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[发明专利]多区域高压釜-CN02821621.0无效
发明人：伊恩·C·托尔 -专利权人：艾罗福姆集团公开公司
申请日： 2002-11-08 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： B01J3/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于对装载物料进行热处理的高压釜，其中所述装载物料相对于高压釜的位置、横截面和/或热性能可沿着装载物料(例如客机的大面板)改变。所述高压釜包括：用于接收装载物料的腔，所述腔具有第一端和第二端以及穿过所述第一端和第二端的轴线，所述腔的壁提供所述第一端；提供所述腔的第二端并且提供使装载物料进入和排出的出入口的门。设置用于在所述腔中对气体加热的装置(110、112)；以及设置多个沿着高压釜长度方向间隔的气体循环装置(114－130)，并且每一个气体循环装置产生一个用于加热气体循环的区域。提供装置(74－92；114－130；144－148；150－154)以独立控制在所述区域中的加热气体和装载物料之间的热交换速度，并且所述加热气体循环装置能够产生这样一种循环模式，即，使加热气体非轴向地撞击到装载物料上
区域高压

[实用新型]一种增大高压电源间爬电距离的PCB结构-CN202221358238.8有效
发明人：刘洪波;李麟 -专利权人：长沙市全博电子科技有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增大高压电源间爬电距离的PCB结构，包括高压模块与低压模块，高压模块靠近低压模块的边缘设置高压导电区域，低压模块靠近高压模块的边缘设置低压导电区域，高压导电区域与低压导电区域之间设置若干个爬电开槽，高压导电区域的顶端与低压导电区域顶端的连线、高压导电区域的底端与低压导电区域的底端的连线、高压导电区域及低压导电区域包围形成爬电区域，爬电开槽的两端均设置在爬电区域外。本实用新型通过在高压导电区域与高压导电区域之间设置爬电开槽，使得两个导电区域之间的爬电路径需绕开爬电开槽，增大高压导电区域与低压导电区域之间的爬电距离，并限制爬电开槽的覆盖长度，保证爬电距离，满足PCB
一种增大高压电源间爬电距离 pcb 结构

[发明专利]一种汽车高压部件检测教学系统-CN202010964538.X在审
发明人：孙伟;曾洁;胡东平;孟祥文 -专利权人：广州车拉夫汽车科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G09B9/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种汽车高压部件检测教学系统，包括：高压部件操作区域以及面板区域；所述高压部件操作区域包括与高压蓄电池连接的电力电子装置、分别与所述电力电子装置连接的三相驱动电机以及车载充电器、分别与所述车载充电器连接的电动空调压缩机以及高压加热装置；所述面板区域包括高压系统监控区域、绝缘测试工作原理示意区域、高压互锁测试工作原理示意区域以及电池包控制器结构示意区域；所述高压部件操作区域通过线束分别与所述面板区域连接，达到了原理认知与实操为一体的教学目的，解决了现有的汽车高压部件检测教学系统的部件零散，无法有效地进行教学的技术问题。
一种汽车高压部件检测教学系统

[发明专利]区域性输电线舞动事件模型构建方法、舞动事件预测方法-CN202011261564.2在审
发明人：李丽;冯涛;郭俊;徐勋建;怀晓伟;杨莉 -专利权人：国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司防灾减灾中心;国家电网有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本申请提供一种区域性输电线舞动事件模型构建方法、舞动事件预测方法，舞动事件预测方法包括：获取地面冷高压信息，以及待研究区域的温度和气压；地面冷高压信息包括冷高压中心气压、冷高压区域温度、冷高压范围和冷高压前沿位置；在待研究区域温度处在预定温度之上的情况下，计算冷高压中心气压和待研究区域气压的气压差，以及，计算冷高压区域温度和待研究区域温度的温度差；将气压差、温度差、冷高压范围和冷高压前沿位置输入到舞动事件预测模型因为地面冷高压南下是造成区域性大风降温覆冰的根本原因，所以本申请构建的舞动事件预测模型也能够较为精准的预测区域性舞动事件的发生。
区域性输电线舞动事件模型构建方法预测

