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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有空穴选择钝化结构的晶硅/钙钛矿叠层太阳电池-CN202110973198.1在审
发明人：沈文忠;丁东;李正平;高超;裴骏 -专利权人：上海交通大学;江苏林洋光伏科技有限公司
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种具有空穴选择钝化结构的晶硅/钙钛矿叠层太阳电池，包括：作为底电池的n型晶硅TOPCon结构、作为顶电池的钙钛矿结构以及作为中间层的透明导电薄膜，其中n型晶硅TOPCon结构包括以下任意一种结构：①依次设置的背金属电极、氢化氮化硅、磷掺杂多晶硅、隧穿氧化硅、n型晶硅、隧穿氧化硅和硼掺杂薄多晶硅，或②依次设置的背金属电极、氢化氮化硅、磷掺杂多晶硅、隧穿氧化硅、n型晶硅、本征非晶硅和硼掺杂非晶硅。
具有空穴选择钝化结构钙钛矿叠层太阳电池

[发明专利]新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法-CN201910716432.5有效
发明人：单丹;周寿斌;唐明军;杨瑞洪;曹蕴清;钱松;陈雪圣 -专利权人：扬州工业职业技术学院
申请日： 2019-08-05 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明公开的一种新型纳米结构薄膜太阳能电池，包括从下至上依次叠加的石英或玻璃衬底、Al电极、磷掺杂非晶硅薄膜、碳化硅薄膜界面层、硼掺杂纳米硅薄膜、石墨烯层以及Au电极。利用谐振腔机制增强p型纳米硅/n型非晶硅异质结中的光吸收，从而提高器件光电性能。本发明所提供的石墨烯/p型纳米硅/n型非晶硅异质结结构的平面薄膜太阳能电池与传统的硅基薄膜太阳能电池相比，生产成本可节约30%。该电池的设计制备工艺简单、材料消耗低，在生产过程中避免了高温烧结处理，大大降低了硅基薄膜太阳能电池的生产能耗，可有效地降低传统硅基薄膜太阳能电池的生产成本。
新型纳米结构薄膜太阳能电池及其制备方法

[发明专利]绿色高效N型单晶硅异质结电池技术-CN202111365941.1在审
发明人：宋太伟 -专利权人：上海日岳新能源有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明专利，绿色高效N型单晶硅异质结电池技术，是一种工艺简单可靠且量产生产线设备成本极低的N型单晶硅异质结光伏电池技术。该绿色高效的N型单晶硅异质结电池，主要由N型单晶硅、正面高浓度掺磷非晶硅层、正面氧化物钝化层、正面减反透明导电膜层、正面银栅线阴极、背面高浓度掺硼非晶硅层、背面氧化物钝化层、背面薄金属或合金层、背面氧化物层
绿色高效单晶硅异质结电池技术

[发明专利]电容器制作方法-CN200910056280.7有效
发明人：罗飞;邹立 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种电容器制作方法，包括：提供层间介质层以及贯穿所述层间介质层的互连结构；在所述层间介质层上依次沉积刻蚀阻挡层，第一绝缘层；对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层；在磷掺杂的中间绝缘层上形成第二绝缘层；依次刻蚀所述第二绝缘层，磷掺杂的中间绝缘层，第一绝缘层形成沟槽；刻蚀所述沟槽，使沟槽宽度增加，并使沟槽底部宽度接近沟槽顶部的宽度；去除所述刻蚀阻挡层；在所述沟槽内壁依次沉积掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；进行高温退火；在所述沟槽内壁形成位于非掺杂多晶硅层上的半球状多晶硅颗粒；依次沉积介电层，上电极。
电容器制作方法

