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[发明专利]膜电容器用高介电性膜形成组合物-CN200980152187.4无效
发明人：横谷幸治;太田美晴;立道麻有子;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/20 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜不仅以高填充率配合高介电性无机颗粒，而且能够抑制电绝缘性降低，其是通过成形膜电容器用高介电性膜形成组合物而得到的，该膜电容器用高介电性膜形成组合物含有热塑性树脂(A)和以电容率(20℃、1kHz)10以下的低介电性化合物(b2)对电容率(20℃、1kHz)100以上的高介电性无机颗粒(b1)的表面进行表面处理而得到的表面处理高介电性无机颗粒(B)。
电容器用高介电性膜形成组合

[发明专利]肿瘤电场治疗系统及其电极片-CN202111580040.4在审
发明人：张军;孙虎;于晶;陈晟;沈琪超 -专利权人：杭州海莱新创医疗科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种肿瘤电场治疗系统及其电极片，电极片包括多个分布在至少呈三行四列阵列区域内的高介电片、多个位于相邻高介电片之间的连接部以及一将所有高介电片电性连接的接线部，每个高介电片均通过连接部连接与其相邻的至少两个高介电片，多个高介电片之间呈间隔状设置以形成有多个位于高介电片之间并允许患者体表湿气逸出的开放空间，多个高介电片至少为10个，多个高介电片中至少有一相邻的两高介电片之间呈断开状设置。
肿瘤电场治疗系统及其电极

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210220319.X在审
发明人：侯承浩;张哲豪;李达元;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括在第一半导体区域上方沉积第一高介电常数介电层，在第一高介电常数介电层上执行第一退火制程，在第一高介电常数介电层上方沉积第二高介电常数介电层；以及在第一高介电常数介电层及第二高介电常数介电层上执行第二退火制程
半导体装置及其形成方法

[发明专利]膜电容器用膜和膜电容器-CN200980152188.9有效
发明人：立道麻有子;太田美晴;横谷幸治;小松信之;向井惠吏;高明天 -专利权人：大金工业株式会社
申请日： 2009-12-21 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01G4/18 文献下载
摘要：本发明在于提供一种膜电容器用高介电性膜，该膜电容器用高介电性膜薄而机械强度优异，能够以高填充率在介电性树脂中配合高介电性无机颗粒，其中，在热塑性树脂(A)中分散有橡胶颗粒(B)，更优选分散有高介电性无机颗粒
电容器用电容器

[发明专利]栅极介电材料的形成方法-CN201810077949.X在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;李承翰;潘正扬;张世杰;王俊杰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：栅极介电材料的形成方法包括：形成高介电常数的介电材料于基板上的第一区中，其中形成高介电常数的介电材料的步骤包括：形成第一介电层于基板上，且第一介电层包括铪；以及形成第二介电层于第一介电层上，且第二介电层包括镧
介电层栅极介电材料高介电常数介电材料基板第一区

[发明专利]一种高介电液晶高分子复合材料及其制备方法-CN202210866776.6有效
发明人：于冉;张东宝;徐良;乐泽伟;陈荣强;张建;邵彩萍 -专利权人：宁夏清研高分子新材料有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08L101/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种高介电液晶高分子复合材料及其制备方法，属于高分子材料技术领域，所述高介电液晶高分子复合材料主要包括以下组分：液晶聚合物；聚(偏二氟乙烯‑co‑六氟丙烯)；改性多壁碳纳米管；以及改性介电陶瓷该高介电液晶高分子复合材料采用聚(偏二氟乙烯‑co‑六氟丙烯)、改性多壁碳纳米管以及改性介电陶瓷与液晶聚合物进行复合，不同填料间起到了明显的协同增强的作用，得到兼具高介电和低介电损耗的液晶高分子复合材料，有效解决了现有高介电高分子复合材料存在介电损耗高的技术问题。
一种高介电液晶高分子复合材料及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201711278787.8有效
发明人：郑兆钦;云惟胜;陈奕升;余绍铭;陈自强;叶致锴 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-06 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：I/O器件包括第一栅极结构，第一栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第一高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第一高k介电堆叠件上方并且与第一高k介电堆叠件物理接触。核心器件包括第二栅极结构，第二栅极结构具有：界面层；在界面层上方的第二高k介电堆叠件；以及导电层，导电层在第二高k介电堆叠件上方并且与第二高k介电堆叠件物理接触。第一高k介电堆叠件包括第二高k介电堆叠件和第三介电层。本发明实施例还提供一种制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200510079342.8有效
发明人：王志豪;蔡庆威;陈尚志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其目的在于揭示一种具有高介电值栅极介电层的金属氧化物半导体晶体管的制程及设备。首先为提供一基底，一高介电值栅极介电层材料沉积覆盖该基底，一栅极电极层沉积覆盖该介电层材料，以及进行一图形化步骤，以制造栅极及介电层的侧壁，移除基底的一部分。侧壁材料沉积覆盖于图形化的栅极电极及介电层，以制造图形化栅极电极及介电层的侧壁保护层，延伸侧壁保护层以连接介电层底部。在另一实施例中，沉积一沟道材料，邻接于高介电值栅极介电层，以及进行一图形化步骤，移除高介电值栅极介电层下方至少一部分沟道材料。在另一实施例中，沟道材料为反向沉积。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]介电质膜高反射镜-CN202222874482.6有效
发明人：吴茂;杨建文 -专利权人：伯恩光学（惠州）有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及光学薄膜技术领域，具体公开了一种介电质膜高反射镜，包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全介电质低折射率膜层和若干全介电质高折射率膜层的反射膜，全介电质低折射率膜层的折射率小于1.55，全介电质高折射率膜层的折射率大于2，单个全介电质低折射率膜层和单个全介电质高折射率膜层的厚度分别为2‑200nm，反射膜的厚度为1300‑3000nm。上述介电质膜高反射镜采用介电质低折射率膜层和介电质高折射率膜层交替堆叠设置，光束在各膜层界面反射回前表层的光产生相长干涉，反射率提高；各膜层均由全介电质材料成型，不含单质金属层，避免了氧化和受潮问题，延长了介电质膜高反射镜的使用寿命
质膜反射

