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[发明专利]像素驱动电路、阵列基板、显示装置和像素驱动方法-CN201310746150.2有效
发明人：胡祖权;公伟刚 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：该像素驱动电路可包括：驱动单元、开关单元、阈值电压补偿模块和发光器件，阈值电压补偿模块分别与扫描信号线、第一控制线、第二控制线、第二电源和开关单元连接，发光器件分别与第二电源和阈值电压补偿模块连接，驱动单元分别与第一电源和阈值电压补偿模块连接，开关单元分别与扫描信号线和数据信号线连接；阈值电压补偿模块包括阈值电压保持单元、防干扰单元、辅助选通单元和充放电控制开关单元。本发明使得发光器件的工作电流与驱动单元的阈值电压无关，从而使得发光器件的发光亮度均匀，进而提高了显示装置的发光亮度的均匀性。
像素驱动电路阵列显示装置方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110203389.6有效
发明人：梁擎擎;朱慧珑;钟汇才 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-07-20 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：根据本发明实施例的半导体器件可以包括：鳍有源区，该鳍有源区设置在绝缘层上；设置在鳍有源区顶部的阈值电压调节层，该阈值电压调节层用于调节所述半导体器件的阈值电压；栅极叠层，该栅极叠层设置在阈值电压调节层上根据本发明的半导体器件包括阈值电压调节层，其可以对半导体器件的阈值电压进行调节。这提供了一种能够调节包括鳍有源区的半导体器件的阈值电压的简便的方式。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]像素装置、用于像素装置的驱动方法和显示设备-CN201710665874.2有效
发明人：张盛东;王翠翠 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本申请公开了像素装置、用于像素装置的驱动方法和显示设备,其中，该像素装置包括：发光器件；发光控制单元，其被配置为响应于发光控制信号来控制所述发光器件是否发光；存储单元，其被配置为存储阈值电压信息以及写入的数据信号；驱动单元，其包括用于驱动所述发光器件的第一晶体管，所述驱动单元耦合至所述发光控制单元和所述存储单元，并且被配置为提取阈值电压信息，并将所述阈值电压信息存储在所述存储单元中，所述驱动单元基于所存储的阈值电压信息以及所写入的数据信号来驱动所述发光器件，其中所述阈值电压信息包括所述第一晶体管的阈值电压信息。本申请中的像素装置能够对驱动晶体管和发光器件的阈值电压漂移进行补偿。
像素装置用于驱动方法显示设备

[发明专利]显示装置以及驱动方法-CN202011605739.7有效
发明人：刘胜科;王振岭 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本申请提供一种显示装置以及驱动方法，该方法包括所述驱动芯片在驱动周期的内部补偿时段对所述驱动晶体管的第一阈值电压漂移进行补偿，所述第一阈值电压漂移由所述驱动晶体管的栅偏压形成，在所述驱动周期的显示时段通过所述驱动晶体管驱动所述显示面板工作，在所述驱动周期的反向补偿时段对所述驱动晶体管的第二阈值电压漂移进行补偿，所述第二阈值电压漂移由所述驱动晶体管的正向电流形成。本申请通过对驱动晶体管的栅偏压形成的阈值电压漂移、以及正向电流形成的阈值电压漂移分别进行补偿，缓解了现有驱动晶体管的阈值电压漂移，提高了产品正常使用寿命。
显示装置以及驱动方法

[实用新型]像素驱动电路、阵列基板和显示装置-CN201320884130.7有效
发明人：胡祖权;公伟刚 -专利权人：合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：该像素驱动电路可包括：驱动单元、开关单元、阈值电压补偿模块和发光器件，阈值电压补偿模块分别与扫描信号线、第一控制线、第二控制线、第二电源和开关单元连接，发光器件分别与第二电源和阈值电压补偿模块连接，驱动单元分别与第一电源和阈值电压补偿模块连接，开关单元分别与扫描信号线和数据信号线连接；阈值电压补偿模块包括阈值电压保持单元、防干扰单元、辅助选通单元和充放电控制开关单元。本实用新型使得发光器件的工作电流与驱动单元的阈值电压无关，从而使得发光器件的发光亮度均匀，进而提高了显示装置的发光亮度的均匀性。
像素驱动电路阵列显示装置