[发明专利]硅异质结太阳电池的制备方法-CN202211590881.8在审
发明人：宿世超;王伟;田宏波;李世岚;宫元波 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提出一种硅基异质结太阳电池的制备方法，该方法包括：对硅片进行制绒处理，并将完成制绒处理的硅片置于硝酸溶液中进行氧化；将完成氧化的硅片置于氢氟酸和硝酸的混合液中，以对硅片背面的金字塔陷光结构进行抛光；抛光完成后，在硅片正面依次沉积本征非晶硅层和磷掺杂的n型非晶硅层，并在硅片背面依次沉积本征非晶硅层和硼掺杂的p型非晶硅层；在硅片的正背面均沉积一层透明导电薄膜，并在硅片背面的透明导电薄膜的表面沉积一层导电金属层本发明提出的硅基异质结太阳电池的制备方法，能够降低传统异质结太阳电池的制作成本，同时提高其发电转化效率。
硅异质结太阳电池制备方法

[发明专利]异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法-CN202211621931.4在审
发明人：宿世超;王伟;刘刚 -专利权人：国家电投集团新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明涉及异质结太阳能电池技术领域，具体公开了一种异质结太阳能电池和制备异质结太阳能电池的方法，其中，异质结太阳能电池包括N型晶体硅片；N型晶体硅片的受光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、磷掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；背光面依次叠设氧化硅层、本征非晶硅层、硼掺杂非晶硅层、TCO导电薄膜层、副栅线、隔离薄膜层及主栅线；隔离薄膜层完全覆盖所述副栅线，所述隔离薄膜层包括第一隔离薄膜子层
异质结太阳能电池制备方法

[实用新型]一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池结构-CN201420484376.X有效
发明人：周洪彪;汪已琳;刘文峰 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种全背电极N型晶硅异质结太阳电池结构，它包括N型硅基底（1），在N型硅基底（1）的前表面上由里至外依次有纳米绒面层（2）、N⁺型磷浅扩散晶硅层（4）以及SiOx钝化/SiNx减反层（5）；N型硅基底（1）的背面分为P区（12）、N区（11）和位于P区（12）、N区（11）之间的开膜区（10）；所述P区（12）从上到下包括本征非晶硅薄膜层（6）、p型非晶硅薄膜层（7）、透明导电薄膜层（8）和背电极层（9）；所述N区（11）从上到下包括N⁺⁺型磷重扩散晶硅层（3）、透明导电薄膜层（8）以及背电极层（9）。
一种电极型晶硅异质结太阳电池结构

[发明专利]一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法-CN202210453892.5有效
发明人：罗英;陈家荣 -专利权人：贵州民族大学
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K11/59 文献下载
摘要：本发明提出了一种磷掺杂增强硅纳米晶发光强度的方法，将磷量子点滴涂在衬底上，通过真空干燥除去溶液中的溶剂，通过热蒸发方法将SiO、Si交替沉积到含有磷的衬底上，将制备好的含磷SiO/Si多层薄膜放入退火炉中，在惰性气氛下退火，生成镶嵌在SiO2基质中的磷掺杂硅纳米晶薄膜。本发明通过在硅纳米晶中引入磷原子，钝化界面悬挂键，减少非辐射复合中心，增强了硅纳米晶的发光强度；磷掺杂的硅纳米晶发光强度相比纯硅纳米晶提升了近一个数量级，在光电子器件方面具有很大的潜在应用价值；同时由于用热蒸发制备掺杂薄膜工艺简单且沉积薄膜质量相对较好，稳定性强，因而制备得到的磷掺杂硅纳米晶薄膜有望应用于电子器件领域。
一种掺杂增强纳米发光强度方法

[发明专利]锂离子电池及其电解液-CN201710728298.1在审
发明人：史松君;湛英杰;王耀辉;谢岚;王珂 -专利权人：宁德时代新能源科技股份有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明公开了一种锂离子电池及其电解液，电解液包括非水有机溶剂、锂盐和添加剂，其中，非水有机溶剂含有甲酯类化合物，添加剂包括磺酸内酯化合物和硅氧磷酯类化合物。相对于现有技术，本发明锂离子电池及其电解液中甲酯类化合物、磺酸内酯化合物和硅氧磷酯类化合物能够协同作用，可显著改善锂离子电池的过充性能，提高电池的安全性能；同时，还能改善锂离子电池的循环性能。
锂离子电池电解液非水有机溶剂甲酯类化合物磺酸内酯磷酯类硅氧添加剂安全性能过充性能循环性能锂盐电池

