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[发明专利]用于开关转换器的欠压保护电路和用于控制开关转换器的方法-CN202011023385.5有效
发明人： A·帕斯夸;S·图米纳罗;I·里斯西安德拉 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H02H7/125 文献下载
摘要：在实施例中，欠压保护电路包括：监测端子；阈值生成器，供应阈值电压；比较器，将监测端子处的监测电压与阈值电压进行比较；以及逻辑模块，供应启用信号，该启用信号具有足压(brown‑in)逻辑值和欠压(brown‑out当启用信号处于欠压逻辑值时，逻辑模块检查过渡条件和时间条件，该过渡条件与监测电压从低于阈值电压到大于阈值电压的可用过渡的数目有关，该时间条件与在可用过渡之后高于阈值电压的监测电压的持久性有关或与在多个连续可用过渡之后采用汇总方式的高于阈值电压的监测电压的持久性有关
用于开关转换器保护电路控制方法

[发明专利]驱动芯片波形校正方法、装置、存储介质及显示面板-CN201910379004.8有效
发明人：徐枫程 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：获取预先设定的高电平的第一电压以及低电平的第二电压；根据所述第一电压以及所述第二电压设置阈值电压；接收逻辑板发送的时序信号；根据所述阈值电压对所述时序信号进行校正，其中，所述时序信号中低于所述阈值电压的时刻的电压调整为所述第二电压，所述时序信号中高于所述阈值电压的时刻的电压调整为所述第一电压。
驱动芯片波形校正方法装置存储介质显示面板

[发明专利]硅基液晶显示器件的场缓存像素电路-CN201110318341.X有效
发明人：赵博华;黄苒;杜寰;罗家俊;林斌 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基液晶显示器件的场缓存像素电路，包括预充电电路、阈值电压产生电路、采样保持电路和输入数据电压读入电路；所述预充电电路与所述阈值电压产生电路、采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接，所述阈值电压产生电路还分别与所述采样保持电路和所述输入数据电压读入电路连接。本发明在存储输入数据电压时先加上一个阈值电压，抵消了转移电压时存在的阈值损失，从而提高了输出电压的稳定性和一致性，改善了显示效果。
液晶显示器件缓存像素电路

[发明专利]检测电路及包含该检测电路的电源管理系统-CN202111614920.9在审
发明人：谭磊;陈昌彦;张海波 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：还检测电路包括：阈值电压生成电路，用于生成一阈值电压；电压‑电流转换电路，用于将待检测信号相对于所述阈值电压的偏移电压转换成比例电流；以及电流型逐次逼近量化器，用于基于所述比例电流量化得到待检测信号与阈值电压的比较结果或待检测信号在窗口化的量化结果
检测电路包含电源管理系统

[发明专利]缺陷提取方法和缺陷提取系统-CN202111290086.2在审
发明人：彭超;高汭 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种缺陷提取方法和缺陷提取系统，缺陷提取方法包括：提供待测样品，待测样品中存在因应力而产生的栅氧化层缺陷；对待测样品的栅极施加不同的放电电压，获取各放电电压下的阈值电压漂移，阈值电压漂移与放电电压一一对应，根据阈值电压漂移与放电电压的一一对应关系得到阈值电压漂移随放电电压的变化曲线；将待测样品的放电电压转换为栅氧/硅界面处的费米能级相对价带的位置；将待测样品的阈值电压漂移转换为栅氧等效缺陷密度；将待测样品的阈值电压漂移随放电电压的变化曲线转换为待测样品的栅氧等效缺陷密度随待测样品的栅氧
缺陷提取方法系统

[发明专利]半导体元件的驱动装置-CN201810182900.0有效
发明人：皆川启 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：具备：过电流检测电路，其将由将流过半导体元件的电流变换为电压来进行检测的电流检测电路检测出的电流检测电压与过电流检测阈值电压进行比较，来检测流过半导体元件的过电流；保护电路，其在检测出过电流时对所述半导体元件的接通断开驱动进行控制来防止所述半导体元件的热破坏；以及栅极电压检测电路，其在所述半导体元件的栅极电压低于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为第一阈值电压，在栅极电压高于基准电压时将所述过电流检测阈值电压设定为低于第一阈值电压的第二阈值电压。
半导体元件驱动装置

[发明专利]固体摄像装置-CN201180032204.8有效
发明人：石井基范;春日繁孝 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-02-10 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H04N5/3745 文献下载
摘要：第1选择电路在普通模式下选择垂直信号线中的1个来输出所选择的垂直信号线的电压，而在修正模式下输出修正用电压。高位模数转换电路计算与基于第1选择电路的输出的信号电压和2M个阈值电压之差相应的2M个剩余电压，在普通模式下输出与2M个阈值电压中不超过信号电压的最大的阈值电压对应的高位比特的数字值，并且输出与该最大的阈值电压对应的剩余电压，而在修正模式下，输出与2M个阈值电压中任1个选择阈值电压对应的剩余电压。
固体摄像装置

[发明专利]一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法-CN202211491759.5在审
发明人：江雪晨;明志茂;陆裕东;毛景雄;李汝冠;岳龙;杨晓玲 -专利权人：广电计量检测集团股份有限公司;广电计量检测（深圳）有限公司;广州广电计量检测（上海）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC Mosfet阈值电压监测系统及方法，属于SiC Mosfet阈值电压监测技术领域。本发明中控制器与驱动模块和开关模块分别连接；驱动模块与开关模块连接；开关模块与测试回路连接；测试回路与阈值电压采集模块连接；控制器控制驱动模块，通过驱动模块使开关模块动作，开关模块的动作使测试回路在测试脉冲预处理电路与阈值电压检测电路间进行切换本发明考虑了恢复效应，在测试脉冲前施加预处理脉冲，使得测量的阈值电压更准确，实现了测试脉冲预处理电路及阈值电压测试回路间的快速切换，由控制器控制脉冲宽度和上电间隔时间，精度可控，满足测试要求。
一种 sic mosfet 阈值电压监测系统方法

