[实用新型]异质结电池及异质结电池组件有效

申请号：	202021159450.2	申请日：	2020-06-19
公开（公告）号：	CN212085022U	公开（公告）日：	2020-12-04
发明（设计）人：	苏晓东;邹帅;张晓宏	申请（专利权）人：	苏州大学
主分类号：	H01L31/0745	分类号：	H01L31/0745;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18
代理公司：	苏州三英知识产权代理有限公司 32412	代理人：	周仁青
地址：	215001***	国省代码：	江苏;32
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摘要：	本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。
搜索关键词：	异质结电池组件
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摘要：本实用新型公开了一种基础异质结太阳能电池及其制备工具。该基础异质结太阳能电池，包括硅片、形成于所述硅片上的本征非晶硅层、形成于所述本征非晶硅层上的掺杂非晶硅层、形成于所述掺杂非晶硅层上的透明导电氧化物薄膜及形成于所述透明导电氧化物薄膜上的金属电极，所述基础异质结太阳能电池具有隔离沟道，所述隔离沟道自所述硅片的表面依次贯穿所述本征非晶硅层、所述掺杂非晶硅层和所述透明导电氧化物薄膜，所述隔离沟道位于需要对硅片进行划片的位置处。本实用新型能够避免在划片分切时损伤非晶硅层和导电薄膜层。

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摘要：本发明涉及碳纳米管/硅异质结太阳能电池领域，具体为一种无损转移碳纳米管薄膜制备异质结太阳能电池的方法。首先将沉积于微孔滤膜上的高性能(如：高透光率、低方块电阻)碳纳米管透明导电薄膜裁剪成合适尺寸；再将其置于SiO2/Si基底上，滴加无水乙醇，使碳纳米管薄膜与硅基底紧密接触；待乙醇自然蒸发后，再利用碳纳米管薄膜与硅基底之间的作用力大于碳纳米管薄膜与微孔滤膜的作用力，用镊子直接移去滤膜；然后制备上电极(银胶)和下电极(铟镓合金)即得所述太阳能电池。本发明在转移碳纳米管薄膜的过程中未使用无水乙醇外的其他溶剂，过程简单，提高碳纳米管与基底的结合，所构建的太阳能电池具有优异的光电转换性能及稳定性。

异质结电池及异质结电池组件-202021159450.2
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摘要：本实用新型揭示了一种异质结电池及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本实用新型中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。

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摘要：本发明揭示了一种异质结电池、制备方法及异质结电池组件，所述异质结电池包括：硅片；非晶硅层，包括位于第一区域上的第一本征非晶硅层和第一p型非晶硅层、位于第二区域上的第二本征非晶硅层和第一n型非晶硅层、位于第三区域上的第三本征非晶硅层和第二n型非晶硅层、及位于第四区域上的第四本征非晶硅层和第二p型非晶硅层；透明导电层；电极。本发明中的异质结电池两侧均设有第一电极和第二电极，互联时可实现两个电极的交替排列；焊带焊接于电池同侧，可减少组件中电池间距，增加组件的有效发电面积，从而提高组件的输出功率；焊带无需上下绕行，减小了焊带长度，进而减小了焊带上的焦耳损耗。

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申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明属太阳能电池制造领域，涉及一种全钝化接触异质结电池，包括衬底；设置在衬底的上表面的第一氧化硅层；设置在衬底的下表面上的第二氧化硅层；设置在第一氧化硅层上表面上的n型钝化接触层；设置在第二氧化硅层下表面上的p型钝化接触层；设置在钝化接触层外表面的透明导电层；设置在透明导电层背离衬底方向的外表面上的电极。本发明还公开了这种电池的其制备方法，通过全钝化接触结构替代本征和掺杂非晶硅结构形成的传统异质结太阳电池结构以及现有技术的高/低功函数材料。该结构可耐受300~800℃的高温工艺作用，增加了电池的金属材料的可选择种类，后道组件焊接和印刷无需改成低温工艺，提高了电池的开路电压，提高生产良率，降低生产成本。

单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构及制备方法-201811590959.X
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申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明涉及一种单晶硅异质结太阳电池用两面差异化绒面结构，其特征在于：硅片结构的迎光面和背光面结构不同，所述迎光面为金字塔绒面结构，所述背光面为抛光面或尺寸大于迎光面的金字塔绒面结构。全过程采用链式清洗机制绒方式，在槽式制绒后采用湿化学刻蚀的方法对背光面进行刻蚀，实现金字塔绒面结构的增大或者抛光，然后进行RCA清洗、HF去自然氧化层和慢提拉、烘干。针对双面进光特性的不同对迎光面和背光面绒面结构分别进行设计，并解决差异化的绒面结构的生产制造问题，提供一种简化工艺，能有效节约降低后续生产成本、兼顾背表面的复合损耗、短路电流。

一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法-201611202586.5
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申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种基于Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法。其中，无机Cs2SnI6具有钙钛矿变体结构，通过SnI4的乙醇溶液和CsI的DMF溶液反应的方法制备，用作太阳能电池中的空穴传输材料。通过将Cs2SnI6粉末溶解在CH3NH3PbI3前驱体溶液中旋涂得到黑色均一的薄膜，进一步组装得到具有体异质结结构的钙钛矿太阳能电池。本发明的制备工艺简单、无污染，原材料丰富、廉价，特别适合制备大批量、低成本太阳能电池。

