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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种块体非晶合金坯件的加工方法及其所使用的设备-CN200410033611.2有效
发明人：张曙光;胡捷;朱学新;熊柏青;石力开 -专利权人：北京有色金属研究总院
申请日： 2004-04-12 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： B21C23/00 文献下载
摘要：一种用于块体非晶合金及其复合材料的加工方法及其所使用的设备，是采用静液挤压机，利用高压液体进行加工，将块体非晶合金棒坯封闭于包套中，加热到挤压加工温度即待加工非晶材料的过冷液相区ΔTx的温度，将挤压介质加入静液挤压机的模腔，在挤压加工温度下进行挤压加工，除去包套，即可得到块体非晶合金坯件。解决块体非晶合金尤其是过冷液相区宽度很窄的块体非晶合金及其复合材料的加工成形和避免晶化问题。本发明工件的应力状态好，变形均匀，润滑良好，而且高压液体也会对工件有冷却作用，可较精确控制加工变形过程中的温度，避免非晶晶化或者长时间处于较高温度发生结构驰豫。
一种块体合金加工方法及其使用设备

[发明专利]一种高强超韧仿生结构非晶合金复合材料的制备方法-CN202011071581.X有效
发明人：柳林;欧阳迪;张鹏程 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C22C45/10 文献下载
摘要：本发明属于非晶合金复合材料领域，公开了一种高强超韧仿生结构非晶合金复合材料的制备方法，该方法包括以下步骤：首先选取金属原材料熔炼制成成分均匀的母合金铸锭；然后，利用氩气雾化法获得球形粉末；接着，采用3D打印技术成形得到3D打印成形件，使3D打印成形件的熔池区保持完全非晶态结构，而在其热影响区中原位生成B2韧性相，这些B2韧性相与非晶硬相软硬交替分布，形成类贝壳仿生的砖‑泥结构，由此得到高强超韧仿生结构非晶合金复合材料本发明通过对制备方法整体工艺流程设计等进行改进，综合非晶合金在晶化过程中原位形成B2韧性相和高能束3D打印技术，得到的非晶合金复合材料具有高强超韧特性。
一种高强仿生结构合金复合材料制备方法

[实用新型]LED封装结构-CN201420667144.8有效
发明人：陈健平 -专利权人：惠州雷通光电器件有限公司
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED封装结构，包括:基板或支架，基板或支架包括第一电极引脚、第二电极引脚和绝缘隔离区，第一电极引脚的金属功能区域包括第一固晶区域和其余的第一非固晶区域，和/或第二电极引脚的金属功能区域包括第二固晶区域和其余的第二非固晶区域；LED晶片，LED晶片通过导电胶固定在第一固晶区域和/或第二固晶区域上；以及封装胶体，封装胶体包覆LED晶片；第一固晶区域的表面粗糙度比第一非固晶区域的表面粗糙度大；和/或第二固晶区域的表面粗糙度比第二非固晶区域的表面粗糙度大由于固晶区域的粗糙度比非固晶区域的粗糙度大，提高了导电胶与金属功能区固晶区域的机械粘接力，从而提高了LED封装结构的可靠性。
led 封装结构

[发明专利]含有多晶硅有源层的薄膜晶体管、其制造方法及阵列基板-CN201110124783.0有效
发明人：刘政;龙春平;姜春生;成军;石磊;王东方;梁逸南 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种制造含有多晶硅有源层的薄膜晶体管的方法，方法包括：在基板上沉积非晶硅层，并对非晶硅层进行构图，形成包括源区、漏区和沟道区的有源层；在源区和漏区上沉积诱导金属；对沉积有诱导金属的有源层进行热处理，使有源层在诱导金属的作用下发生金属诱导晶化和金属诱导横向晶化；在源区和漏区掺入用于收集诱导金属的第一杂质和用于形成PMOS或NMOS第二杂质；对掺杂后的有源层进行热处理，以激活第二杂质，并使得第一杂质对沟通区的残留诱导金属进行吸收
含有多晶有源薄膜晶体管制造方法阵列

[实用新型]一种载具和硅片表面处理系统-CN202320172167.0有效
发明人：戢瑞凯;章伟冠;谈仕祥;李雪锋 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种载具和硅片表面处理系统，属于非晶硅电池生产技术领域，用以承载非晶硅电池的硅片，硅片的一表面包括处理区和非处理区；载具包括：载具本体，载具本体开设有镂空区，用以在承载硅片时完全显露处理区；承载部，承载部安装于载具本体，用以承接非处理区的至少部分区域；通过在载具上设置镂空区，能够完全显露硅片的处理区，在进行曝光时，无需经过硅片的翻面步骤，即可实现硅片的双面曝光，优化了生产流程，有效的提升了生产效率。
一种硅片表面处理系统

