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[实用新型]三五族太阳能电池结构-CN201020630891.6无效
发明人：张一熙;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三五族太阳能电池结构，是在基板上形成三层非晶硅层，其包含第一型非晶硅层、本质型非晶硅层与第二型非晶硅层，再利用非晶硅层本身晶格的特性，使三五族的多晶半导体层可形成于非晶硅层上，同时，藉由三五族的材质本身具有直接能隙，故可藉由非晶硅与三五族材质同时进行光能转换，而有效提升三五族太阳能电池的光电转换效率。
三五太阳能电池结构

[发明专利]异质结电池结构及其制备方法-CN202011606801.4有效
发明人：赵保星;张树德;符欣;连维飞;魏青竹;倪志春 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/0376 文献下载
摘要：本申请涉及一种异质结电池结构及其制备方法，该异质结电池结构包括自下而上依次设置的底电极、背面透明导电膜层、n型掺杂非晶硅层、背面本征非晶硅层、背面本征非晶硅缓冲层、n型单晶硅片、正面本征非晶硅缓冲层、正面本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层、正面透明导电膜层以及顶电极。异质结电池结构及其制备方法该大幅提升非晶硅/硅衬底界面的清晰度，提升钝化效果，进而提升电池开路电压以及开路电压相关的填充因子。
异质结电池结构及其制备方法

[实用新型]一种硅异质结太阳能电池-CN202022812813.4有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：宣城睿晖宣晟企业管理中心合伙企业（有限合伙）
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种硅异质结太阳能电池，包括硅衬底层，硅衬底层一面为受光域，另一面为背光域。受光域包括第一本征非晶硅层，第一本征非晶硅层设置在硅衬底层上，第一本征非晶硅层的表面相对于其中心线对称设置有第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层，且第一N型非晶硅图形化层及第二N型非晶硅图形化层的上方分别设有第一电极第一N型非晶硅图形化层与第二N型非晶硅图形化层的表面积之和小于第一本征非晶硅层的表面积。硅异质结太阳能电池的结构简单、成本低，能够降低入射光的光损失，从而确保光在体区域中的吸收和转换。
一种硅异质结太阳能电池

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910864407.1在审
发明人：邓运桢;余德伟;陈建豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-12 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：沉积第一非晶硅层于第一鳍片及第二鳍片之间，第一非晶硅层沿第一鳍片及第二鳍片的侧壁延伸。在沉积第一非晶硅层之后，进行第一退火。在第一退火之后，沉积第二非晶硅层于第一非晶硅层之上。在沉积第二非晶硅层之后，进行第二退火。在第二退火之后，沉积第三非晶硅层，第三非晶硅层在第一鳍片及第二鳍片的上表面上延伸。
半导体装置形成方法

[发明专利]一种烧结软磁材料的制备方法-CN202210957741.3在审
发明人：包崇玺;陈兵;朱志荣 -专利权人：东睦新材料集团股份有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：一种烧结软磁材料的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：1)准备原材料：该原材料包含如下质量百分比的组分：0.6～28wt％的铁磷粉末、0.4～1wt％的润滑剂粉末和余量的铁硅粉末，其中，所述铁硅粉末中硅的含量为0.5～85wt％，粒度为‑80目，所述铁磷粉末中磷的含量为6～21.6at％，粒度为‑100目；2)混料；3)成形：将步骤2)的混合粉末在400～1500MPa压力下压制成形，成形密度大于5.8g/cm34)烧结：将步骤3)中的成形生坯在1050～1350℃温度下、非氧化性气氛中烧结5～200min。
一种烧结材料制备方法

[发明专利]低温多晶硅薄膜的制作方法-CN201310596975.0在审
发明人：王承贤;彭思君 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2013-11-22 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制作方法，包括：提供具有缓冲氧化层的玻璃基板；在缓冲氧化层之上依序形成非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层；对非晶硅层进行高温加热，并对非晶硅层进行准分子激光退火，形成多晶硅层；对多晶硅层执行光刻蚀工艺和离子掺杂工艺，形成栅极；在缓冲氧化层和多晶硅层之上形成栅极氧化层，形成多晶硅薄膜。相对于现有技术，本发明通过将非晶硅层和覆盖非晶硅层的保护层进行一次镀膜，将非晶硅层予以隔离，避免非晶硅层的界面因暴露于外界而与外界中的污染源结合，确保了器件稳定性，提高了器件的产品品质。
低温多晶薄膜制作方法

[发明专利]一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺-CN202110495084.0在审
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种一阶电光效应硅调制器及其制备工艺，涉及电光效应硅调制器领域。制备工艺包括在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅这使制备得到的一阶电光效应硅调制器通过在硅结构中引入不对称应力而打破了中心反演对称结构对硅基电光调制器的功能限制，大大提高了硅基调制器的调制效率，有效减小了器件的尺寸、提高了带宽、降低了插损。
一种一阶电光效应调制器及其制备工艺

[发明专利]一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构及其制备方法-CN202011262779.6在审
发明人：冯乐;白焱辉;王继磊;黄金;贾慧君;鲍少娟;杨骥;任法渊;杨文亮;杜凯;师海峰 -专利权人：晋能光伏技术有限责任公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅/非晶硅异质结电池的电池结构包括：单晶硅片基底；单晶硅片基底正面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜；单晶硅片基底背面依次生长本征非晶硅薄膜、掺杂非晶硅薄膜和透明导电薄膜本发明在不影响HJT电池的电池结构情况下，通过使用管式PECVD进行本征非晶硅薄膜的制备，在一定的工艺条件下使其Eta可以接近板式PECVD制备的本征非晶硅薄膜电池Eta，从设备及工艺两个方向达到降本的目的本发明通过使用管式PECVD设备制备本征非晶硅层形成钝化层，使用板式PECVD设备制备n、p型掺杂非晶硅层分别形成场钝化层和p‑n结层。
一种非晶硅异质结电池结构及其制备方法