[发明专利]显示面板可靠性评估方法、系统及电子设备-CN202310580746.3在审
发明人：林文勋 -专利权人：乐金显示光电科技（中国）有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G09G3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种显示面板可靠性评估方法、系统及电子设备，该方法包括：对待测面板进行高温老化处理，并基于高温老化时间建立目标测试序列，目标测试序列设有至少一个目标测试位点；在每个目标测试位点，获取待测面板中的所有驱动晶体管的阈值电压实测值；获取阈值电压异常基准值；根据阈值电压实测值、阈值电压异常基准值和高温老化时间生成可靠性评估报告。本发明通过对面板进行高温老化处理，结合不同高温老化节点测量阈值电压，基于扩展数据量识别驱动晶体管的阈值电压超限问题，准确验证像素单元的寿命，提高品质管理水平和显示面板的可靠性。
显示面板可靠性评估方法系统电子设备

[发明专利]存储器系统及其访问方法-CN201410015024.4有效
发明人：李祥邦 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2014-01-14 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：访问方法包含以下步骤对各该存储单元提供M个阈值电压与N个数据位间的一对应关系，其中，该M个阈值电压包含至少一具较高抗干扰能力的阈值电压，与至少一具较低抗干扰能力的阈值电压；以该至少一具较高抗干扰能力的阈值电压，代换在该对应关系中与该至少一具较低抗干扰能力的阈值电压对应的数据位的组合；以及，根据经代换后的该对应关系而存取这些存储单元。
存储器系统及其访问方法

[发明专利]一种有机发光二极管像素电路及显示装置-CN201410217783.9有效
发明人：张丽;胡小叙 -专利权人：上海天马有机发光显示技术有限公司;天马微电子股份有限公司
申请日： 2014-05-21 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种有机发光二极管像素电路及显示装置，用以解决传统的有机发光二极管像素电路由于不同像素单元中的驱动晶体管的阈值电压不同，导致的整个显示面板上图像显示不均匀的问题。本发明实施例提供的有机发光二极管像素电路中的驱动信号生成模块在阈值电压读取阶段读取驱动晶体管的阈值电压并存储，并且在信号加载阶段接收图像数据信号，并根据接收到的图像数据信号和阈值电压读取阶段存储的驱动晶体管的阈值电压生成驱动信号，使得驱动信号与驱动晶体管的阈值电压相关。
一种有机发光二极管像素电路显示装置

[发明专利]MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法-CN200910143705.8有效
发明人：神兆旭;居建华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS晶体管的形成方法及其阈值电压调节方法，MOS晶体管的形成方法包括在半导体衬底上形成栅极结构，穿透栅极结构进行第二离子注入，形成用于调节阈值电压的离子扩散区以及袋状注入区；在栅极结构两侧第二离子注入能量和剂量，根据MOS晶体管的阈值电压确定。本发明方法适用于长沟道和短沟道器件的阈值电压调节，不需要增加额外的阱来单独进行不同尺寸器件阈值电压的平行调节，从而实现了简单、灵活地对阈值电压的调节，缩短了制程工艺周期，节省了成本。
mos 晶体管形成方法及其阈值电压调节

[发明专利]具有HKMG的半导体集成电路-CN201810612049.0有效
发明人：徐翠芹;刘巍 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的半导体集成电路，包括：半导体器件形成于FDSOI衬底结构上，HKMG的功函数层的功函数大小趋于所述顶部半导体层的禁带宽度中间值；FDSOI衬底结构具有半导体器件的阈值电压的调节结构半导体器件的阈值电压的调节结构包括反型沟道掺杂结构和施加衬底偏压结构。通过半导体器件的阈值电压的调节结构对半导体器件的阈值电压进行调节，抵消功函数层对所述半导体器件的阈值电压的影响，并形成阈值电压符合要求的半导体器件。
具有 hkmg 半导体集成电路

[发明专利]集成电路装置-CN200510051070.0有效
发明人：施彦豪;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：具有电荷陷入层的集成电路装置存储有数种偏压排列方式用以改变存储装置的阈值电压，并通过改变阈值电压的高低来记录数字讯号－0或1。传统的存储装置中，在经过多次循环降低及升高阈值电压后，会造成电荷陷入层中的电荷分布不均匀。这样的电荷不均匀效应会干扰了可达到最低的阈值电压。藉由应用电荷平衡偏压排列方式，可使电荷的分布达到平衡而重新恢复操作的最低阈值电压范围。而应用具有高功函数栅极的存储装置可降低电荷平衡偏压操作方式下的最低阈值电压。
集成电路装置

[发明专利]显示面板及其驱动方法-CN201811004718.2有效
发明人：陈江博;孙宏达;宋泳锡 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：一种显示面板及其驱动方法，该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板包括像素单元，像素单元包括发光元件以及用于驱动所述发光元件的第一晶体管；所述第二基板包括第二晶体管；所述第一晶体管的阈值电压特性和第二晶体管的阈值电压特性对应，从而所述显示面板配置为允许通过检测所述第二晶体管的阈值电压来对所述第一晶体管的阈值电压进行补偿。通过设置该第二晶体管，并通过检测该第二晶体管的阈值电压来对该第一晶体管的阈值电压进行补偿，可以有效降低像素电路的复杂度及布线密度。
显示面板及其驱动方法