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[发明专利]欠压保护电路-CN202010555850.3在审
发明人：龚晓寒;盛云 -专利权人：苏州纳芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H02H3/24 文献下载
摘要：本发明提供了欠压保护电路，所述欠压保护电路包括电源电压、与电源电压相连接的阈值模块及与阈值模块相连接的开关模块；所述阈值模块输出阈值电压，所述开关模块接收阈值电压并输出开关信号，所述开关信号包括断开信号和闭合信号，所述阈值模块接收开关信号以对阈值电压进行调整；当电源电压大于阈值电压时，开关模块输出闭合信号，阈值电压降低；当电源电压小于阈值电压时，开关模块输出断开信号，阈值电压升高。因而，本发明中，电源电压通过阈值模块可直接产生阈值电压，因而不需要另外设置参考电压的建立电路，因而可以实现快速响应。
保护电路

[发明专利]阈值电压调整装置和阈值电压调整方法-CN202010870857.4有效
发明人：安友伟;万碧根;马亮;张登军;刘大海 -专利权人：珠海博雅科技股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阈值电压调整装置和阈值电压调整方法，涉及存储器技术领域。阈值电压调整装置，包括：测试单元，用于根据地址信息提供读操作控制信号给存算一体电路，以读取待调整阈值电压的多个存储单元的输出电流值，并且计算得到输出电流值与目标电流值之间的最小差值；查表单元，用于根据最小差值，通过算法查找操作电压值‑时间值表格以获得最佳的写操作电压值和写操作时间值；控制单元，用于根据地址信息、写操作电压值和写操作时间值提供写操作控制信号；存算一体电路，用于根据写操作控制信号，对待调整阈值电压的多个存储单元执行写操作，以实现该多个存储单元的阈值电压调整。减小了存储一体电路中存储单元的阈值电压偏差。
阈值电压调整装置方法

[发明专利]闪存存储器的操作方法以及闪存存储器-CN202110726208.1有效
发明人：郭晓江 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存存储器的操作方法以及闪存存储器，闪存存储器包括多个多位存储单元，均可被编程于多阶编程阈值电压其中之一阶，多阶编程阈值电压具有对应的各阶电压值分布区以及各阶预定读取电压，该操作方法包括：检测多阶编程阈值电压中的目标阶编程阈值电压的目标阶实际阈值电压，根据目标阶实际阈值电压，设定目标阶编程阈值电压对应的补偿读取电压，本发明提供操作方法，会根据检测出的多位存储单元在发生电子从浮栅泄露后的目标阶实际阈值电压而设定目标阶编程阈值电压所对应的补偿读取电压，从而避免了因为使用该目标阶编程阈值电压对应的预定读取电压对多位存储单元进行数据读取而发生读取错误的问题出现。
闪存存储器操作方法以及

[实用新型]一种电压比较器-CN201621476175.0有效
发明人：王品 -专利权人：深圳玩智商科技有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：本实用新型属于电子技术领域，提供了一种电压比较器，包括主控制器、滤波单元及电压比较单元；主控制器输出脉宽调制信号，滤波单元对脉宽调制信号进行滤波处理后得到阈值电压，电压比较单元将阈值电压与待检测电压进行电压比较处理后根据比较结果输出脉冲信号，主控制器实时检测阈值电压，主控制器将阈值电压与目标电压进行比较，根据比较结果对脉宽调制信号的占空比进行调节，不同占空比的脉宽调制信号经过滤波单元进行滤波处理后得到不同的阈值电压，因此能够根据需要将阈值电压调整为所需的阈值电压，从而实现对阈值电压的自动调节，有效的解决现有的电压比较器阈值电压调节效率低和调制精度低的问题。
一种电压比较