[发明专利]短裤型一次性尿布-CN201880091910.1有效
发明人：村上圭;笹山贤一;近藤大贵;永山唯 -专利权人：尤妮佳股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： A61F13/49 文献下载
摘要：短裤型一次性尿布(1)设置有前侧带部(21)和后侧带部(22)，并且在上端形成有腰身开口(1a)，其中：尿布设置有沿着腰身开口(1a)的边缘延伸的伸缩区域(26s)、与伸缩区域(26s)的前侧左右方向中央的下方相邻的基部区域(21s)以及布置在伸缩区域(26s)下方的第一高压力区域(33s)和第二高压力区域(35s)；第一高压力区域(33s)和第二高压力区域(35s)周向地布置；在左右两端部处，第一高压力区域(33s)与第二高压力区域(35s)分开并且布置在第二高压力区域(35s)上方；在左右方向上的中央，位于后侧的第一高压力区域(33s)的下端布置在位于前侧的第一高压力区域(35s)的下端的上方。
短裤一次性尿布

[发明专利]具有压力传感器的燃料喷射器-CN201080020233.8有效
发明人： H-C·马热尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： F02M63/00 文献下载
摘要：燃料喷射器(1)，具有一高压区域(32)和一低压区域(38)，该高压区域在运行时包含处于高压下的燃料，该低压区域在运行时具有比该高压区域(32)中小的压力。在所述低压区域(38)中设有传感器(12)，一传递器件(9)如此地设置，使得该传递器件至少短暂地将对应于所述高压区域(32)中的燃料压力的力施加到所述传感器(12)上。
具有压力传感器燃料喷射器

[发明专利]移动箱变车-CN201911425420.3在审
发明人：贾东强;陈泽西;姜秀丽;肖万芳;李彬;李森;张鹏;王兴越;傅哲;孙艳飞 -专利权人：国网北京市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： B60P3/00 文献下载
摘要：其中，该移动箱变车包括：驾驶室和车厢，其中，车厢被划分为如下几个区域：高压区域、低压区域和变压器区域；高压模块，设置在高压区域，用于接入高压；低压模块，设置在低压区域，用于输出低压；变压器模块，设置在变压器区域，用于将高压模块的高压转换为低压模块的低压。
移动箱变车

[发明专利]存储器外围电路的阈值调整层的形成方法和外围电路结构-CN201810353239.5有效
发明人：许文山;田武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L27/11526 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器外围电路的阈值调整层的形成方法和外围电路结构，所述阈值调整层的形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括外围电路的高压区域；在所述衬底表面形成图形化掩膜层，所述图形化掩膜层至少暴露部分所述高压区域；以所述图形化掩膜层为掩膜，对所述高压区域进行阈值调整注入，在所述高压区域内形成阈值调整层和/或在所述高压区域表面形成高压器件的栅介质层。仅在所述高压区域形成阈值调整层，避免对其他区域器件性能造成影响。
存储器外围电路阈值调整形成方法结构

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201310122105.X有效
发明人：马旭;周维;曹亚民 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括：步骤一：提供一衬底，衬底包括高压器件区域和低压器件区域，高压器件区域和低压器件区域由浅沟槽隔开，在所述衬底上形成覆盖高压器件区域和低压器件区域的衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层和浅沟槽上形成硬掩膜层；步骤二：采用干法刻蚀去除高压器件区域上的部分硬掩膜层；步骤三：采用第一清洗液去除高压器件区域和浅沟槽交叠部分的部分厚度的浅沟槽，以使残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层暴露出来；步骤四：采用第二清洗液去除残留在高压器件区域和浅沟槽交界处的硬掩膜层采用上述半导体器件的制造方法，可以有效改善了高压器件栅氧层的形貌，从而提高高压半导体器件的可靠性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]用于内燃机的燃料喷射装置-CN200580008703.8无效
发明人：托马斯·贝克尔 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2005-01-17 - 公布日： 2007-03-21 - 主分类号： F02M55/02 文献下载
摘要：本发明涉及用于内燃机的燃料喷射装置，具有一个高压区域，该高压区域包括至少一个在其中存储处于喷射压力下的燃料的高压存储器(16)及至少一个与该高压存储器(16)连接的喷射器(20)，用于将燃料喷射到内燃机的气缸中；及具有一个低压区域，该低压区域至少间接地与燃料贮存容器(12)相连接。该高压区域具有一个根据高压区域中的燃料温度被控制的、与低压区域的连接(40)，该连接在燃料温度高时至少基本上被关闭，以使得高压区域与低压区域隔开，及在燃料温度低时该连接被打开。
用于内燃机燃料喷射装置

