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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201010514755.5无效
发明人：廖晋毅;李静宜;詹书俨 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2010-10-18 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构，包含位于基材中的凹穴、非掺杂外延层与掺杂外延层。非掺杂外延层位于凹穴的内表面上，并实质上由硅与一外延材料所组成。非掺杂外延层覆盖凹穴内表面的底部与侧壁，而底部的厚度不超过与侧壁厚度的120％。非掺杂外延层与掺杂外延层一起填满凹穴。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种高性能DFB激光器外延结构及其制造方法-CN201910873700.4有效
发明人：单智发;张永;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本发明提供一种高性能DFB激光器外延结构，包括InP衬底，所述InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，所述非掺杂P‑InP过渡层中插入有张应变的第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和压应变的第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构采用后扩散工艺形成激光器P型外延层，严格定义载流子注入区，获得的DFB激光器阈值和串联电阻低，调制速率大，温度特性好，可靠性好。
一种性能 dfb 激光器外延结构及其制造方法

[发明专利]一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法-CN202111361113.0在审
发明人：高汉超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高碳掺杂砷化镓铟空穴浓度的生长方法，步骤包括：S1.准备基体；S2.向上生长第一外延层，所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层或非掺杂InAs外延层；S3.向上生长第二外延层，其中，当所述第一外延层是C掺杂GaAs外延层时，所述第二外延层为非掺杂InAs外延层；当所述第一外延层是非掺杂InAs外延层时，所述第二外延层为C掺杂GaAs外延层；S4.重复步骤S2和步骤S3直至达到预设厚度。由于C在GaAs中更容易占据As位置提供空穴，因此在掺杂控制过程中只需要在GaAs外延层掺杂，在InAs外延层中不掺杂，就能够避免C占据In位置，提高空穴激活率。
一种提高掺杂砷化镓铟空穴浓度生长方法

[发明专利]一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法-CN202210185318.6在审
发明人：赵鹏;李楠 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种FDSOI工艺多层源漏外延硅生长方法，提供衬底，在衬底上形成埋氧层；之后在埋氧层上形成SOI层；在SOI层上形成栅极，栅极两侧为源漏区；在源漏区的SOI层上形成非掺杂外延层；在非掺杂外延层上形成第一掺杂外延层；在第一掺杂外延层上形成第二掺杂外延层；使用去离子水对衬底进行清洗。本发明将外延硅由单层结构改为多层结构,其中非掺杂外延硅,可以有效阻挡离子扩散。而中高掺杂外延硅和高掺杂外延硅,可以显著降低源漏电阻，提高器件性能。
一种 fdsoi 工艺多层外延生长方法

[实用新型]一种高性能DFB激光器外延结构-CN201921537461.7有效
发明人：单智发;张永;姜伟;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01S5/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，非掺杂P‑InP过渡层中插入第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构调制速率大，温度特性好，可靠性好。
一种性能 dfb 激光器外延结构

[发明专利]一种氮化镓基LED外延片及其生长方法-CN200910010921.5无效
发明人：高凡;杨天鹏;郭文平;陈向东;柴旗;肖志国 -专利权人：大连美明外延片科技有限公司
申请日： 2009-03-27 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基LED外延片及其生长方法，该外延片的结构自下而上依次为蓝宝石衬底、低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱层、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中的非掺杂氮化镓层含有第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层；在不同的压强下，生长第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层；通过第一非掺杂氮化镓层和第二非掺杂氮化镓层的结合可缓解衬底与氮化镓材料的晶格失配带给氮化镓外延层的应力，减小氮化镓外延层的位错密度，其线缺陷密度可降低至
一种氮化 led 外延及其生长方法

[实用新型]非合金欧姆接触的GaN HEMT器件-CN201521049123.0有效
发明人：黎明;陈汝钦 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非合金欧姆接触的GaN HEMT器件，其包括由下至上依次层叠的衬底、掺杂GaN缓冲层、非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层，非掺杂GaN沟道层和非掺杂AlGaN势垒层之间形成二维电子气，非掺杂AlGaN势垒层的源极区域和漏极区域开设有沟槽，沟槽从非掺杂AlGaN势垒层的表面深入掺杂GaN缓冲层内部，沟槽内生长有n型InGaN外延层，在源极区域的n型InGaN外延层上形成有源极，在漏极区域的n型InGaN外延层上形成有漏极。
合金欧姆接触 gan hemt 器件

[发明专利]肖特基二极管用外延片及其制备方法-CN201510725976.X在审
发明人：李仕强;王东盛;苗操;李亦衡;魏鸿源;严文胜;张葶葶;朱廷刚 -专利权人：江苏能华微电子科技发展有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管用外延片及其制备方法，该外延片位错少、晶体质量更好。该肖特基二极管用外延片，包括层叠的衬底及成核层，所述成核层为多层且依次层叠。所述成核层的层数为2~6层。所述成核层均为GaN层或AlN层。所述外延片还包括非掺杂层、重掺杂层及轻掺杂层，所述衬底、成核层、非掺杂层、重掺杂层、轻掺杂层依次层叠。
肖特基二极管用外延及其制备方法

[发明专利]一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法-CN201010273166.2有效
发明人：潘群峰;吴志强;黄少华 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-09-06 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具有电流阻挡层氮化镓基发光二极管的制作方法，在蓝宝石衬底上自下而上依次由n型氮化镓基外延层、有源层、p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层构成成氮化镓基发光外延层；在氮化镓基发光外延层之上定义电流阻止区，在电流阻止区的非掺杂氮化镓基外延层之上镀一金属层作为掩膜以覆盖整个电流阻止区；采用电化学蚀刻将电流阻止区之外的非掺杂氮化镓基外延层去除；去除掩膜金属层；在p型氮化镓基外延层和非掺杂氮化镓基外延层上制作透明导电层；在电流阻止区范围内的透明导电层上制作p电极。利用电化学蚀刻选择性定义电流阻挡层，避免了干法蚀刻带来的损伤和钝化问题，获得基于非掺杂外延层的具有电流阻挡效应的氮化镓基发光二极管。
一种具有电流阻挡氮化发光二极管制作方法

