专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]新型共聚物-CN202280013811.8在审
  • 金谷良;铃木健一;千田司;藤卷畅宏;越后真梨那;三浦诚司 - 兴和株式会社
  • 2022-02-07 - 2023-10-13 - C08F220/10
  • 本发明提供一种能够用于药物递送技术的新型共聚物。更详细而言,提供一种以肿瘤为标靶的药物递送载体用新型共聚物。本发明涉及一种包含下式(A)、(B)和(C)所示的结构单元的共聚物。#imgabs0#[式中,R1、R2和R3相同地或不同地表示氢原子或C1‑3烷基,R4表示C1‑3烷基,R5表示氢原子、C1‑18烷基、可具有取代基的3~8员环烷基、金刚烷基、可具有取代基的C6‑18芳基、或可具有取代基的5~10员杂芳基,X1、X2和X3相同地或不同地表示氧原子、硫原子或N‑R7,R6表示氢原子、离去基团或连接基,R7表示氢原子或C1‑3烷基,m表示1~100的整数,n表示0~3的整数。]。
  • 新型共聚物
  • [发明专利]功率模块-CN201780097628.X有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-12-22 - 2023-09-22 - H02M1/00
  • 本发明的功率模块1包括:开关元件200;温度检测部10,其检测开关元件200的运作温度T;控制电极电压控制部20,其根据基于包含有通过温度检测部10所检测出的开关元件200的运作温度T的信息所算出的开关元件200的运作时的阈值电压Vth来对控制电极电压进行控制;以及开关速度控制部30,其根据由温度检测部10所检测出的开关元件200的运作温度T来控制开关元件200的开关速度。根据本发明的功率模块1,能够减小开关元件的开关损耗,且能够更为减小综合损耗的温度变动。
  • 功率模块
  • [发明专利]功率模块-CN201780097627.5有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-12-22 - 2023-09-08 - H02M1/08
  • 本发明的功率模块1被构成为在控制模式与劣化判定模式之间切换实施,控制模式对具有第一电极、第二电极以及第三电极的开关元件200的导通/断开运作进行控制,劣化判定模式根据包含有在向开关元件提供应力电流前所检测出的阈值电压与在向开关元件提供应力电流后所检测出的阈值电压的信息来算出ΔVgs,并根据包含有ΔVgs的信息来判定器件是否劣化。根据本发明的功率模块1,由于能够在运作时判定是否劣化,因此就能够防止器件破损,并且,还能够提升工作效率且降低成本。
  • 功率模块
  • [发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780094798.2有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-09-25 - 2023-07-18 - H02M1/08
  • 本发明的开关元件控制电路100,包括:第三电极电压控制部10;温度检测部20;第一电极电流检测部30;记忆部40,用于记忆包含初期阈值电压的信息、以及阈值电压的运作温度·第一电极电流特性;以及阈值电压计算部50,根据:包含初期阈值电压、开关元件的运作温度以及第一电极电流的信息、以及与阈值电压的运作温度·第一电极电流特性有关的信息,来计算出开关元件200运作时的阈值电压,其中,第三电极电压控制部10根据通过阈值电压计算部50计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100,即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下,也能够减小开关损耗。
  • 开关元件控制电路以及功率模块
  • [发明专利]半导体模块-CN201780097651.9有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-12-19 - 2023-07-14 - H03K17/687
  • 本发明的半导体模块包括:半导体基体;开关元件,其具有第一电极、第二电极、以及栅电极,并通过向所述栅电极施加规定的栅极电压来进行所述第一电极·所述第二电极间的导通/断开;控制电路部,其控制所述栅极电压;以及电流检测元件,其检测流通于所述开关元件的所述第一电极·所述第二电极间的电流,其中,所述开关元件、所述控制电路部、以及所述电流检测元件被搭载于所述半导体基体,所述电流检测元件是罗氏线圈。本发明的半导体模块具有:即使开关元件在因制造偏差而使栅极电压的阈值各不相同,也能够分别掌握适当的阈值,并能够分别进行适当的导通/断开控制等效果。
  • 半导体模块
  • [发明专利]电动机驱动装置-CN201880052627.8有效
  • 今田裕介;铃木健一 - 松下知识产权经营株式会社
  • 2018-07-24 - 2023-06-20 - H02P29/40
