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[发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202111681786.4在审
发明人：卢越野;刘轶群 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，其中所述半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供一晶圆，晶圆包括至少一个长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区；形成掩膜层于晶圆的上表面，且短沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度大于长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度；去除部分掩膜层，使得长沟道源漏极预设区上的掩膜层厚度少于设定值；将第一掺杂离子注入晶圆的上表面；将第二掺杂离子注入晶圆的上表面；刻蚀晶圆，以在所述晶圆的长沟道源漏极预设区和短沟道源漏极预设区形成沟槽结构；在沟槽结构中生长半导体材料，以形成源区和漏区。通过本发明的半导体器件的制备方法能够改善长沟道区的半导体材料生长的厚度。
半导体器件及其制备方法

[发明专利]感光组件-CN201010264267.3有效
发明人：李威龙;王文哲 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
感光组件

[发明专利]感光组件-CN201010262592.6有效
发明人：李威龙;王文哲 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
感光组件

[发明专利]感光组件-CN200910111517.7有效
发明人：李威龙;王文哲 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L31/113 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
感光组件

[发明专利]感光组件-CN201010261666.4有效
发明人：李威龙;王文哲 -专利权人：华映光电股份有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2009-04-21 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光组件，其特征在于：包含一闸极、闸极绝缘层、一半导体层、一源极、一汲极以及一位于该源极与该汲极间的通道部。该源极与该汲极皆设于该半导体层上，且该源极与该汲极分别具有至少一第一长梳齿电极及至少一第一短梳齿电极与至少一第二长梳齿电极及至少一第二短梳齿电极，且该第一长梳齿电极和该第一短梳齿电极与该第二长梳齿电极和该第二短梳齿电极皆以长短交错的方式排列
感光组件

[实用新型]一种改进的电流模逻辑门-CN201020518774.0有效
发明人：廖健生;黄志敏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：锁存器中包括锁存对管，以及反相复位信号控制管，此反相复位信号控制管的漏极与所述锁存对管的源极均相连，还包括漏极与所述锁存器的反相输出端相连并且源极与所述反相复位信号控制管的源极相连并且宽长比与所述锁存器中复位信号控制的MOS管的宽长比相同的第一MOS管；还包括漏极与所述锁存器的反相输出端相连并且源极与所述反相复位信号控制管的源极相连并且宽长比与所述锁存器中复位信号控制的MOS管的宽长比相同的第二MOS管。
一种改进电流逻辑

[发明专利]半导体结构、半导体器件及其形成方法-CN202310210495.X在审
发明人：沙哈吉·B·摩尔;张正伟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本文公开了用于多栅极器件的波浪形外延源极/漏极结构及其制造方法。示例性器件包括沿着第一方向纵长延伸的第一鳍和第二鳍。第一鳍和第二鳍均具有非凹陷部分和凹陷部分。栅极沿着不同于第一方向的第二方向纵长延伸。合并的外延源极/漏极位于第一鳍的凹陷部分和第二鳍的凹陷部分上。源极/漏极接触件位于合并的外延源极/漏极上。源极/漏极接触件与合并外延源极/漏极之间具有V形界面。源极/漏极接触件在第一鳍和第二鳍的非凹陷部分的顶部下方延伸。本申请的实施例还公开了半导体结构、半导体器件及其形成方法。
半导体结构半导体器件及其形成方法

[发明专利]OLED显示面板及其驱动方法、以及OLED显示装置-CN202210163679.0有效
发明人：向炼;税禹单;余正茂 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明公开了一种OLED显示面板及其驱动方法、以及OLED显示装置，其中本发明一实施例的OLED显示面板包括ESD保护结构，其中：第一薄膜晶体管的漏极与栅极连接并直接连接至地极，源极与第二薄膜晶体管的漏极连接；第二薄膜晶体管的漏极与栅极连接，源极连接至数据信号端；第三薄膜晶体管的漏极与栅极连接并连接至数据信号端，源极与第四薄膜晶体管的漏极连接；第四薄膜晶体管的漏极与栅极连接，源极直接连接至地极，以及其中，第二薄膜晶体管的沟道宽长比大于第一薄膜晶体管的沟道宽长比，第三薄膜晶体管的沟道宽长比大于第四薄膜晶体管的沟道宽长比。本发明提供的OLED显示面板，通过直接接地且设置晶体管沟道宽长比形成漏斗状泄放通路，满足车规ESD保护要求。
oled 显示面板及其驱动方法以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置-CN201610005838.9有效
发明人：吕振华;包智颖;王世君;张勇;肖文俊;许静波 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-01-05 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、阵列基板、显示面板及显示装置，用以保证通电后形成的沟道的宽和长的比值不变，提高显示装置的显示效果。其中薄膜晶体管包括：栅极层，位于栅极层上的源极和漏极，以及位于源极和漏极上的有源层，有源层与源极和漏极电连接，有源层包括：两个平行设置的侧边，且每个侧边与源极朝向漏极的一面所成的锐角为45度。本发明提供的薄膜晶体管，通过将有源层的形状改变：有源层包括：两个平行设置的侧边，且每个侧边与源极朝向漏极的一面所成的锐角为45度，可以使得有源层与源极和/或漏极存在对位偏差时，薄膜晶体管通电后，有源层与源极和漏极之间形成的沟道的宽和长的比不变
薄膜晶体管阵列显示面板显示装置