[发明专利]比较装置-CN201210166510.7有效
发明人： T·戴格尔;J·L·斯图兹 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：一种装置包括：接收电压的输入端、阈值电压电路、比较电路和输出端。阈值电压电路在第一输出端处提供可调节的第一阈值电压，并且在第二输出端处提供可调节的第二阈值电压。比较电路确定输入电压何时大于第一电压阈值，包括第一电压阈值被调节为大体上达到高电源电压轨时的情形，并且确定输入电压何时低于第二电压阈值，包括第二电压阈值被调节为大体上低至低电源电压轨时的情形。输出端在输入电压大于第一电压阈值时提供第一指示，并且在输入电压小于第二电压阈值时提供第二指示。
比较装置

[实用新型]比较装置-CN201220240448.7有效
发明人： T·戴格尔;J·L·斯图兹 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H03K5/22 文献下载
摘要：一种装置包括：接收电压的输入端、阈值电压电路、比较电路和输出端。阈值电压电路在第一输出端处提供可调节的第一阈值电压，并且在第二输出端处提供可调节的第二阈值电压。比较电路确定输入电压何时大于第一电压阈值，包括第一电压阈值被调节为大体上达到高电源电压轨时的情形，并且确定输入电压何时低于第二电压阈值，包括第二电压阈值被调节为大体上低至低电源电压轨时的情形。输出端在输入电压大于第一电压阈值时提供第一指示，并且在输入电压小于第二电压阈值时提供第二指示。
比较装置

[发明专利]测量MOS管阈值电压跨导值的方法-CN202210702686.3在审
发明人：张瑜;商干兵;孙万雪 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种测量MOS管阈值电压跨导值的方法，测量获得目标器件的晶体管线性阈值电压；获取Id‑Vg曲线，所述Id‑Vg曲线的横坐标区间为所述晶体管线性阈值电压至预设电压；根据所述Id‑Vg曲线得到最大跨导值本发明根据点测的方式得到的晶体管线性阈值电压，在晶体管线性阈值电压的基础上加上根据以往数据分析的经验值作为测量区间进行扫描，求得Vtgm更加快速、精准。
测量 mos 阈值电压跨导值方法

[发明专利]读写分离的双端口SRAM-CN202011309949.1在审
发明人：李勇 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：存储单元的各MOS晶体管的栅极结构都采用金属栅；第一NMOS下拉管、第一选择管、读选择管和读下拉管的金属栅的功函数层分开设置以调节γ比值和β比值且金属栅的功函数层设置后使第一和二NMOS下拉管具有第一阈值电压、第一和二选择管具有第二阈值电压；读选择管具有第三阈值电压，读下拉管具有第四阈值电压，使第二阈值电压小于第一阈值电压，第四阈值电压小于第三阈值电压。
读写分离端口 sram

[发明专利]一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法-CN201710365036.3有效
发明人：刘刚;李静月;刘锦辉;李苗蕊;王泉 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提出了一种CMOS反相器MOS阈值电压的测量方法，用于解决现有技术无法同时测量已封装CMOS反相器内部NMOS阈值电压和PMOS阈值电压的技术问题，实现步骤为：直流电压源为CMOS反相器施加直流电压，同时信号发生器为CMOS反相器施加脉冲信号；双通道示波器同时采集CMOS反相器的输入电压和输出电压；绘制CMOS反相器一个周期的静态电压传输曲线；计算静态电压传输曲线转换点的增益；绘制转换点增益直线；计算转换点增益直线与静态电压传输曲线重合区间的端点；获取NMOS的阈值电压V_thn和PMOS的阈值电压V_thp。本发明测量效率高，通用性强，可用于数字电路设计和仿真中阈值电压的提取和分析。
阈值电压传输曲线静态电压转换点测量绘制数字电路设计双通道示波器施加信号发生器直流电压源测量效率脉冲信号输出电压输入电压通用性强直流电压重合可用封装采集分析