[发明专利]使用无模型回归的读取阈值优化系统和方法-CN202110202225.5在审
发明人：张帆;哈曼·巴蒂亚;吕宣宣;美萨姆·阿沙迪;王浩博 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种读取阈值优化系统和方法。控制器使用无模型回归优化存储器装置的读取阈值。控制器使用读取阈值电压值对单元执行读取操作。控制器测量多个读取阈值电压值的概率值，并且使用设置的回归公式基于多个读取阈值电压值和所测量的概率值来估计阈值电压分布曲线。控制器确定与阈值电压分布曲线上的设定点相对应的读取阈值电压值，并且使用读取阈值电压值对单元执行读取操作。
使用模型回归读取阈值优化系统方法

[发明专利]一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统-CN202011641118.4有效
发明人：王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于闪存的阈值分布拟合方法、装置及系统，对初始阈值电压分布中的多个电压区间内的存储单元分布进行拟合，得到第一拟合正态分布参数，之后可以对相邻的两个阈值电压分布态中的一个进行拟合，具体的，已拟合阈值电压分布态和待拟合阈值电压分布态为相邻的两个阈值电压分布态，则在得到已拟合阈值电压分布态的第二拟合正态分布参数后，可以根据第二拟合正态分布参数后拟合得到待拟合阈值电压分布态的第三拟合正态分布参数本申请实施例中，可以依次进行阈值电压分布态的拟合，对阈值电压分布态的拟合过程中只参考在前拟合得到的与该阈值电压分布态相邻的阈值电压分布态的拟合正态分布参数，减少了数据计算量，提高拟合效率。
一种用于闪存阈值分布拟合方法装置系统

[发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780094793.X有效
发明人：铃木健一;宫泽亘 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10，控制第三电极电压；第一电极电流检测部20，用于检测开关元件200处流通的第一电极电流；记忆部30，用于包含记忆初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及阈值电压的漏极电极特性；以及阈值电压计算部40，根据：包含第一电极电流、初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及与阈值电压的第一电极电流特性有关的信息，来计算出开关元件200运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部根据通过阈值电压计算部40计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
开关元件控制电路以及功率模块

[发明专利]一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法-CN201110384038.X有效
发明人：魏峥颖 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种简化多阈值电压的制程光罩层数的方法，其中，包括如下具体步骤：步骤a、通过N阱区的光罩对于PMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤b、通过P阱区的光罩对于NMOS的不同阈值电压区域进行阱离子注入和常规阈值电压离子注入；步骤c、使用一张光罩同时在所述NMOS的高阈值电压区域和所述PMOS的低阈值电压区域同时掺杂；步骤d、使用一张光罩同时在所述PMOS的高阈值电压区域和所述NMOS的低阈值电压区域进行掺杂。本发明的有益效果是：在工艺上满足了多阈值电压共存的需求，同时又对工艺流程进行了简化，达到了减少光罩层数的目的，使产品成本降低。
一种简化阈值电压制程光罩层数方法

[发明专利]CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法-CN201610414190.0有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件、PMOS器件及NMOS器件的形成方法，CMOS器件的形成方法包括：对PMOS区域的不同区域进行第一阈值电压掺杂处理和第二阈值电压掺杂处理，第一阈值电压掺杂处理浓度小于第二阈值电压掺杂处理浓度；且在PMOS区域不同区域的栅介质层上形成的P型功函数层厚度不同；对NMOS区域的不同区域进行第三阈值电压掺杂处理和第四阈值电压掺杂处理，第三阈值电压掺杂处理浓度大于第四阈值电压掺杂处理浓度；且在NMOS本发明形成的器件具有不同阈值电压，且不同器件之间的阈值电压差值较大，满足器件性能的需求。
cmos 器件 pmos nmos 形成方法

