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[发明专利]一种泡沫镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列的制备方法-CN201810774287.1有效
发明人：王玉金;阮超;张翰超;谢芳;王诗阳 -专利权人：吉林长玉特陶新材料技术股份有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C22C1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种泡沫镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列的制备方法，包括：步骤一、将原料硝酸盐、氟化铵、尿素加入到盛有去离子水的聚四氟乙烯内衬反应釜中，将泡沫镍圆片置于反应釜液面上，并在泡沫镍圆片顶端涂满胶带，封闭反应釜置于恒温干燥箱中进行水热反应；步骤二、水热反应完成后，得到附载有碱式碳酸盐纳米线阵列的泡沫镍圆片，置于马弗炉中退火，得泡沫镍基氧化物纳米线阵列；步骤三、将泡沫镍基氧化物纳米线阵列置于水平管式炉中，通入碳源气体和高纯氩气载气，升温至350℃，反应30min后停止通入碳源气体并停止加热，继续通入高纯氩气直至管式炉冷却至室温，制得镍基内嵌金属氧化物碳洋葱阵列。
泡沫镍基金属氧化物泡沫镍碳洋葱内嵌圆片制备氧化物纳米线高纯氩气水热反应碳源气体反应釜硝酸盐聚四氟乙烯内衬退火封闭反应釜恒温干燥箱碱式碳酸盐纳米线阵列水平管式炉循环稳定性去离子水停止加热氟化铵管式炉马弗炉胶带镍基载气尿素冷却

[发明专利]一种NiO纳米片/超细纳米线超级电容器材料的制备方法-CN201410181438.4有效
发明人：胡俊青;安磊;郭利;李文尧;徐开兵;刘倩;宋国胜;李博 -专利权人：东华大学
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01G11/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种NiO纳米片/超细纳米线超级电容器材料的制备方法，包括将泡沫镍放入盐酸溶液中，超声处理，洗涤，得到处理后的泡沫镍；将六水合硝酸镍、脲素和水混合，搅拌，得到前躯体溶液；将处理后的泡沫镍放入前躯体溶液中，进行水热反应，反应温度为120℃，时间为6‑8h，冷却至室温，收集泡沫镍，洗涤，干燥，然后升温后退火，即得。本发明制备方法操作简单，不需要复杂设备，成本低廉；制备得到的NiO电极材料为由纳米片以及超细纳米线组成的复合分级结构，不仅具有较高比电容，同时具有良好的倍率性能以及优越的电化学稳定性，是一种优异的超级电容器电极材料
一种 nio 纳米超级电容器材料制备方法

[发明专利]用于透明导电氧化物置换的磁性纳米结构-CN200980143578.X无效
发明人： S·文哈弗贝克;O·那拉玛苏;N·M·克里希纳;V·L·普施帕拉吉;R·古克 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01B1/00 文献下载
摘要：该导电层在平面包含多种磁性纳米结构，所述结构对准成为数个大致平行的连续导电途径，其中磁性纳米结构的密度容许导电层的实质上光学透明度。磁性纳米结构可为纳米颗粒、纳米线或化合物纳米线。磁性化合物纳米线可包含由一层诸如镍或钴的磁性金属所覆盖的纳米银线。再者，磁性化合物纳米线可包含附接至磁性金属纳米线的纳米碳管(carbon nanotube，CNT)。在基材上形成导电层的方法包含：沉积多种磁性纳米结构于基材上以及施加磁场以将纳米结构形成为平行于基材表面的数个导电途径。
用于透明导电氧化物置换磁性纳米结构

[发明专利]超疏水高效冷凝传热纳米界面及其制备方法-CN202210020194.6在审
发明人：高雪峰;高志强;唐秋龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明公开了超疏水高效冷凝传热纳米界面及其制备方法。所述超疏水高效冷凝传热纳米界面由金属纳米线阵列组成，所述金属纳米线阵列中的金属纳米线通过侧向连接避免局部倒伏，且内部不存在因金属纳米线倒伏或团聚形成的微腔缺陷；所述金属纳米线阵列的制备是采用纳米级侧孔分布可控的阳极氧化铝纳米孔模板通过金属纳米电沉积工艺来实现的，所述金属纳米线的材质包括铜、镍、金、银中的任意一种或两种以上的组合；所述超疏水高效冷凝传热纳米界面通过低表面能化学修饰赋予低黏超疏水特性。本发明提供的制备工艺简单、可控，基于此工艺研制的超疏水高效冷凝传热纳米界面在蒸汽工况下具有优越的防水汽穿透、冷凝微滴融合自弹射去除以及高效冷凝传热功能。
疏水高效冷凝传热纳米界面及其制备方法