[实用新型]温度检测电路及使用其的植入式医疗装置-CN201820473360.7有效
发明人：颜雨;陈方雄 -专利权人：苏州景昱医疗器械有限公司
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种温度检测电路，温度检测电路包括：获取温度电压的温度传感电路；获取温度系数为零的基准电流的基准电流生成电路；将基准电流呈比例地镜像修调为修调电流的修调电路；生成准电压和与第一阈值温度对应的阈值电压的电压生成电路；将温度电压与阈值电压相比较的比较电路，若温度电压大于阈值电压，则输出第一控制信号，若温度电压小于等于阈值电压，则输出第二控制信号；本实用新型提出的温度检测电路，生成温度系数可调的基准电流后，再通过修调电路和电压生成电路将基准电流成比例的镜像至基准电压电路和阈值电压电路中以对应生成不受温度变化影响的基准电压和阈值电压
阈值电压温度检测电路基准电流温度电压电路电压生成电路本实用新型温度系数基准电流生成电路植入式医疗装置第二控制信号第一控制信号基准电压电路温度变化影响温度传感电路基准电压输出可调的能耗

[发明专利]一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路-CN201911074924.5有效
发明人：杜凯旋;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;黎轩;高珊;陈军宁 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，包括：依次连接的偏置电流模块、阈值电压差产生模块、以及输出电压调节模块；其中：所述偏置电流模块通过NMOS管实现，NMOS管的阈值电压低于设定值，且NMOS管工作在亚阈值区；所述阈值电压差产生模块，采用了NMOS管阈值电压差来产生基准电压；所述输出电压调节模块，通过宽长比调节电路降低输出的基准电压。其具有超低功耗、面积小和输出基准电压可调的优点。
一种输出电压可调功耗基准电路

[发明专利]有源矩阵显示装置-CN200480025039.3无效
发明人： D·A·菲什;J·R·赫克托尔 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-08-26 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：一种有源矩阵LED显示器，具有用于检测显示元件亮度的光敏装置，和用于测量像素驱动晶体管的阈值电压的阈值电压测量电路。从而，通过光学反馈路径对显示元件的老化提供补偿，并通过测量阈值电压为驱动晶体管阈值改变提供补偿。这提供了一种对阈值电压改变的可靠补偿机制，同时还提供老化补偿。
有源矩阵显示装置

[发明专利]用于离线式单边稳压控制系统的阈值电压补偿器-CN200910048895.5有效
发明人：林立谨 -专利权人：上海源赋创盈电子科技有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种用于离线式单边稳压控制系统的阈值电压补偿器，包括：充电模块，用于在离线式单边稳压控制系统的驱动管导通时开始工作以使所述离线式单边稳压控制系统的阈值电压随时间的增加而增加；参考电压源；控制模块，具有控制信号接入端，用于根据接入的控制信号使所述充电模块在所述驱动管导通时工作，使所述参考电压源在所述驱动管截止时作为所述离线式单边稳压控制系统的阈值电压；阈值电压限压模块，用于使所述阈值电压不超过预设值本发明提供的阈值电压补偿器既能对离线式单边稳压控制器的阈值电压进行补偿，控制输出电流的变化幅度，又能够避免应用时外部元器件的增加，降低了系统控制的复杂度与成本。
用于离线单边稳压控制系统阈值电压补偿

[发明专利]从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法-CN201210067440.X有效
发明人：杨东;黄良喜 -专利权人：北京大学
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公布了一种从SOI PMOSFET中分离两种可靠性效应导致阈值电压漂移的方法，用于在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上应力偏置条件下分离出HCI效应与NBTI效应对器件的阈值电压漂移大小，其特征是，分别在SOI PMOSFET器件的栅端和漏端加上电压，测出其阈值电压漂移量；然后用该阈值电压漂移量减去在相同栅电压下测出的阈值电压漂移量，即可分离出HCI效应与NBTI效应这两种可靠性效应对SOI PMOSFET器件的阈值电压漂移量的不同影响。分离出两种可靠性效应对阈值电压的漂移量大小，能够更好地理解器件在最坏应力偏置条件下的退化机理，以致提出更好的可靠性退化加固方法，同时还能更好地对SOI PMOSFET器件进行建模以及提出更加精确的可靠性寿命预测方法
soi pmosfet 分离可靠性效应导致阈值电压漂移方法