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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211399394.3在审
发明人： 成旼哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件，包括：位线；氧化物半导体柱，从位线竖直延伸；电容器，设置在氧化物半导体柱之上；以及字线，设置在氧化物半导体柱的侧壁之上，其中，氧化物半导体柱包括：下氧化物半导体界面层，耦接到位线；上氧化物半导体界面层，耦接到电容器；以及氧化物半导体沟道层，设置在下氧化物半导体界面层和上氧化物半导体界面层之间。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210820477.9在审
发明人： 成旼哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个位线结构，其被形成为在半导体衬底之上彼此间隔开；第一间隔件，其被形成在每个位线结构的两个侧壁上；下插塞，其被形成在位线结构之间并且与半导体衬底接触；上插塞，其位于下插塞之上并且具有比下插塞大的线宽；中间插塞，其位于下插塞与上插塞之间并且具有比下插塞的线宽更小的线宽；以及第二间隔件，其位于中间插塞与第一间隔件之间，其中，第二间隔件比第一间隔件厚。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于提供无线充电功能的电子装置及其操作方法-CN202080063195.8在审
发明人：尹德元;金旼俊;金钟宪;朴炳求;成旼哲;孙东震 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-10 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：提供了一种电子装置。该电子装置包括无线充电功能及其方法，支持无线充电充能的电子装置可以包括：壳体；第一传感器层，其设置在壳体内并且包括第一电极图案和形成在第一电极图案中的多个第一开口；第二传感器层，其设置在第一传感器层下方并且包括第二电极图案和形成在第二电极图案中的多个第二开口；以及无线充电线圈，其设置在第二传感器层下方并且被配置为经由多个第一开口和多个第二开口以无线方式发送电力。
用于提供无线充电功能电子装置及其操作方法

[发明专利]具有传感器模块的电子设备-CN201711334330.4有效
发明人：卢焕明;具永权;金泰完;成旼哲;李承运 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-12-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F3/0354 文献下载
摘要：根据各种示例性实施例，公开了一种电子设备。所述电子设备包括：壳体，具有面向第一方向的第一表面和面向相反的第二方向的第二表面。所述第一表面的第一区域包括多个可选择的输入按键。所述第一表面的第二区域不包括所述多个按键。传感器模块(例如指纹传感器)安装到所述第一区域。
具有传感器模块电子设备

[发明专利]具有电熔丝的半导体器件及制造其的方法-CN201510883590.1有效
发明人： 成旼哲 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：一种电熔丝，包括：衬底，包括被隔离区彼此间隔开的第一有源区和第二有源区；第一编程栅极和第二编程栅极，彼此平行地安置在第一有源区之上；单个选择栅极，安置在第二有源区之上；共享掺杂区，形成在第一编程栅极与第二编程栅极之间的第一有源区中；第一掺杂区和第二掺杂区，形成在选择栅极两侧的第二有源区中；第一金属线，适用于将共享掺杂区电耦接至第一掺杂区；以及第二金属线，连接至第二掺杂区。
具有电熔丝半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010259083.8无效
发明人： 成旼哲 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-18 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：蚀刻半导体基板以形成多个柱；在柱的侧壁上沉积第一保护膜；首先用沉积有第一保护膜的柱作为掩模蚀刻所述半导体基板；在所述柱的侧壁以及经首次蚀刻的半导体基板上形成第一绝缘膜；用包括第一绝缘膜的柱作为掩模再次蚀刻半导体基板；在经再次蚀刻的半导体基板的表面上形成第二保护膜和第二绝缘膜；在包括第二绝缘膜的柱的侧壁上沉积阻挡膜；以及移除位于柱的一个侧壁处的第一绝缘膜、第二绝缘膜和阻挡膜以形成由第一保护膜与第二保护膜限定的触点孔。
半导体器件及其制造方法

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