  • 电动机驱动装置是基于扭矩指令来控制在电动机中流动的电动机电流的电动机驱动装置,该电动机驱动装置具备基于扭矩指令和电动机的电动机速度来生成用于对电动机的静止摩擦扭矩进行补偿的摩擦补偿扭矩指令的摩擦补偿器。摩擦补偿器根据扭矩指令相对于扭矩指令的前一扭矩指令的变化量的符号来生成摩擦补偿扭矩指令。电动机驱动装置基于补偿后扭矩指令来控制电动机电流,该补偿后扭矩指令是通过将扭矩指令加上摩擦补偿扭矩指令来生成的。
  • 电动机驱动装置
  • [发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780088739.4有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-04-25 - 2023-06-02 - H03K17/687
  • 本发明的开关元件控制电路100,在对开关元件200的阈值电压进行测定的测定模式与对开关元件200的ON/OFF运作进行控制的控制模式之间实施切换,其特征在于,包括:阈值电压测定用电源10;第三电极电压控制部20;ON/OFF状态判定部30;以及记忆部40,将施加于第三电极的第三电极电压作为开关元件的阈值电压进行记忆,其中,第三电极电压控制部20在控制模式下,在将开关元件200变为ON状态时,根据记忆部40中记忆的包含有阈值电压的信息来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100,能够减小开关元件的开关损耗,并且,能够切实地控制控制开关元件的ON/OFF运作,而且,还能够提高生产效率。
  • 开关元件控制电路以及功率模块
  • [发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780094793.X有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-09-25 - 2023-05-26 - H02M1/08
  • 本发明的开关元件控制电路100,包括:第三电极电压控制部10,控制第三电极电压;第一电极电流检测部20,用于检测开关元件200处流通的第一电极电流;记忆部30,用于包含记忆初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及阈值电压的漏极电极特性;以及阈值电压计算部40,根据:包含第一电极电流、初期阈值电压以及初期第一电极电流的信息、以及与阈值电压的第一电极电流特性有关的信息,来计算出开关元件200运作时的阈值电压,其中,第三电极电压控制部根据通过阈值电压计算部40计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100,即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下,也能够减小开关损耗。
  • 开关元件控制电路以及功率模块
  • [发明专利]开关元件控制电路以及功率模块-CN201780094787.4有效
  • 铃木健一;宫泽亘 - 新电元工业株式会社
  • 2017-09-21 - 2023-05-26 - H02M1/08
  • 本发明的开关元件控制电路100,包括:第三电极电压控制部10,控制第三电极电压;温度检测部20,用于检测开关元件的运作温度;记忆部30,用于记忆初期阈值电压、测定初期阈值电压时的初期温度、以及阈值电压的温度特性;以及阈值电压计算部,根据:包含通过温度检测部检测出的开关元件的运作温度、初期阈值电压以及测定初期阈值电压时的开关元件的初期温度的信息、以及与开关元件处的阈值电压的温度特性有关的信息,来计算出开关元件运作时的阈值电压,其中,第三电极电压控制部根据通过阈值电压计算部计算出的运作时的阈值电压来控制第三电极电压。根据本发明的开关元件控制电路100,即便是在运作时的阈值电压从初期阈值电压发生变动的情况下,也能够减小开关损耗。
  • 开关元件控制电路以及功率模块
  • [发明专利]R-T-B系永磁体-CN202211394835.0在审
  • 铃木健一 - TDK株式会社
  • 2022-11-08 - 2023-05-12 - H01F1/057
  • 永磁体包含多个主相颗粒。多个主相颗粒含有R、T和B。在永磁体的截面中形成有多个空隙。截面与永磁体的易磁化轴方向大致平行。截面中的多个空隙的面积率为1%以上5%以下。截面中与易磁化轴方向垂直的方向表示为AB方向。截面中各空隙各自延伸的方向表示为VD。AB方向与VD之间的角度表示为θ。截面中的空隙的频数分布的横轴表示θ。频数分布的横轴的范围为0°以上180°以下。频数分布在θ为60°以上120°以下的范围内最大。
  • 永磁体
  • [发明专利]R-T-B系永磁体-CN202211394851.X在审
  • 刘丽华;铃木健一 - TDK株式会社
  • 2022-11-08 - 2023-05-12 - H01F1/057
  • R‑T‑B系永磁体含有稀土元素R、过渡金属元素T和B。R‑T‑B系永磁体至少含有Nd作为R。R‑T‑B系永磁体至少含有Fe作为T。R‑T‑B系永磁体包含多个主相颗粒和多个空隙。多个主相颗粒至少含有R、T和B。R‑T‑B系永磁体的任意截面中的多个空隙的面积率大于0.2%且为2%以下。
  • 永磁体

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