[发明专利]光生伏打装置有效

申请号：	200510105632.5	申请日：	2005-09-28
公开（公告）号：	CN1755949A	公开（公告）日：	2006-04-05
发明（设计）人：	寺川朗	申请（专利权）人：	三洋电机株式会社
主分类号：	H01L31/04	分类号：	H01L31/04
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层。利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
搜索关键词：	光生伏打装置
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【主权项】：

1、一种光生伏打装置，其特征在于，具有：晶体系列半导体基板；设置在该晶体系列基板上的含有氢的实质本征非晶体系列半导体薄膜层；设置在该本征非晶体系列半导体薄膜上的含有氢的进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层；和设置在所述进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层和所述本征非晶体系列半导体薄膜层之间，抑制氢从所述本征非晶体系列半导体薄膜层向所述进行了价电子控制的非晶体系列半导体薄膜层扩散的氢扩散抑制区域。

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太阳能电池检查方法以及检查装置-201180028243.0
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摘要：本发明涉及其中使用导电浆料来同时印刷母线电极和指状电极的太阳能电池的丝网印刷板，该丝网印刷板的特征在于：丝网印刷板的指状电极开口的开口宽度小于80μm，并且丝网印刷板的母线电极开口具有封闭部分。该丝网印刷板的使用使得有可能降低制造太阳能电池的成本，防止在母线电极与指状电极之间的连接部分断裂，从而不导致屏蔽损耗的增加或者太阳能电池的美学品质，以及以高生产率来制造高可靠性的太阳能电池。

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摘要：本发明主要目的系一种新型高压制程高附着之钼背电极用于铜铟镓硒太阳能电池，此技术方法于使用真空溅镀法在高压下制作高附着性之钼背电极，其目的在于大幅增加铜铟镓硒太阳能电池的质量及生产良率，且提高铜铟镓硒太阳能电池的短路电流，进而达到生产成本降低及高效率之铜铟镓硒太阳能电池。

图案形成方法以及太阳能电池的制造方法-201180065179.3
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发明人：滨口恒夫;薮垣良美;越前谷大介;宫本慎介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/04
摘要：在太阳能电池模块中，在作为太阳能电池元件（1）的受光面（1a）的第一面上遍及整体地形成多个细的线状的细线电极（2a），在作为太阳能电池元件（1）的背面（1b）的第二面上形成背面集电电极（2b），在细线电极（2a）和背面集电电极（2b）上分别连接将电力取出的配线构件（5）。细线电极（2a）和配线构件（5）由钎料接合，由热硬化性树脂覆盖钎料接合部的沿着配线构件（5）的长边方向的侧面，在除细线电极（2a）以外的区域，配线构件（5）和第一面由热硬化性树脂粘结。配线构件（5）和细线电极（2a）以足够的机械接合强度以及高的接合可靠性接合。

光电转换元件以及具备该元件的太阳电池-201180059140.0
发明人：河野哲夫;加贺洋史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/04
摘要：本发明提供一种包括可大致一样地被覆基底层的缓冲层且光电转换效率的面内均一性高的光电转换元件。本发明的光电转换元件是在基板（10）上依序积层着下部电极层（20）、光电转换半导体层（30）、缓冲（40）层、及透光性导电层（50）的光电转换元件（1），该光电转换半导体层（30）以包含Ib族元素、IIIb族元素、VIb族元素的至少1种黄铜矿结构的化合物半导体作为主成分，且上述光电转换元件（1）于缓冲层（40）的上述透光性导电层（50）侧的表面（40s）包含羰离子（C），缓冲层（40）为包含三元化合物的平均膜厚10nm以上70nm以下的薄膜层，该三元化合物包含不含镉的金属、氧、以及硫。

太阳能电池内的绝缘膜形成用聚酰亚胺树脂组合物以及使用其的太阳能电池内的绝缘膜形成方法-201180045436.7
发明人： M.S.温;五岛敏之;佐藤贵裕 -专利权人：株式会社PI技术研究所
申请日： 2011-09-20 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L31/04
摘要：本发明公开了具有最适合于网版印刷等的流变特性，使与各涂布基板的润湿性提高，能够进行500次以上的连续印刷，印刷·涂布后、干燥·固化时不发生起泡、凹陷、气孔，可以被覆规定部分的太阳能电池的绝缘层形成用聚酰亚胺树脂组合物，以及使用了该组合物的太阳能电池中的绝缘层形成方法和具有通过该方法而形成的绝缘层的太阳能电池。上述太阳能电池内的绝缘膜形成用聚酰亚胺树脂组合物是可溶于第一有机溶剂(A)和第二有机溶剂(B)的混合溶剂的耐热性聚酰亚胺树脂，聚酰亚胺的重复单元中包含烷基和/或全氟烷基，在上述混合溶剂中包含具有触变性的聚酰亚胺树脂。

光电转换装置-201280003826.2
发明人：久保新太郎;菊池通真;浅尾英章;牛尾绅之介 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/04
摘要：本发明的目的在于提高光电转换装置的光电转换效率。本发明的光电转换装置(11)将结合多个半导体粒子(3a)而得的多晶半导体层用作光吸收层(3)，其中，所述半导体粒子(3a)含有I-III-VI族化合物，并且I-B族元素相对于III-B族元素的组成比PI在表面部比在中心部更高。

太阳能电池单元用输出测定装置及测定方法-201180059064.3
发明人：新康正;须贺保博;樋口明史;奧宫秀昭 -专利权人：迪睿合电子材料有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/04
摘要：本发明即使对无母线结构的太阳能电池单元也准确地进行电特性的测定。本发明具备由导体构成的接线板（2），接线板（2）通过在形成于太阳能电池单元（20）的表面的多个指状电极（31）上与指状电极（31）进行交叉而与多个指状电极（31）同时接触，接线板（2）与测定太阳能电池单元（20）的电特性的测定器（6）连接，接线板（2）呈矩形形成，将一个面（2b）作为与指状电极（31）的接触面。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[发明专利]光生伏打装置有效

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