[发明专利]一种半导体器件及其制作方法-CN201610239362.5在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，该制作方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成高K栅极介电层；对所述高K栅极介电层进行第一退火处理，以去除所述高K栅极介电层中的杂质；对所述高K栅极介电层进行氧化退火处理，以填充所述高K栅极介电层中的氧空穴和悬挂键。根据本发明的制作方法，首先采用氮气退火处理去除高k介电层中的杂质，再通过氧化退火处理填充高K栅极介电层中的氧空穴和悬挂键，以改善高K栅极介电层的膜质量，进而提高器件的可靠性和性能。
一种半导体器件及其制作方法

[实用新型]肿瘤电场治疗系统及其电极片-CN202123244849.8有效
发明人：张军;孙虎;于晶;陈晟;沈琪超 -专利权人：杭州海莱新创医疗科技有限公司
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： A61N1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种肿瘤电场治疗系统及其电极片，电极片包括呈网格状设置的柔性电路板、多个分布在柔性电路板至少呈三行四列阵列区域内的高介电片以及一将所有高介电片电性连接的接线部，多个高介电片分布在柔性电路板的网格节点处，每个高介电片均与其相邻的至少两个高介电片电性连接，多个高介电片之间呈间隔状设置以形成多个位于高介电片之间并允许患者体表湿气逸出的开放空间，多个高介电片中至少有一相邻的两高介电片之间呈断开状设置，接线部穿过呈断开状设置的两相邻高介电片之间的区域
肿瘤电场治疗系统及其电极

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201610876433.2在审
发明人：邓志霖;蔡荣训;郑凱方;黄心岩;陈海清;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，包括于基板上形成多个高介电系数金属栅极结构。高介电系数金属栅极结构被多个间隙所隔开。高介电系数金属栅极结构各包含第一介电层于高介电系数金属栅极结构的上表面。于高介电系数金属栅极结构上且于第一导电材料上形成金属氧化层。于金属氧化层上形成第二介电层。在第二介电层中蚀刻开口。开口被蚀刻贯穿第二介电层且贯穿金属氧化层。以第二导电材料填充开口。
制造半导体装置方法

[发明专利]一种基于介电高弹体驱动的管道爬行折纸机器人-CN202210540641.0有效
发明人：刘杰;李志勇;文桂林;杨中杰 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-05-17 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： F16L55/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于介电高弹体驱动的管道爬行折纸机器人，其通过在Kresling折纸结构的两侧对称设有旋转式介电高弹体驱动器和介电高弹体锚定器，旋转式介电高弹体驱动器和介电高弹体锚定器粘连后连接在Kresling折纸结构的两侧，位于Kresling折纸结构一侧的介电高弹体锚定器上安装有微型电源与微型高压放大器，并与每个旋转式介电高弹体驱动器和介电高弹体锚定器电连接。该机器人通过介电高弹体锚定器的伸展与收缩实现锚定和解锚，从该改变与管壁的接触面积，其爬行方式采用旋转式介电高弹体驱动器与Kresling折纸机构配合使整个机器人完成伸展与收缩运动，通过微型电压和微型高压放大器不仅可提供高压电
一种基于介电高弹体驱动管道爬行折纸机器人

[发明专利]半导体装置-CN202011392773.0在审
发明人：林大钧;潘国华;廖忠志;吴显扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：输入/输出装置包括第一栅极结构，其具有界面层；第一高介电常数的介电堆叠，位于界面层上；以及导电层，位于第一高介电常数的介电堆叠上并与其物理接触。核心装置包括第二栅极结构，其具有界面层；第二高介电常数的介电堆叠，位于界面层上，以及导电层，位于第二高介电常数的介电堆叠上并与其物理接触。第一高介电常数的介电堆叠包括第二高介电常数的介电堆叠与第三介电层。
半导体装置

[发明专利]具有高K栅极介电层的半导体器件及其制造方法-CN201110350730.0在审
发明人：李昆育;姚亮吉;奥野泰利;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-08 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明涉及的是集成电路制造，并且更具体地涉及的是带有高k栅极介电层的半导体器件。用于半导体器件的示例性的结构包括衬底和设置在该衬底上方的栅极结构。该栅极结构包括介电部分和设置在该介电部分上方的电极部分，并且该介电部分包括在衬底上的碳掺杂的高k介电层以及与电极部分相邻的无碳的高k介电层。本发明还提供具有高k栅极介电层的半导体器件的制造方法。
具有栅极介电层半导体器件及其制造方法