[发明专利]一种非晶合金的电阻焊接方法-CN201410379335.9有效
发明人：李奉珪 -专利权人：东莞台一盈拓科技股份有限公司
申请日： 2014-08-04 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： B23K11/16 文献下载
摘要：本发明涉及非晶合金的焊接技术领域，特别是涉及一种非晶合金的电阻焊接方法，其包括焊接母材非晶合金和焊接工件，将非晶合金和焊接工件触接，并且非晶合金和焊接工件分别与电极连接后，电极施加压力并利用电流产生的电阻热将非晶合金和焊接工件分别加热到各自的熔点以上或达到各自的过冷液相区，并以TTT图为基准，使焊接工件和非晶合金在不发生晶化反应的状况下完成焊接；焊接工件含有非晶合金所含元素中的一种元素或两种以上元素。该焊接方法解决了非晶合金难以攻牙的问题，很好地实现了非晶合金与焊接工件的接合，并使得非晶合金与焊接工件的焊接处的强度非常高，而且焊接后非晶合金依然保持非晶结构。
一种合金电阻焊接方法

[发明专利]NMOS晶体管的制作方法-CN201010532046.X有效
发明人：谢欣云;陈志豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种NMOS场效应晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的半导体衬底包括非晶化注入区；在所述非晶化注入区形成NMOS晶体管的源/漏区，其中形成源/漏区包括对所述非晶化注入区进行氮离子注入；在所述NMOS晶体管上沉积应力层；对所述NMOS晶体管的源/漏区进行热处理，激活源/漏区的掺杂离子；去除所述NMOS晶体管上的应力层。本发明通过对NMOS晶体管源/漏区的氮离子注入和对NMOS晶体管的热处理，改善了工艺节点小于45nm的NMOS晶体管沟道宽度变窄时，阈值电压滚降的现象。
nmos 晶体管制作方法

[发明专利]一种非晶合金的粉末轧制方法及装置-CN202010262247.6有效
发明人：龚攀;丁华平;王新云;刘辉 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-04-06 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B22F3/18 文献下载
摘要：本发明属于非晶合金及其复合材料制备领域，更具体地，涉及一种非晶合金的粉末轧制方法及装置。将非晶合金粉末或非晶合金粉末坯通过喂料装置送入轧制装置中，并加热至所述非晶合金的过冷液相区，通过两个相对旋转的轧辊对粉末进行单道次或多道次轧制获得大尺寸非晶合金产品。本发明以非晶粉末为原料，克服了传统非晶合金连续铸轧工艺对成分、尺寸、形状的限制，成分、性能调控灵活，能够实现大块非晶合金及其复合材料的连续快速制备，降低生产成本，拓宽大块非晶合金的应用范围。同时本发明提出电流辅助轧制工艺，相较于传统热轧，可以有效避免非晶合金出现晶化、氧化等，能源利用率和轧制效率大幅提高。
一种合金粉末轧制方法装置

[发明专利]一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料-CN202011120688.9有效
发明人：张涛;朱厚彬;张秀全 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本申请公开一种用于改善薄膜层炸裂的方法及薄膜材料，包括：由薄膜晶圆的离子注入面向所述薄膜晶圆内注入离子，在与离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层、分离层和余质层；将薄膜晶圆的离子注入面与基底层键合面键合，得到第一键合体；对第一键合体热处理，得到第二键合体；将第二键合体中与非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆，以及，薄膜层均研磨抛光至目标厚度。本申请通过在离子注入区外围保留一圈非离子注入区，使注入离子后，只在离子注入区对应的薄膜晶圆内形成薄膜层和分离层，从而在键合分离时，由于与所述非离子注入区对应的剩余薄膜晶圆的存在，就不会导致薄膜层从翘曲状态瞬间恢复平坦状态
一种用于改善薄膜炸裂方法材料

[发明专利]CMOS晶体管的形成方法-CN201210514534.7有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区域和PMOS区域；对所述NMOS区域和PMOS区域的源区和漏区进行预非晶化注入；刻蚀所述NMOS区域和PMOS的源区和漏区，形成第一开口，所述第一开口的深度小于所述预非晶化注入的深度，在所述第一开口内形成NMOS嵌入式源区和漏区；形成阻挡层，所述阻挡层具有暴露所述PMOS区域的第二开口；沿所述第二开口刻蚀PMOS区域的源区和漏区，去除PMOS区域的NMOS嵌入式源区和漏区和预非晶化注入区域，形成第三开口，在所述第三开口内形成PMOS嵌入式源区和漏区。
cmos 晶体管形成方法