[发明专利]准分子激光退火装置和方法-CN201510383334.6有效
发明人：何超;余威 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种准分子激光退火装置，包括用于承载非晶硅薄膜的载台、准分子激光发生器、激光点阵发生器和扫描激光发生器，所述激光点阵发生器用于将所述准分子激光发生器发出的激光转换为照射到所述非晶硅薄膜的干涉激光点阵，扫描激光发生器用于将所述准分子激光发生器发出的激光转换为照射到所述非晶硅薄膜的扫描激光；本发明还提供了非晶硅薄膜的退火方法，在所述具有非晶硅薄膜的基板上的非晶硅薄膜层照射激光点阵，再在所述具有非晶硅薄膜的基板上的非晶硅薄膜层照射激光点阵，使得非晶硅转化为大晶粒尺寸的多晶硅。
准分子激光退火装置方法

[实用新型]低电压高电流型非晶硅薄膜太阳能电池-CN201120024673.2有效
发明人：余飞;丁作为;刘能文 -专利权人：武汉日新科技股份有限公司
申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低电压高电流型的非晶硅薄膜太阳能电池，将非晶硅薄膜电池原片的膜层分割为N等份独立的非晶硅薄膜太阳能电池，N为大于1的自然数，用汇流铜带将N块独立的非晶硅薄膜电池并联，并从发电膜层通过汇流铜带引出非晶硅薄膜电池的正、负极，在非晶硅薄膜电池上依次铺上PVB胶膜以及钢化玻璃通过层压夹胶而成。本实用新型具有普通非晶硅太阳能电池特性的优势，又能在不降低非晶硅薄膜太阳能电池的功率的情况下，兼具晶体硅低电压高电流的优势，可以更好的给蓄电池充电，提高非晶硅薄膜太阳能电池与用电系统的匹配性，有效降低独立系统的成本
电压电流型非晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]一种HIBC电池及其制备方法-CN201710592002.8在审
发明人：卢刚;张敏;张治;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;杨勇洲;杜娟 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2017-11-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种HIBC电池及其制备方法，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层本发明通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低，
一种 hibc 电池及其制备方法

[发明专利]多晶硅层的制作方法-CN200710181131.4有效
发明人：蔡依芸;丘绍裕;马佳萱;游培甄 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-10-08 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种多晶硅层的制作方法。首先，提供基板。接着，于基板上形成非晶硅层。再来，提供图案化光掩模，此图案化光掩模包括透光区与遮光区，且以图案化光掩模为罩幕，对非晶硅层照射一光线，其中，对应透光区的非晶硅层转变为亲水性的非晶硅层，而对应遮光区的非晶硅层为疏水性的非晶硅层。继而，提供亲水性金属催化剂，配置在亲水性的非晶硅层上。之后，进行退火制程，使亲水性金属催化剂形成为金属催化剂层，并且，经由金属催化剂层的作用使非晶硅层转变为多晶硅层。
多晶制作方法

[实用新型]一种HIBC电池-CN201720879107.7有效
发明人：张敏;卢刚;张治;何凤琴;郑璐;钱俊;杨振英;杨勇洲;杜娟 -专利权人：青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司
申请日： 2017-07-19 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HIBC电池，所述HIBC电池包括硅衬底、电极和依次设置在所述硅衬底的背表面上的第一本征非晶硅层以及掺杂非晶硅层，所述电极与所述掺杂非晶硅层连接，所述硅衬底与所述第一本征非晶硅层之间设置有氢化非晶氧化硅层本实用新型通过在所述HIBC电池的硅衬底与第一本征非晶硅层之间设置上述氢化非晶氧化硅层，提高了所述HIBC电池的界面钝化效果，遏制了由于引入本征非晶硅层造成的所述HIBC电池的串联电阻增大以及填充因子降低
一种 hibc 电池

[发明专利]一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制作方法-CN201610979785.0在审
发明人：周志超 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制作方法，其包括栅极、在栅极上方形成的栅极绝缘层、在栅极绝缘层上方形成的半导体层、在半导体层上方形成的欧姆接触层以及位于欧姆接触层上方的源极和漏极，其中，半导体层包括第一非晶硅层、第二非晶硅层以及位于第一非晶硅层与第二非晶硅层之间的一掺杂非晶硅层。本发明的薄膜晶体管及薄膜晶体管的制作方法，通过在第一非晶硅层和第二非晶硅层之间形成一掺杂非晶硅层，利用掺杂非晶硅层来提高整个非晶硅器件的电子浓度，从而提高开态电流，并且可以抑制空穴电流的增高，从而降低漏电流
一种薄膜晶体管制作方法

[实用新型]一种覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果检测结构-CN202121059973.4有效
发明人：周风龙 -专利权人：中山爱瑞科技有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果检测结构，包括有非晶硅玻璃和至少一个覆晶薄膜，非晶硅玻璃顶面侧边上设有至少一个非晶硅玻璃焊盘连接端，非晶硅玻璃焊盘连接端上设有多条相互平行的非晶硅玻璃焊盘条，其中两条非晶硅玻璃焊盘条上端短接，覆晶薄膜上设有多条相互平行且分别与非晶硅玻璃焊盘条下端压合连接的覆晶薄膜焊盘焊盘条，覆晶薄膜上设有检测孔，与短接的非晶硅玻璃焊盘条连接的两条覆晶薄膜焊盘焊盘条下端分别与检测孔连接，通过检测两个检测孔之间的电阻值即可判断两者压合效果，实现了快速覆晶薄膜和非晶硅玻璃压合效果的快速检测。
一种薄膜非晶硅玻璃效果检测结构