[发明专利]确定锁相环PLL带宽特性的方法、装置和系统-CN201010582775.6有效
发明人：克里斯蒂·古;安德鲁·甲库伯;欧拉·皮特森;安德鲁·埃莫瑞科;李冰新 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：Loop，锁相环)环路带宽特性的方法和装置，包括受调谐电压控制的压控振荡器VCO(53)。本发明实施例中，将调谐电压分别与低阈值电压和高阈值电压进行比较，并通过调整分频值使得调谐电压发生振荡。这里调整分频值是用于在PLL的控制下，使调谐电压在达到低阈值电压时，向高阈值电压转变；在达到高阈值电压时，向低阈值电压转变。通过对计数参考时钟周期来计算调谐电压在低阈值电压和高阈值电压之间进行振荡的周期。比较参考时钟周期的计数值和时钟周期的参考数，来决定PLL的相关环路带宽。
确定锁相环 pll 带宽特性方法装置系统

[发明专利]半导体制造方法-CN201210146730.3有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-05-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：写端口包括：具有第一阈值电压的第一组器件和具有第二阈值电压的第二组器件，第二阈值电压大于第一阈值电压。读端口包括：具有第三阈值电压的第三组器件，第三阈值电压小于第一阈值电压。
半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201810570899.9有效
发明人：张丽杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，在依次完成鳍片、隔离结构以及栅氧化层的制造之后，才进行阈值电压调整离子注入，这样可以避免在鳍片形成之后对鳍片进行阈值电压调整离子注入的离子在后续的栅氧化层制造工艺中的损失，因此可以增加鳍片中的用于阈值电压调整的离子的保持效率，进而实现更高的阈值电压，改善多阈值电压器件中的阈值电压范围和阈值电压间隔。
半导体器件制造方法

[发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780094798.2有效
发明人：铃木健一;宫泽亘 -专利权人：新电元工业株式会社
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明的开关元件控制电路100，包括：第三电极电压控制部10；温度检测部20；第一电极电流检测部30；记忆部40，用于记忆包含初期阈值电压的信息、以及阈值电压的运作温度·第一电极电流特性；以及阈值电压计算部50，根据：包含初期阈值电压、开关元件的运作温度以及第一电极电流的信息、以及与阈值电压的运作温度·第一电极电流特性有关的信息，来计算出开关元件200运作时的阈值电压，其中，第三电极电压控制部10根据通过阈值电压计算部50计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100，即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下，也能够减小开关损耗。
开关元件控制电路以及功率模块

[发明专利]图像显示方法、图像显示结构及显示装置-CN202180002491.1在审
发明人：李慧慧;鲍文超;孟松;许静波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方卓印科技有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：所述图像显示方法包括：建立子像素的阈值电压和补偿电压之间的对应关系表；所述对应关系表包括至少一个调节区间，所述调节区间包括第一阈值电压端点值和第二阈值电压端点值，所述第一阈值电压端点值小于所述第二阈值电压端点值；在所述调节区间内，所述补偿电压为定值。获取各子像素的阈值电压。根据所述对应关系表，确定所述阈值电压所在的调节区间。根据所述对应关系表和所述调节区间，获取所述阈值电压对应的补偿电压。在所述显示装置要显示黑画面的情况下，根据所述阈值电压和所述补偿电压，确定所述子像素所需要的数据电压。
图像显示方法结构显示装置

[发明专利]一种存储器的纠错方法、纠错装置和数据刷新方法-CN202110694331.X有效
发明人：王颀;杨柳;何菁;李前辉;于晓磊;霍宗亮;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G11C29/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种存储器的纠错方法及装置，确定阈值电压分布态的初始电压位置，确定所述阈值电压分布态的左移电压位置；根据所述阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，删除所述阈值电压分布态的至少一个分布态，以增大所述阈值电压分布态之间的电压间隔。由此可见，本申请实施例中通过确定阈值电压分布态的初始电压位置和左移电压位置，能够确定存储器是否发生了数据保持错误，当发生数据保持错误之后，删除阈值电压分布态的至少一个分布态，增大阈值电压分布态之间的电压间隔
一种存储器纠错方法装置数据刷新