[发明专利]调制低胆固醇浓咖啡的系统和方法-CN200880100906.3无效
发明人：乔纳森·柯什纳 -专利权人：可口可乐公司
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： A47J31/44 文献下载
摘要：一种低胆固醇调制饮料分配器(1600)包括高压调制区域(1606)、低压区域(1614)以及过滤器(1604)。高压调制区域(1606)被设置成以相对高压来调制水和可调制材料。低压区域(1614)被定位成从高压调制区域(1606)接收调制饮料。低压区域(1614)中的压力相对低于高压调制区域(1606)中的压力。过滤器(1604)被定位在低压区域(1614)中。
调制胆固醇浓咖啡系统方法

[发明专利]一种桥臂开关管的驱动电路、驱动电路及功率变换器-CN202110753639.7有效
发明人：彭兴强;董少青;文静 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种桥臂开关管的驱动电路、驱动电路及功率变换器，桥臂开关管包括第一开关管和第二开关管；第一开关管的第一端连接电源，第一开关管的第二端连接第二开关管的第一端，第二开关管的第二端接地；驱动电路包括：低压区域、至少两个隔离环隔离出的至少两个高压区域，至少两个高压区域包括第一高压区域和第二高压区域；第一高压区域对应第一电压域，第二高压区域对应第二电压域，第一电压域的电压和第二电压域的电压不同；低压区域设置用于驱动第二开关管的半导体器件；第一高压区域和第二高压区域分别设置P型半导体器件，P型半导体器件用于驱动第一开关管。该方案实现高压区域中不同电压域的P型半导体器件的隔离，避免干扰。
一种开关驱动电路功率变换器

[实用新型]一种简单实用的高低压接点信号传输电路-CN201920545492.0有效
发明人：陈亮;王永华 -专利权人：陕西蓝河电气工程有限公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H04B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种简单实用的高低压接点信号传输电路，当高压区域测控装置发出接点信号时，高压区域测控装置发出指令，控制继电器接点闭合1500ms，通过继电器接点的闭合，在高压区域主回路中引入负载电阻，高压区域主回路中的电流发生突变，持续时间也为1500ms，低压区域通过高压隔离变压器与高压区域连接，此时，低压区域主回路中的电流信号也发生突变，持续时间也为1500ms，低压区域测控装置根据电流互感器及电压取样电阻采集的信号，发出高压区域的接点信号
高压区域测控装置低压区域接点信号主回路信号传输电路高低压接点突变高压隔离变压器电压取样电阻本实用新型电流互感器继电器接点抗干扰能力控制继电器主回路电流电流信号发出指令负载电阻高可靠性接点闭合闭合采集传输引入

[发明专利]一种半导体器件以及制备方法、电子装置-CN201610018229.7有效
发明人：由云鹏;刘辉;孟令成 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，半导体衬底包括高压器件区域和低压器件区域，在高压器件区域上形成有图案化的高压栅极氧化物层；步骤S2：在低压器件区域上和高压栅极氧化物层的两侧形成低压栅极氧化物层；步骤S3：在低压栅极氧化物层上形成低压栅极结构及其间隙壁，同时形成高压栅极结构及其间隙壁，其中在高压器件区域中所述间隙壁和高压栅极结构的关键尺寸之和等于高压栅极氧化物层的关键尺寸；步骤S4：在所述高压器件区域和所述低压器件区域形成金属硅化物阻挡层并图案化；步骤S5：去除露出的所述低压栅极氧化物层；步骤S6：在所述区域和所述高压栅极结构上形成自对准硅化物。
一种半导体器件以及制备方法电子装置

[发明专利]一种高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路-CN201710631962.0有效
发明人：郑泽人;王艳颖;张辉;周乐 -专利权人：华润微电子（重庆）有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路，所述制备方法包括：于p型硅衬底形成高压n阱区域；于高压n阱区域的一侧形成p型体区；于高压n阱区域的另一侧形成n型扩散区域；于p型体区上形成第一p+和第一n+区域；于n型扩散区域上依次形成第二n+、第二p+、第三n+和第三p+区域，第二n+、第二p+、第三n+、第三p+区域与高压n阱区域及p型体区组成达林顿管；及于p型体区和高压n阱区域上形成第一栅氧层和第一多晶硅层，于高压n阱区域及n型扩散区域上形成第二栅氧层和第二多晶硅层。通过本发明的高压ESD器件结构的制备方法、结构及其应用电路，解决了现有ESD器件结构的电流泄放能力较弱的问题。
一种高压 esd 器件结构制备方法及其应用电路

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