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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]光学记录介质-CN201010113857.6无效
  • 太田辉之;渡边诚;福岛义仁 - 索尼公司
  • 2010-02-05 - 2010-08-18 - G11B7/24
  • 本发明公开了一种光学记录介质，包括：基底；形成在基底上的信息记录层，信息信号通过照射光线来在信息记录层中记录以及从其中再现；其中，信息记录层包括反射层、形成在反射层上的电介质层和形成在电介质层上的记录层，电介质层包括第一电介质层和第二电介质层，并且位于反射层侧的第二电介质层的热导率大于位于记录层侧的第一电介质层的热导率。
  • 光学记录介质
  • [发明专利]光学记录/再现方法和光学记录介质-CN03806230.5无效
  • 官田一智;太田辉之;渡辺诚;福岛义仁 - 索尼株式会社
  • 2003-02-06 - 2005-07-20 - G11B11/105
  • 一种光记录/再现方法，可以在具有波长选择在780nm±10nm范围内的记录和再现光、以及物镜的数值孔径NA选择在0.45±0.01范围内的光学系统中使用，其中记录和再现具有不同记录容量的第一和第二光记录介质。通过利用具有至少1.5μm直到1.7μm的轨道间距Tp1和至少70nm直到90nm的凹槽深度d1的基底来形成所述第一光记录介质(10)，通过利用具有至少1.2μm直到1.3μm的轨道间距Tp2和至少150nm直到180nm的凹槽深度d2的基底(11)来构成所述第二光记录介质(20)。这样，第二光记录介质能与现有光盘(第一光记录介质)兼容，并以高记录密度记录运动图像。
  • 光学记录再现方法介质
  •  1 
  • 共 4 条
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