[发明专利]一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法-CN201410625535.8有效
发明人：张亚非;李忠丽;刘一剑;陈小平;苏言杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2014-11-07 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： B01J27/043 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ni/CdS复合催化剂的制备方法；所述制备方法包括如下步骤：步骤一、制备镍纳米线；步骤二、配制镉盐溶液，并将步骤一所得镍纳米线分散于镉盐溶液中，搅拌均匀，得溶液A；步骤三、配置硫化钠溶液，将硫化钠溶液加入上述溶液A中，并强力搅拌，得硫化镉与镍复合物前驱体，即溶液B；步骤四、将溶液B倒入反应釜内，200℃水热反应15～30h，得Ni/CdS复合催化剂。本发明通过改变反应液中镍纳米线浓度与镉离子的浓度来制备不同Ni-Cd比例的复合催化剂，且在无贵金属的情况下具有较高的光催化产氢性能；同时本发明产物新颖、制备工艺简单易行。
一种 ni cds 复合催化剂制备方法

[发明专利]一种智能磁驱动自修复柔性压敏传感器的制备方法-CN201710298323.7有效
发明人：沈伟;赵博文;杜逸纯;周兴;王丽丽;曹丰;宋冠宇;刘涵;汤强;王俊壹 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2017-05-01 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： G01L1/12 文献下载
摘要：方案为：首先制备出银纳米线和线型针状磁性镍；再合成出具有自修复功能的高分子基体材料；然后将银纳米线和磁性镍混合后加入到上述基体中，再进行交联、固化、成膜；将自修复柔性薄膜封装后，放入磁场中充磁取向，即可获得智能磁驱动自修复柔性压敏传感器优点：1、银纳米线与线型针状磁性镍复配后，线型针状结构能与银线有效架构，导电通路更加有效；2、磁驱动自修复柔性压敏传感器采用二聚酸作为单体单元，使得制成的自修复柔性薄膜具有优异的力学性能；3、对模具施加磁场后易于各向异性磁性镍在高分子基体中定向取向
智能驱动修复柔性传感器及其制备方法

[发明专利]高钼高钒复合材料-CN202310199351.9在审
发明人：陈明华 -专利权人：湖北腾升科技股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C22C49/14 文献下载
摘要：本发明涉及复合辊技术领域，具体公开了一种高钼高钒复合材料，复合材料包括以下重量份原料：钼15‑25份、钒10‑15份、碳化钨45‑55份、镍粉1‑3份、协调双向导配剂4‑8份、改性纳米线剂处理液55‑65本发明复合材料采用碳化钨配合镍粉，再通过高钼高钒协助，增强产品的屈服强度、冲击韧性性能效果，采用改性纳米线剂处理液处理产品原料，通过氧化钛纳米线先经过酸溶液超声处理，增强活性能，通过硼酸铝晶须采用球磨液处理，球磨后的硼酸铝晶须与纳米二氧化介体液共配，协调协效优化氧化钛纳米线，协效后的原料在基体中，能够增强产品基体的冲击韧性、屈服强度。
高钼高钒复合材料

[发明专利]一种氢氧化钴/镍钼硫化物复合超级电容器电极材料及其制备方法和应用-CN202010110977.4有效
发明人：赵建伟;秦丽溶;李俊娴;张启桃 -专利权人：西南大学
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种氢氧化钴/镍钼硫化物复合超级电容器电极材料，以碳布或泡沫镍为基底，所述基底上负载有氢氧化钴纳米线阵列，所述氢氧化钴纳米线表面原位生长镍钼氢氧化物纳米片阵列，所述镍钼氢氧化物纳米片阵列经硫化处理转变为镍钼硫化物纳米片阵列本发明还公开了上述氢氧化钴/镍钼硫化物复合超级电容器电极材料的制备方法和应用，通过简单的两步水热法结合硫化处理，合成得到氢氧化钴/镍钼硫化物复合超级电容器电极材料，制备的复合材料具有较高的比容量，以及较好的循环稳定性
一种氢氧化硫化物复合超级电容器电极材料及其制备方法应用

