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[实用新型]具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构-CN201921038438.3有效
发明人：郭小勇;易治凯;汪涛 -专利权人：江苏爱康能源研究院有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及的一种具有双层非晶硅本征层的异质结太阳能电池结构，它包括硅衬底，所述硅衬底的正面和背面均设有第一非晶硅本征层；所述硅衬底和第一非晶硅本征层之间设有第二非晶硅本征层，所述第二非晶硅本征层采用二氧化碳和纯硅烷进行沉积，所述第一非晶硅本征层的外侧设有非晶硅掺杂层，所述非晶硅掺杂层的外侧设有TCO导电膜，所述TCO导电膜的外侧设有若干Ag电极。本实用新型有效的避免了非晶硅薄膜的外延生长，减少硅表面缺陷，保证本征非晶硅薄膜的钝化效果，提升异质结太阳能电池性能。
具有双层非晶硅异质结太阳能电池结构

[发明专利]非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法-CN201210529317.5有效
发明人：杨瑞鹏;韩启成;刘祥超;吴佩莲;杨振凯 -专利权人：杭州赛昂电力有限公司
申请日： 2012-12-06 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法，所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法包括：提供基板；在所述基板的表面形成第一电极层；在所述第一电极层表面形成第一掺杂类型非晶硅层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成第一应力层，并进行退火处理，所述第一应力层的应力类型与第一掺杂类型非晶硅层的掺杂类型相对应；去除所述第一应力层；在所述第一掺杂类型非晶硅层表面形成本征非晶硅层；在所述本征非晶硅层表面形成第二掺杂类型非晶硅层；在所述第二掺杂类型非晶硅层表面形成第二电极层所述非晶硅薄膜太阳能电池的制作方法，能够提高非晶硅薄膜太阳能电池的效率。
非晶硅薄膜太阳能电池及其制作方法

[发明专利]非晶硅的成膜方法-CN201811053728.5有效
发明人：刘善善;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅的成膜方法，包括步骤：步骤一、提供一半导体衬底，对半导体衬底表面进行预热；步骤二、将所需厚度的非晶硅层分成两层以上的非晶硅子层；步骤三、依次采用CVD沉积工艺形成各非晶硅子层且在各非晶硅子层之间插入等离子体预处理的步骤；各非晶硅子层都采用硅烷分解形成，在硅烷分解过程中会形成SiH键组成的稳定组态，通过控制非晶硅子层的厚度防止SiH键在非晶硅子层的体内积聚，结合非晶硅子层之后的等离子体预处理将非晶硅子层的SiH键的氢原子从表面释放，最后防止由各非晶硅子层叠加形成的非晶硅层产生汽泡状隆起及薄膜脱落缺陷。
非晶硅方法

[发明专利]氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法-CN201310573301.9无效
发明人：王相虎 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种氢化非晶硅纳米线阵列的制备方法，包括：氢化非晶硅薄膜制备步骤，用于在玻璃衬底上制备氢化非晶硅薄膜；氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤，用于利用化学腐蚀方法将氢化非晶硅薄膜制备成氢化非晶硅纳米线阵列。在氢化非晶硅薄膜制备步骤中，首先对玻璃衬底进行清洗；然后将清洗过的玻璃衬底放进磁控溅射设备中，利用磁控溅射设备在玻璃衬底上面制备氢化非晶硅薄膜。在氢化非晶硅纳米线阵列制备步骤中，首先利用耐强酸树脂将未形成氢化非晶硅薄膜的衬底背面、以及氢化非晶硅薄膜周围密封，仅裸露形成有氢化非晶硅薄膜的面，然后浸入H2SO4和H2O2的混合溶液中，再浸入HF溶液中去除表面氧化物
氢化非晶硅纳米阵列制备方法

[实用新型]一种非晶硅薄膜太阳能电池-CN201820466326.7有效
发明人：李士刚;杨成涛;马训振;周丹丹;戚运东;马海庆;孟庆凯 -专利权人：山东海慧新能源科技有限公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型所提供的一种非晶硅薄膜太阳能电池，在镀有TCO膜的前板衬底上设置叠层电池层；在叠层电池层上设置缓冲层；在缓冲层上设置背电极层；叠层电池层分为三层，第一层为高氢稀释比的非晶硅层；第二层为非晶硅本征层；第三层为非晶硅锗层。为了提高非晶硅转换效率，在非晶硅发电层采用非晶硅层/非晶硅本征层/非晶硅锗层叠层电池三层结构，降低非晶硅发电层的厚度，拓宽了材料的带隙范围，极大的降低了非晶硅电池的衰减速率，有效提升非晶硅电池效率。
叠层电池非晶硅缓冲层非晶硅薄膜太阳能电池非晶硅本征层本实用新型非晶硅电池背电极层非晶硅层发电层非晶硅锗层非晶硅锗三层结构有效减少转换效率层叠层第三层第一层短波段高能量入射光稀释比衬底带隙高氢前板三层衰减电池