[发明专利]高频率大功率的沟槽MOS场效应管-CN202210164391.5有效
发明人：张孝忠;刘华清;刘虹 -专利权人：山东晶芯科创半导体有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明属于沟槽MOS场效应管技术领域，具体公开了一种高频率大功率的沟槽MOS场效应管，其包括管内本体，管内本体包括最底层的衬底层以及在衬底层上形成的N掺杂外延层，所述N掺杂外延层顶部向下形成有沟槽和P深阱，所述的沟槽底部为N掺杂外延层；所述的N掺杂外延层顶部还设置P型掺杂层，所述的P型掺杂层在非沟槽位置且所述的P型掺杂层在非P深阱位置，所述P型掺杂层顶部设置栅氧化层，所述的沟槽与N掺杂外延层交界位置也设置栅氧化层，所述N掺杂外延层形成时在底部形成预留槽，预留槽用于测试与外连接，所述的预留槽与N掺杂外延层之间设置过渡掺杂层，所述过渡掺杂层掺杂物质与掺杂浓度被配置“可还原N掺杂外延层的整体半导体特性”。
频率大功率沟槽 mos 场效应

[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法-CN201510032635.4有效
发明人：张武斌;韩杰;周飚;胡加辉;魏世祯 -专利权人：华灿光电(苏州）有限公司
申请日： 2015-01-22 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括依次在衬底上生长缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、有源层、P型电子阻挡层、P型GaN层；其中，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力为10～200torr。本发明通过将非掺杂GaN层和N型GaN层的生长压力限定为10～200torr，非掺杂GaN层和N型GaN层的生长速率较慢，使得设置在衬底底部的基盘可以将热量及时沿着外延层的生长方向均匀传递，减小了在生长非掺杂GaN层和N型GaN层时，外延片的上下表面之间的温差，缓解了外延片的凹形形变，外延片周边的温度可以达到要求温度，外延片周边的晶体质量提高。
一种发光二极管外延制造方法

[发明专利]一种GaN基HEMT器件外延结构-CN201711443679.1在审
发明人：何佳琦;王书昶;孙智江 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaN基HEMT器件外延结构，包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、双掺杂GaN层、本征GaN沟道层、AIN隔离层、双掺杂AlxGa1‑xN势垒层和GaN盖帽层；其中，双掺杂GaN层包括自上而下依次设置的n型掺杂GaN外延层、非掺杂GaN外延层和p型掺杂GaN外延层；双掺杂AlxGa1‑xN势垒层包括自下而上依次的n型掺杂AlxGa1‑xN外延层、非掺杂AlxGa1‑xN外延层和p型掺杂AlxGa1‑xN外延层，且双掺杂AlxGa1‑xN势垒层中Al元素的摩尔含量x满足0.2层较薄，仍能够获得具有较强极化效应的AlGaN/GaN异质结HEMT器件。
双掺杂势垒层外延层外延结构依次设置非掺杂高压高频极化效应成核层盖帽层隔离层缓冲层异质结本征衬底

[发明专利]GaN基发光二极管外延结构及其制备方法-CN201910802190.1在审
发明人：卢国军;游正璋 -专利权人：映瑞光电科技(上海)有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：依次叠设的衬底、N型外延层、量子阱发光层、电子阻挡层和P型外延层，其中，量子阱发光层包括多个交替叠设的势阱和势垒，势垒包括依次叠设的第一非掺杂层、P型掺杂掺层、第二非掺杂层、N型掺杂层和第三非掺杂层，其禁带宽度依次为Eg1、Eg2、Eg3、Eg4和Eg5，Eg1＜Eg2＜Eg3，Eg5＜Eg4＜Eg3。上述势垒包括多层结构，各势垒的禁带宽度自第二非掺杂层向两侧逐渐变窄，使得N型掺杂层中的电子和P型掺杂层中的空穴沿禁带变窄方向流入势阱，在势阱内复合发光，提高发光亮度。
非掺杂层势垒叠设禁带势阱外延结构发光层量子阱空穴电子阻挡层多层结构复合发光逐渐变窄变窄衬底制备发光申请

[发明专利]生长在LiGaO₂衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法-CN201210534778.1有效
发明人：李国强;杨慧 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片，包括由下至上依次排列的LiGaO2衬底、非极性m面GaN缓冲层、非极性m面GaN外延层、非极性非掺杂GaN层、非极性n型掺杂GaN薄膜、非极性InGaN/GaN量子阱层、非极性p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了上述生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的非极性蓝光LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。
生长 ligao sub 衬底极性 led 外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延生长方法-CN201410421863.6有效
发明人：焦建军;黄炳源;周德保;康建;梁旭东 -专利权人：圆融光电科技有限公司
申请日： 2014-08-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管外延生长方法。该方法包括在衬底上，从下至上依次生长缓冲层、非掺杂层、N型掺杂层、量子阱发光层和P型掺杂层，非掺杂层采用退火过程与调节反应室内的生长环境相交替的方式进行生长，其中，生长环境包括生长温度和生长速率。通过采用退火过程与调节反应室内非掺杂层的生长温度和生长速率交替的生长方式生长非掺杂层，可以有效地改善外延在高温下的翘曲度，进而提高外延波长分布的均匀性和LED的质量。
发光二极管外延生长方法

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