[发明专利]GaN器件结构及其制备方法-CN202110350256.5有效
发明人：马飞;邹鹏辉;周康;邱士起 -专利权人：浙江集迈科微电子有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种GaN器件结构及制备方法，制备包括：在基底上制备源极辅助图形和漏极辅助图形，二者之间形成栅槽，分别定义栅源间距、栅漏间距及栅长；制备钝化层；制备遮蔽辅助层并基于其去除部分钝化层；制备源极电极和漏极电极；去除遮蔽辅助层以显露栅槽；制备栅电极结构；去除源极辅助图形和漏极辅助图形。本发明通过引入源极辅助图形和漏极辅助图形，预先定义栅长、源‑栅以及栅‑漏的间距，一步完成，后续步骤无需精确光刻对准，工艺可行性、稳定性高，操作简便。
gan 器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置-CN202280007312.8有效
发明人：田口晶英;安田英司 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置(1)，具有在平面视图中为矩形形状的半导体层(40)、形成在第1区域(A1)中的晶体管(10)和形成在第2区域(A2)中的漏极上拉区域(38)；边界线(90)是与半导体层(40)的长边并行的一直线状；第1区域(A1)具有多个源极焊盘(116)及栅极焊盘(119)；第2区域(A2)具有多个漏极焊盘(141)；1个栅极焊盘(119)以在与一方的长边(91)及一方的短边(93)之间完全不夹着其他的源极焊盘(116)的方式配置；1个漏极焊盘(142)是与1个栅极焊盘(119)相同的形状，接近于第2顶点(99)而配置；在多个源极焊盘(116)中，包括长边方向与半导体层(40)的长边平行的长方形或长圆形的源极焊盘
半导体装置

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN202111205151.7在审
发明人：刘轶群 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：可以先对MOS区中各栅极结构两侧的衬底进行刻蚀，以形成用于形成源极和漏极的第一源漏沟槽，然后，再在所述第一源漏沟槽中先沉积一次源漏材料，以形成源漏外延层，然后，再在衬底上形成介质层，再刻蚀介质层，从而使刻蚀后的介质层仅作为短沟道器件的阻挡层，再采用第二次源漏材料沉积工艺，将长沟道器件的第一源漏沟槽填满，从而避免了图形效应影响，在短沟道器件和长沟道器件的源极和漏极完整形成源漏外延层。本发明在短沟和长沟器件源漏沟槽分次生长外延材料，因不需要调节外延生长的参数，保证了外延浓度不受影响；并且，不需要增加掩模层，节省了集成成本，降低复杂度，避免了由增加掩模层产生的缺陷。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种基于堆叠式PN结的多光谱光电探测器-CN202211479892.9在审
发明人：申冲;赵江婷;刘俊;曹慧亮;唐军;王晨光 -专利权人：中北大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于堆叠式PN结的多光谱光电探测器，包括P型衬底、第一生长层、第二生长层、界定层及电极层，所述P型衬底包括从上至下依次堆叠分布的第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱，且第一P阱、第一N阱、第二P阱、第二N阱的长度依次递增；电极层包括源极、漏极及栅极；第一生长层位于P型衬底上方，源极、漏极位于P型衬底上方且在第一生长层两侧，源极、漏极下方设有N阱；界定层位于第一生长层上方，第二生长层位于第一生长层上方且在界定层两侧
一种基于堆叠 pn 光谱光电探测器

[发明专利]半导体装置-CN202110244893.4有效
发明人：浜崎正生;平子正明;大河亮介;加藤亮 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：构成的30μm≤tag60μm的金属层(31)及由Ni构成的金属层(30)、和晶体管(10及20)；晶体管(10及20)在半导体层(40)的主面(40a)侧具有源极电极及栅极电极；半导体层(40)的长边长与短边长之比是1.73以下；源极电极的各电极的面积与周边长之比是0.127以下；源极电极及栅极电极的各面积的总和是2.61mm2以下；源极电极的短边长是0.3mm以下；在平面视中，源极电极的各电极的长度方向与半导体层的长边平行，并且被配置为条状，各自的长边长是0.85mm以上且1.375mm以下。
半导体装置

[发明专利]一种薄膜晶体管充电沟道结构-CN200710099777.8无效
发明人：李欣欣;王威;龙春平 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管充电沟道结构，包括：源极、漏极和沟道区；源极连接有一源极扩展区；漏极连接有一漏极扩展区；源极扩展区和漏极扩展区相对设置，形成一扩展沟道区。其中源极扩展区和漏极扩展区均处于栅极扫描线或栅电极、和半导体层之上，并与之交叠；源极及沟道区呈U型结构；扩展沟道区呈一字形状、锯齿状或波纹状。本发明通过扩展沟道区来增大沟道的宽长比(W/L)以达到增大TFT像素区的充电电流大小的目的，从而能够有效地避免亮点，灰度不均匀等现实不良。
一种薄膜晶体管充电沟道结构

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