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发明人：谭新玉;康喆;田丹妮;肖婷;向鹏;姜礼华 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明公开了一种Pt‑GFW/SiO2/n‑Si异质结材料及其制备方法。采用化学气相沉积（CVD）法生长的石墨烯网（GFW）转移到n型硅（n‑Si（100）基片上后，形成具有白光光伏效应的异质结薄膜材料。采用激光照射高铂酸溶液来负载铂纳米颗粒的方法，在GFW/n‑Si器件表面负载铂纳米粒子。本发明的铂负载的石墨烯、硅太阳能电池在室温、100 mW/cm2的模拟太阳光源照射下，器件的开路光电压从474mV提升到545 mV、短路光电流从18.2 mA/cm2提升到19.6mA/cm2、填充因子从42.8%提升到51.2%以上，光电转换效率从3.69%提升到5.48%。采用该方法具有性能优越，价格低廉，制备简单且不同于之前文献中所报道的用硝基甲苯作为溶剂，而采用去离子水作为溶剂，是一种优异的提升可见光传感器材料和具有潜力的光伏器件性能的方法。

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摘要：本发明的一个实施例提供具有氧化物隧穿结的太阳能电池。该太阳能电池包括基极层；与所述基极层相邻的量子隧穿势垒(QTB)层；发射极；表面电场层；前侧电极；以及背侧电极。

一种石墨烯太阳电池-201320543831.4
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申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本实用新型公开了一种石墨烯太阳电池，其特征在于，在p型基底晶体硅片的正面沉积n型石墨烯薄膜，再在n型石墨烯薄膜的上面沉积金属上电极，然后在p型基底晶体硅片的背面沉积金属下电极。本实用新型的优点是结构和工艺简单，生产成本低，尤其是利用石墨烯材料良好的透光性、电导性和稳定性，使得制备的太阳能电池，载流子迁移率高，电池的光电转换效率高，稳定性好。

光伏器件和形成光伏器件的方法-201310356176.6
发明人： K·E·福格尔;B·赫克玛特绍塔巴里;D·K·萨丹那;G·G·沙希迪;D·沙赫莉亚迪 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-08-15 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明涉及光伏器件和形成光伏器件的方法。一种光伏器件，其包括吸收第一波长范围光的上部电池和吸收第二波长范围的光的底部电池。所述底部电池包括包含晶体含锗（Ge）层的异质结。所述晶体含锗（Ge）层的至少一个表面与含硅（Si）层接触，请求所述含Si层具有大于所述晶体含锗（Ge）层的带隙。

P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法-201310180850.X
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摘要：本发明公开了一种P-型碳量子点/N-型硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，其特征是以N-型硅基底层作为太阳能电池的基区，在N-型硅基底层的下表面设置In-Ga合金金属膜背电极层；在N-型硅基底层的上表面设置N-型硅纳米线阵列；在N-型硅纳米线阵列中的N-型硅纳米线的表面包裹P-型碳量子点薄膜层；在P-型碳量子点薄膜层表面设置金属电极层，P-型碳量子点薄膜层与金属电极层为欧姆接触。本发明工艺简单、适合大规模生产，可制备光吸收能力强、光电转换效率高的太阳能电池，为硅纳米阵列结构在太阳能电池的应用中奠定了基础。

一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法-201210427530.5
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申请日： 2012-12-21 - 公布日： 2013-02-20 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：本发明公开了一种减反射异质结太阳能电池及其制备方法，该电池包括硅片衬底、钝化层、背电极、发射层、透明导电薄膜层、减反层和前电极；该方法包括使用HF溶液对硅片衬底进行表面清洗；在硅片衬底的背表面沉积钝化层；在钝化层表面利用磁控溅射方法沉积背电极；在硅片衬底的正表面沉积发射层；在发射层上利用磁控溅射沉积透明导电薄膜层；在透明导电薄膜层上利用PECVD方法沉积减反层；在减反层上通过丝网印刷前电极。本发明利用Si3N4层和透明的金属氧化物层来降低电池表面的光反射，避免电池表面有较大的织构，有利于得到高质量的硅薄膜层，形成良好的硅薄膜/晶硅界面，可以提高电池的电流密度和开路电压，从而提高异质结电池太阳的转换效率。

包括晶体氧化硅钝化薄膜的光伏电池以及用于制造该光伏电池的方法-201180007552.X
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申请日： 2011-01-26 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0745
摘要：异质结光伏电池包含至少一个晶体氧化硅薄膜（11），该晶体氧化硅薄膜（11）直接置于晶体硅基底（1）的前或后表面（1a）的一个上，在所述基底（1）和非晶或微晶硅的层（3）之间。薄膜（11）用来确保基底（1）的所述表面（1a）的钝化。具体地，在沉积非晶硅的层（3）之前，薄膜（11）通过基团地氧化基底（1）的表面部分而获得。而且，本征或微掺杂的非晶硅的薄层（2）可置于所述薄膜（11）和非晶或微晶硅的层之间。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的

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[实用新型]异质结电池及异质结电池组件有效

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