[发明专利]光学记录介质无效
| 申请号： | 201010113857.6 | 申请日： | 2010-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101807412A | 公开（公告）日： | 2010-08-18 |
| 发明（设计）人： | 太田辉之;渡边诚;福岛义仁 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/24 | 分类号： | G11B7/24 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 王安武;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光学记录介质，包括：基底；形成在基底上的信息记录层，信息信号通过照射光线来在信息记录层中记录以及从其中再现；其中，信息记录层包括反射层、形成在反射层上的电介质层和形成在电介质层上的记录层，电介质层包括第一电介质层和第二电介质层，并且位于反射层侧的第二电介质层的热导率大于位于记录层侧的第一电介质层的热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种光学记录介质，包括：基底；和形成在所述基底上的信息记录层，通过照射光线将信息信号记录在所述信息记录层中以及从其中再现信息信号；其中，所述信息记录层包括反射层，形成在所述反射层上的电介质层，以及形成在所述电介质层上的记录层，所述电介质层包括第一电介质层和第二电介质层，并且位于所述反射层侧的所述第二电介质层的热导率大于位于所述记录层侧的所述第一电介质层的热导率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010113857.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：座垫束紧机构
- 下一篇：触控面板感应层的加工方法
