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[发明专利]一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法-CN202010663163.3有效
发明人：欧文凯 -专利权人：普乐新能源科技（徐州）有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制作HBC电池背面掺杂非晶硅的方法，包括：在N型抛光后的硅片的背面生长本征的氢化非晶硅层；在氢化非晶硅层上印刷硼浆，烘干；在氢化非晶硅层上印刷磷浆，烘干；将印刷好的硅片放入激光器中进行激光实现掺杂，得到P区及N区需要达到的方阻值；给电池片表面镀上掩膜作为抛光阻挡层；用激光切割P区和N区之间的位置，去除中间的掩膜。本发明的方法能够保证背面掺杂非晶硅的均匀性及生长速率。
一种制作 hbc 电池背面掺杂非晶硅方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210133853.3在审
发明人：罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构以及衬底上形成栅极保护层；执行非晶化离子注入，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶硅区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物，作为器件的源漏区，同时注入的离子在金属硅化物与衬底之间形成分凝区，降低了肖特基势垒高度。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在衬底中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，并进一步提高了器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110022516.6在审
发明人：刘金彪;罗军;李俊峰;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供包括源/漏区和栅极堆叠的衬底；在源/漏区表面形成光吸收层；采用激光加热对形成有光吸收层的所述源/漏区进行非晶化注入处理；去除所述光吸收层以露出非晶化注入处理的所述源/漏区表面；在露出的非晶化注入处理的所述源/漏区表面形成掺杂膜层；对形成有掺杂膜层的所述源/漏区表面进行退火处理。采用本申请的激光技术进行非晶化注入处理，以及随后的退火处理，能够同时替代了原有的预非晶化离子注入(PAI)和接触孔注入，从而有效减少以往再结晶层的下面区域所产生的缺陷，从而提高半导体器件的性能。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法-CN201310232183.5有效
发明人：陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-09 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：一种非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法。所述非晶半导体材料的形成方法包括在半导体基底上形成半导体预备层；对半导体预备层进行紫外线照射处理至半导体预备层分解为非晶半导体材料和废气；去除废气；重复形成半导体预备层、紫外线照射处理和去除废气的步骤，直至在半导体基底上形成预定厚度的非晶半导体材料。所述金属硅化物的形成方法包括提供半导体衬底，半导体衬底中包括源区和漏区；在源区和漏区上分别形成金属层；进行第一次退火处理；采用上述非晶半导体材料的形成方法在金属层上形成非晶半导体材料；进行第二次退火处理本发明可在400℃及以下的温度形成非晶半导体材料。
半导体材料形成方法金属硅

[发明专利]多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法-CN202311182005.6在审
发明人：何力;温书育;朱元昊;任慧雪;伍绍腾;骆军委 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种多次脉冲亚熔化准分子激光退火方法，包括：对半导体晶体表面进行离子注入，在半导体晶体表面形成非晶掺杂区；向非晶掺杂区进行多次脉冲激光辐照退火，以使非晶掺杂区在亚熔化状态发生重结晶，激活非晶掺杂区的离子。
多次脉冲熔化准分子激光退火方法

[发明专利]基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法-CN201510395579.0有效
发明人：邓洁;林凡;王强;邓洪海;高锐锋 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
基于扩散太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法-CN201310111198.6无效
发明人：花国然;王强;朱海峰;姚滢;张华 -专利权人：南通大学
申请日： 2013-04-01 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，步骤如下：将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结，同时硅片上表面被氧化；除去硅片顶电极区以外的氧化层；在硅片上表面淀积本征非晶硅层；将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层，顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法，通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质，使非顶电极区的掺杂浓度降低，同时顶电极区进行了二次掺杂，导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大，提高了选择性掺杂的效果。
一种基于扩散太阳能电池选择性掺杂方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201210135041.2有效
发明人：罗军;邓坚;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-04-29 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅极堆叠结构，在栅极堆叠结构两侧的衬底中形成源漏区；在栅极堆叠结构以及源漏区上形成栅极保护层；执行离子注入，在源漏区表面形成一层非晶硅区；在栅极堆叠结构以及非晶区上淀积金属层；执行退火，使得金属层与非晶硅区反应形成金属硅化物。依照本发明的半导体器件制造方法，通过离子注入在源漏区中形成非晶硅区，限制了金属扩散方向，抑制了金属硅化物的横向延伸，进一步提高了器件的性能。
半导体器件制造方法