[发明专利]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201810713687.1在审
发明人：杨振英;卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N+层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本发明的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[实用新型]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池-CN201821040332.2有效
发明人：卢刚;王海;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;王旭辉 -专利权人：黄河水电光伏产业技术有限公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司;国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司;青海黄河上游水电开发有限责任公司
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N⁺层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层本实用新型的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。
本征非晶硅背面背接触钝化层异质结本实用新型光电转换效率绝缘隔离层基体正面减反层接触层沉积掺杂

[发明专利]非晶硅转印靶材的重复利用方法-CN202010804334.X在审
发明人：沈梦超;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种非晶硅转印靶材的重复利用方法，非晶硅转印靶材经非晶硅转印工艺使用后，先将载板表面残留的非晶硅清除掉，再通过低压化学气相沉积工艺在载板表面沉积非晶硅层。本发明能对经非晶硅转印工艺使用后的非晶硅转印靶材进行重复利用。
非晶硅转印靶材重复利用方法

[发明专利]带半球形晶粒的电容器下电极的制造方法-CN98124482.3无效
发明人：藤原秀二;广田俊幸 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-11-11 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种控制HSG的均匀形成和防止杂质耗尽的大容量电容器的制造方法，其步骤是：形成连接到半导体衬底上的下电极形成区域的第一非晶硅层；在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层；在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；腐蚀部分第一非晶硅层和部分第三非晶硅层并露出它们；在第一非晶硅层和第三非晶硅层的表面上形成微小的半球形晶粒(HSG)；以及通过退火将杂质扩散到HSG内由此形成下电极。
半球形晶粒电容器电极制造方法

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN201210178442.6无效
发明人：新田秀和;大仓理;海东拓生;松本克巳 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
显示装置制造方法

[发明专利]被覆件及其制造方法-CN201010551110.9无效
发明人：张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;张满喜 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供一种被覆件，包括铝或铝合金基体、依次形成于该铝或铝合金基体上的非晶合金层及具有防腐蚀功能的颜色层，该非晶合金层为Fe70Cr10B13X7层，其中，X选择磷、碳及硅中的任一种。
被覆及其制造方法

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[发明专利]HBC光伏电池及其制作方法-CN202211576806.6在审
发明人：钱锋;姚飞;廖运华;宋银海;贾银海;王小东 -专利权人：东莞帕萨电子装备有限公司
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明公开一种HBC光伏电池及其制作方法，包括玻璃基板，所述玻璃基板的表面设有N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层，所述N+型非晶硅层与所述P+型非晶硅层呈间隔交替地布置；所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层内分别设有金属电极；所述玻璃基板的表面设有非晶硅本征层，且所述非晶硅本征层覆盖于所述N+型非晶硅层以及P+型非晶硅层上；所述非晶硅本征层的表面设有掺杂型晶体硅层以及与所述掺杂型晶体硅层的掺杂类型相同的高浓度掺杂型晶体硅层；所述掺杂型晶体硅层为N型晶体硅层或P型晶体硅层；所述高浓度掺杂型晶体硅层为N+型晶体硅层或P+型晶体硅层。
hbc 电池及其制作方法

[实用新型]一种高效晶硅非晶硅异质结电池结构-CN201721705708.2有效
发明人：白焱辉;李高非;王继磊;易治凯;黄金;张娟 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池结构及其制备方法。它包括硅衬底层以及硅衬底层上层的上本征非晶硅层和硅衬底层下层的下本征非晶硅层，上本征非晶硅层的上层由下往上依次设置有受光面第一掺杂非晶硅层、受光面第二掺杂非晶硅层和上TOC层，下本征非晶硅层的下层由上往下依次设置有第三掺杂非晶硅层和下采用上述的结构和方法后，由于设置的两层受光面掺杂非晶硅层并且通过在制备过程中通过调整工艺参数实现受光面双掺杂非晶硅层，使其膜层同时具有优异的光学性能和电学性能，由此在不影响HJT电池受光面掺杂非晶硅导电性的情况下，提高了该掺杂非晶硅层的带隙，提高了光的利用率，从而了提高HJT电池的光电转换效率。
掺杂非晶硅层本征非晶硅层受光面硅衬底层异质结电池依次设置非晶硅下层上层光电转换效率导电性本实用新型掺杂非晶硅电池受光面电学性能非晶硅层光学性能制备过程双掺杂带隙晶硅两层膜层制备种晶电池

[发明专利]一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201911206365.9在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;张娟;高勇;白星亮;黄金;杨骥;任法渊;贾慧君 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池，包括硅层衬底、设置在硅层衬底正面的本征非晶硅层一以及设置在硅层衬底背面的本征非晶硅层二；所述本征非晶硅层二的背面依次设置有掺杂非晶硅层A和TCO层一，还包括：受光面掺杂层和TCO层二，所述受光面掺杂层设置在所述本征非晶硅层一的正面，所述TCO层二设置在所述受光面掺杂层的正面；所述受光面掺杂层至少包括掺杂非晶硅层B和掺杂微晶硅层。本发明制备的高效晶硅/非晶硅异质结太阳能电池在减小HJT电池受光面非晶硅寄生吸收的同时，也提高受光面非晶硅层的导电性，膜层同时具有优异的光学性能和电学性能。
一种高效非晶硅异质结太阳能电池及其制备方法