[发明专利]一种PECVD设备的清理方法-CN202111069510.0在审
发明人：陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： B08B7/00 文献下载
摘要：PECVD设备的清理方法包括：将遮挡片放置在PECVD设备的载板，载板包括承载区和非承载区，承载区用于承载硅片，承载区被遮挡片覆盖，非承载区未被遮挡片覆盖；将放置了遮挡片的载板放入PECVD设备的工艺腔；对工艺腔的腔壁和载板进行清理，以去除腔壁和非承载区的非晶硅膜。本申请实施例的PECVD设备的清理方法，由于在载板的承载区放置了遮挡片，故在对载板和工艺腔的腔壁的非晶硅膜进行清理时，不会清理到载板的承载区，使得清理后残留的杂质避开承载区，不会污染后续镀膜的硅片。
一种 pecvd 设备清理方法

[发明专利]一种非晶合金纤维的制备方法及实现该制备方法的设备-CN201410018478.7在审
发明人：满其奎;强健;常春涛;王新敏;李润伟 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2014-01-15 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： B21C37/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种非晶合金纤维的制备方法及实现该方法的设备。该方法利用非晶合金材料的超塑性，将非晶合金材料，如棒材、丝材或带材等的一端固定，另一自由端与外力施加装置相连，两端中间设置加热装置，用于加热该非晶合金材料，当非晶合金材料的温度升高至玻璃转变温度与初始晶化温度之间，即位于过冷液相区宽度内，并且达到软化温度时，启动外力施加装置缓慢拉动自由端，非晶合金材料产生超塑性变形，得到非晶纤维。该方法简单易行、成本低，能够制得直径细小的非晶合金纤维，拓宽了非晶合金材料的应用范围。
一种合金纤维制备方法实现设备

[发明专利]截面近似圆的对接式三相三柱式非晶铁心-CN200810114143.X有效
发明人：徐继斌;何力;张卫国;徐磊 -专利权人：北京中机联供非晶科技股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01F27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种截面近似圆的对接式三相三柱式非晶铁心，包括一个外非晶铁心、两个内非晶铁心和三个线圈，所述两个内非晶铁心并列位于所述外非晶铁心的中孔内，所述各非晶铁心均由若干非晶铁心片叠制而成，同一非晶铁心中的铁心片都分为若干长度不等的对接组，同一对接组的两端在该铁心接合区相互对接，所述同一非晶铁心的非晶铁心片还具有不同的宽度，所述外铁心中位于内侧的非晶铁心片的宽度大于位于内侧的非晶铁心片的宽度，所述各内铁心中位于外侧的非晶铁心片的宽度大于位于内侧的非晶铁心片的宽度本发明结构紧凑，有利于节省线圈的用铜量，避免突出棱角对线圈绝缘材料的损害，主要用于相应的非晶变压器。
截面近似对接三相三柱式非晶铁心

[发明专利]截面近似圆的搭接式三相三柱式非晶铁心-CN200810114145.9无效
发明人：徐继斌;何力;张卫国;徐磊 -专利权人：北京中机联供非晶科技股份有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01F27/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种截面近似圆的搭接式三相三柱式非晶铁心，包括一个外非晶铁心、两个内非晶铁心和三个线圈，所述两个内非晶铁心并列位于所述外非晶铁心的中孔内，所述各非晶铁心均由若干非晶铁心片叠制而成，任意非晶铁心中的非晶铁心片均分为若干长度不等的搭接组，同一搭接组的两端在铁心接合区相互搭接，同一非晶铁心的铁心片还具有不同的宽度，所述外铁心位于内侧的非晶铁心片的宽度大于位于内侧的非晶铁心片的宽度，所述各内铁心位于外侧的非晶铁心片的宽度大于位于内侧的非晶铁心片的宽度本发明结构紧凑，有利于节省线圈的用铜量，避免突出棱角对线圈绝缘材料的损害，主要用于相应的非晶变压器。
截面近似搭接式三相三柱式非晶铁心

[发明专利]太阳能电池的制备方法-CN202210826352.7在审
发明人：万义茂;柯益萍;陈文浩;于元元;邱杨海粟;陈鹏辉;刘琦;陈炎 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：该方法，包括：在制绒后的硅片上沉积掺硼非晶硅薄膜层；利用激光在掺硼非晶硅薄膜层上形成发射极区；对硅片在800℃‑1100℃进行硼扩散，以使发射极区形成重扩区，其余区域形成轻扩区。然后去除硅片背面的硼掺杂层和绕扩；在硅片背面形成隧穿氧化层和掺杂非晶硅层；对硅片退火，以使掺杂非晶硅层晶化成掺杂多晶硅；在硅片正背面形成钝化层；进行丝网印刷。
太阳能电池制备方法

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