[发明专利]非共形非晶硅的沉积方法及制备的半导体结构、电子设备-CN202011061661.7在审
发明人：李相遇;项金娟;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种非共形非晶硅的沉积方法。一种非共形非晶硅的沉积方法，包括下列步骤：在半导体衬底上经过沟槽刻蚀后，得到有源区目标图形；采用原子层沉积法在所述有源区目标图形表面沉积非共形非晶硅膜，然后进行后续氧化工艺，制成半导体器件。本发明采用原子层沉积法(Atomic layer deposition，ALD)代替传统的CVD，利用脉冲供料方式沉积非共形非晶硅膜，解决了现有技术有源区顶部厚度不足、台阶覆盖率无法调节以及硅源受限等问题
非共形非晶硅沉积方法制备半导体结构电子设备

[发明专利]一种非晶铁芯自动化流水线-CN201911010342.0有效
发明人：董威威;王书光;王祥军;刘永泉;胡柳亮;严密 -专利权人：浙江兆晶电气科技有限公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶铁芯自动化流水线，包括封闭环形的传送带以及在围绕传送带依次设置的产品上下料区、第一性能检测区、第一尺寸校验区、第一刷胶区、第一烘干区、翻转区、第二性能检测区、第二尺寸校验区、第二刷胶区、第二烘干区、拆包区、粘结胶带区和粘贴电子标签区。该种非晶铁芯自动化流水线通过流水线的形式将多道工序衔接，另外，每道工序采用自动化设备完成，提高了非晶铁芯生产制造的效率，且使得制造完成的非晶铁芯性能检测合格率大大增加。
一种非晶铁芯自动化流水线

[发明专利]异质结电池、制备方法及异质结电池组件-CN202010568218.2在审
发明人：苏晓东;邹帅;张晓宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本发明揭示了一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。
异质结电池制备方法组件

[实用新型]异质结电池及异质结电池组件-CN202021159450.2有效
发明人：苏晓东;邹帅;张晓宏 -专利权人：苏州大学
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L31/0745 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。
异质结电池组件

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510225524.5有效
发明人：张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供半导体衬底，半导体衬底表面形成有鳍部和隔离层；在隔离层表面形成横跨鳍部的伪栅结构；在所述隔离层表面形成介质层，介质层的表面与伪栅结构表面齐平；去除伪栅结构，形成凹槽；在凹槽内壁表面依次形成栅介质层、功函数层和非晶硅层，所述非晶硅层包括沿半导体衬底表面平行排列的第一区域、第二区域；刻蚀非晶硅层，形成阶梯非晶硅层，使阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域分别具有不同的高度；进行退火处理，使位于阶梯非晶硅层的第一区域、第二区域下方的功函数层分别具有不同的功函数；去除阶梯非晶硅层，在功函数层表面形成金属栅极。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201410756741.2有效
发明人：张海洋;张城龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-12-10 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底、第一层间介质层以及位于第一层间介质层内的第一栅导电层；在第一栅导电层表面、器件区和外围区第一层间介质层表面形成第二层间介质层；形成覆盖于第二层间介质层表面的非晶碳层；对非晶碳层进行第一斜边刻蚀处理，刻蚀去除外围区的非晶碳层；在第一斜边刻蚀处理后的非晶碳层表面形成具有第一开口的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，沿第一开口刻蚀非晶碳层以及第二层间介质层，在器件区第二层间介质层内形成接触孔本发明去除位于基底外围区的非晶碳层，避免刻蚀形成接触孔的刻蚀气体与外围区非晶碳层发生反应形成反应副产物，提高半导体结构生产良率以及芯片产出量。
半导体结构形成方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法-CN201910117376.3有效
发明人：朱静 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管，包括：依序层迭设置的一半导体衬底、一栅电极、一闸极绝缘层、一第一非晶硅膜层、一第二非晶硅膜层、一金属膜层、一钝化层、一透明导电膜，半导体衬底，包括一非电性成膜区与一电性成膜区，对应于所述非电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度小于对应于所述电性成膜区的所述第一非晶硅膜层一厚度，使非电性成膜区可作为电性成膜区利用，提升非电性成膜区的电性均匀度，来提升整个面板的电性的均匀性，减小非电性成膜区域的大小
薄膜晶体管及其制作方法