科技有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光密度绿光量子点的制备方法，包括使用锌源与硒前驱体制备第一量子点核，然后通过阳离子交换和合金化反应形成第二量子点核，然后依次包覆CdZnSe过渡层、ZnSeS过渡层和ZnS壳层。本发明还公开了上述制备方法制得的量子点。本发明通过第一、第二量子点核的制备，控制阳离子交换和合金化反应，得到有利于高光密度的绿光量子点核，通过过渡壳层的设定，减小了量子点晶格的缺陷，制备出发射波长可控、半峰宽窄、荧光效率高，光密度高的绿光量子点采用该量子点制得的量子点膜，达到相同色坐标的情况下，量子点的用量大幅度减少，与常规绿光量子点相比，在超薄量子点膜片应用条件下，表现出更高的蓝光吸收与转换效率。
一种光密度光量子及其制备方法

[发明专利]量子点高效填充方法、光色转换结构及发光芯片-CN202210159096.0在审
发明人：庄文荣;孙明;卢敬权 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点高效填充方法，采用含有带电荷的量子点的量子点溶液，将需填充量子点的多孔结构置于量子点溶液中，然后对量子点溶液施加电场，借由电场驱使带电荷的量子点朝多孔结构中的孔洞运动并注入孔洞中，从而实现将量子点填充在多孔结构的孔洞中，量子点填充效率高，且填充系数高，可以减少漏光，实现更高的光色转换效率。另，本发明还公开一种采用该填充方法填充量子点的光色转换结构及发光芯片。
量子高效填充方法转换结构发光芯片

[发明专利]基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法-CN201810601667.5有效
发明人：梁桂杰;陈美华;汪竞阳;李望南;王松;程晓红;吴凯丰 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：基于Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱。Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱包括CdSe量子片核层和CdTe量子片壳层，n型半导体膜的导带能级位于CdTe量子片壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型CdSe/CdTe量子阱的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
光阳极量子阱导电基片巯基烷酸量子光电转化效率能级界面电荷导带片壳制备浸泡敏化剂溶液分离效率复合作用价带能级吸光效率醇溶液可控性核层吸附沉积

[发明专利]基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法-CN201811286502.X在审
发明人：梁桂杰;陈美华;张伯宇;陈西;张欣;刘科 -专利权人：湖北文理学院
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：基于Ⅱ型核壳量子点的高效光阳极及其制备方法，属于光阳极领域。光阳极包括导电基片、吸附于导电基片的n型半导体膜、连接于n型半导体膜的巯基烷酸以及连接于巯基烷酸的Ⅱ型核壳量子点。量子点壳层的导带能级低于量子点核层的导带能级，量子点壳层的价带能级低于量子点核层的价带能级，n型半导体膜的导带能级位于量子点壳层的导带能级和价带能级之间。吸光效率高、界面电荷分离效率高、界面电荷复合作用弱、光电转化效率高。制备方法包括将沉积于导电基片的n型半导体膜于含有巯基烷酸的醇溶液中浸泡后于含有Ⅱ型核壳量子点的敏化剂溶液中浸泡。可控性好、成本低、适用范围广，制得的光阳极光电转化效率高。
光阳极能级核壳量子点导带导电基片价带能级量子点壳巯基烷酸制备光电转化效率界面电荷量子点核层浸泡敏化剂溶液分离效率复合作用吸光效率醇溶液可控性沉积吸附

[实用新型]一种亚单层量子点垂直腔激光器-CN202022534327.0有效
发明人：巫江 -专利权人：成都科灵智能光电科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本实用新型提供一种亚单层量子点垂直腔激光器，既能够实现应变量子阱的优势，又不会引入额外的非辐射复合损耗，提高激光器量子效率和温度稳定性等方面性能；解决了现有技术中量子阱VCSEL激光器量子效率、温度稳定性等方面性能的不足本实用新型中的亚单层量子点具备三维量子束缚，而且材料发光性能和光电特性都有很大的提升，同时相对于常规量子点，本实用新型中的亚单层量子点兼具了量子阱高均一性的优点。本实用新型通过原位的热处理，提供了材料质量，从而实现高量子效率的垂直腔激光器芯片或VCSEL芯片。
一种单层量子垂直激光器

[发明专利]一种高复合效率的发光二极管外延片及其制备方法-CN202210934939.X有效
发明人：郑文杰;程龙;高虹;曾家明;刘春杨;胡加辉 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明提供一种高复合效率的发光二极管外延片及其制备方法，包括N极性多量子阱组合层，N极性多量子阱组合层包括在n型GaN层上依次交替生长的N面极性量子阱层、N面极性量子垒层和N面极性P型层。本发明中的高复合效率的发光二极管外延片及其制备方法，通过生长N极性多量子阱组合层，N极性多量子阱组合层包括依次交替生长的N面极性量子阱层、N面极性量子垒层和N面极性P型层，有效提升了发光效率。
一种复合效率发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种亚单层量子点垂直腔激光器及其制造方法-CN202011223012.2在审
发明人：巫江 -专利权人：成都科灵智能光电科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种亚单层量子点垂直腔激光器及其制造方法，既能够实现应变量子阱的优势，又不会引入额外的非辐射复合损耗，提高激光器量子效率和温度稳定性等方面性能；解决了现有技术中量子阱VCSEL激光器量子效率、本发明提供的制备方法采用了特殊的亚单层量子点制备技术，相对于常规的量子阱有源区，本发明中的亚单层量子点具备三维量子束缚，而且材料发光性能和光电特性都有很大的提升，同时相对于常规量子点，本发明中的亚单层量子点兼具了量子阱高均一性的优点本发明通过原位的热处理，提供了材料质量，从而实现高量子效率的垂直腔激光器芯片或VCSEL芯片。
一种单层量子垂直激光器及其制造方法

[发明专利]一种白光量子点复合颗粒及其制备方法、制备装置-CN201410043024.5有效
发明人：唐琛;谷敬霞;王雪岚 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： C08F130/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种白光量子点复合颗粒及其制备方法、制备装置，以解决量子点材料的稳定性差、量子效率低的问题。所述白光量子点复合颗粒，包括：颗粒主体，所述颗粒主体为光引发剂和可聚合组分经紫外线照射发生光聚合反应形成的聚合体；分散于所述颗粒主体中的红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点，所述红光量子点、绿光量子点和所述蓝光量子点的浓度不同本发明实施例有益效果如下：将红、绿和蓝三色量子点限定在一个球形空间内，量子点材料之间不易发生团聚、稳定性高、量子效率高；且制备方法简单、易批量化生产。
一种白光量子复合颗粒及其制备方法装置

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