[发明专利]一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法-CN201910474322.2有效
发明人：张树德;钱洪强;李跃;连维飞;魏青竹;倪志春;鲁科;杨智 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种P型钝化接触晶体硅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池技术领域。该方法包括提供P型硅片；在硅片的背面生成氧化硅层；在氧化硅层上沉积非晶硅层；在非晶硅层上涂覆硼浆并烘干，以在非晶硅层上形成含硼阻挡层；对硅片进行热处理，热处理包括依次连续进行的第一热处理、第二热处理和第三热处理通过将非晶硅晶化、硼扩散和磷扩散三个独立进行的高温处理工序整合为一个工序，简化了制备工艺，能够提高电池良率，缩短生产周期，提高产能。
一种钝化接触晶体太阳能电池制备方法

[发明专利]一种选择性钝化接触电池及其制备方法-CN202210680656.7在审
发明人：徐卓;王红芳;王平;张文辉;李锋;史金超;于波 -专利权人：英利能源发展有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。
一种选择性钝化接触电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结太阳能电池的制备工艺-CN202011262587.5在审
发明人：黄金;王继磊;杨立友;贾慧君;白焱辉;鲍少娟;任法渊;杨骥;李文敏;刘学飞 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池的制备工艺，包括如下步骤：对硅片进行磷吸杂处理，在硅片正背表面沉积形成磷扩散层，然后通过酸刻蚀去除磷扩散层；通过碱溶液对硅片表面进行清洗，形成硅片表面的织构化；在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层；在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极；固化金属电极；测试分选。
一种异质结太阳能电池制备工艺

[发明专利]一种高效异质结太阳能电池的制备工艺-CN202011265034.5在审
发明人：黄金;王继磊;杨立友;贾慧君;白焱辉;鲍少娟;张永前;冯乐;杨文亮;刘学飞 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效异质结太阳能电池的制备工艺，包括如下步骤：用碱液对硅片进行抛光处理；对硅片进行高温及磷吸杂处理，在硅片正背表面沉积形成磷扩散层；通过碱溶液去除磷扩散层，形成硅片表面的织构化；在织构化的硅片正背面沉积非晶硅薄膜层；在非晶硅薄膜层上正背面沉积导电薄膜层；在导电薄膜层上正背面覆盖金属电极；固化金属电极；测试分选。
一种高效异质结太阳能电池制备工艺

[发明专利]一种去除正面多晶硅绕镀的方法-CN202010163577.X有效
发明人：陈嘉;展士飞;陈程;邱军辉;陆佳;刘志锋;林建伟 -专利权人：泰州中来光电科技有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种去除正面多晶硅绕镀的方法。包括：(1)、对硅片正面进行硼扩散，形成p+发射极、正面硼硅玻璃层；(2)、刻蚀硅片背面，将背面刻蚀成平面，去除背面和四周硼掺杂层、硼硅玻璃层，去除正面硼硅玻璃层；(3)、在硅片背面生长隧穿氧化层和本征非晶硅层，在硅片正面边缘区域形成正面绕镀多晶硅层；(4)、在本征非晶硅层上离子注入，形成磷硅玻璃层，并退火，形成掺磷多晶硅层；(5)、在掺磷多晶硅层上镀氮化硅层；(6)将硅片置于碱与单晶添加剂的混合溶液中，去除正面绕镀多晶硅层本发明可以很好地控制碱绕镀溶液中碱液和绕镀多晶硅的反应速率，增加反应窗口。
一种去除正面多晶硅绕镀方法

[发明专利]一种背面点接触晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201510915597.7在审
发明人：孙海平;刘仁中;王海超;张斌 -专利权人：合肥海润光伏科技有限公司
申请日： 2015-12-09 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种背面点接触晶体硅太阳能电池，从正面至反面依次包括正面电极、氮化硅减反膜、磷扩散层、P型硅基体、复合钝化层、背面非烧穿型铝层和烧穿型局域铝层，其中所述复合钝化层为SiNx，SiOx或TiOx，所述磷扩散层方阻阻值为20-150ohm/sq。
一种背面点接触晶体太阳能电池及其制备方法

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