[发明专利]钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法-CN201810026458.2有效
发明人：杨金虎;刘光磊;冯楠;孟瑞晋;祖连海;冯宇通 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-01-11 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明涉及钛片基底上镍掺杂二硫化铁纳米线阵列结构的合成方法，配制含铁盐、镍盐、硫酸钠及尿素的混合水溶液，投入干净钛片，经水热反应得到了原位生长于钛片基底表面的镍掺杂氢氧化氧铁纳米线阵列；将前驱体置于管式炉中进行高温气相硫化利用氩气进行气氛保护，得到了组装于钛片基底的镍掺杂二硫化铁纳米线阵列。本发明方法操作简便、重复性好，得到的产物结构稳定，能够均匀且坚固地分布在钛片表面，可以直接作为二维电极材料应用于电化学设备中，同时经电解水测试，发现镍的掺杂大幅度提升了二硫化铁的电催化产氢活性及稳定性，
基底掺杂二硫化铁纳米阵列结构合成方法

[发明专利]柔性透明耐腐蚀银纳米线基电磁屏蔽薄膜及其制备方法-CN202210312902.3在审
发明人：郭兴忠;张旭阳;单加琪;刘翠兰;李争亮;杨辉 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性透明耐腐蚀银纳米线基电磁屏蔽薄膜及其制备方法，其制备步骤为：在柔性衬底上涂布银纳米线分散液，干燥后继续涂布导电网络改性剂，干燥后通过电沉积镀镍对银纳米线导电网络进行保护，从而制备出柔性透明银纳米线基电磁屏蔽薄膜采用本发明的方法，能有效降低银纳米线导电网络接触电阻，提升电磁屏蔽薄膜抗腐蚀能力。
柔性透明腐蚀纳米电磁屏蔽薄膜及其制备方法

[发明专利]一种氧化石墨烯‑磁性金属纳米线复合材料及其制备方法-CN201610958361.6在审
发明人：廖立;徐志强;孙莉娟;邓怡;龙沁;谢克难 -专利权人：四川大学
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：一种属于复合纳米材料领域的氧化石墨烯‑磁性金属纳米线复合材料及其制备方法，本发明采用磁场辅助法制备氧化石墨烯‑磁性金属纳米线复合材料，其特点是在氧化石墨烯和磁性金属盐（可溶性镍盐或可溶性钴盐）的混合水溶液中，利用磁场诱导还原反应生成的磁性金属微粒在氧化石墨烯上自组装成磁性金属纳米线，得到氧化石墨烯‑磁性金属纳米线复合材料，具有工艺过程简洁、反应条件温和、产品形貌规整、易于规模化生产的优点，为氧化石墨烯‑磁性金属纳米线复合材料的实际应用提供条件
一种氧化石墨磁性金属纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]镍微米线高负载片状NiCo2-CN202011081525.4有效
发明人：唐少春;乔清山;张晟;胡立兵 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C25B11/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍微米线高负载片状双金属氧化物NiCo2O4纳米结构的HER电催化剂，以镍微米线为基体、表面原位生长出片状制备步骤如下：取一段直径20μm的镍线，先用酸处理除去镍微米线表面的氧化物杂质；随后以硫酸镍、硝酸钴、氟化铵、尿素的混合溶液为原料，利用水热反应制得均匀NiCo2O4片状结构包覆镍微米线的纳微复合材料。
微米负载片状 nico base sub

[发明专利]一种双重修饰的碳空心球复合物及其制备方法和应用-CN201811103627.4有效
发明人：易清风;杨孝昆;陈瑶 -专利权人：湖南科技大学
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种双重修饰的碳空心球复合物的制备方法，包括步骤：（1）在酸化修饰的聚苯乙烯（PS）球上沉积聚多巴胺；（2）再将镍钴盐、葡萄糖和双氰胺固体混合物覆盖在PS表面，随后高温热解，在氮掺杂的碳空心球表面原位生长出空心碳纳米线；（3）通过浸渍法和水热法，在碳空心球内壁生长出镍钴硫化物，从而形成空心碳纳米线和镍钴硫化物双重修饰的碳空心球复合物。本发明结合了碳空心纳米线、氮掺杂碳空心球和镍钴硫化物作为电化学超级电容器电极材料的优点，同时通过碳空心球内壁负载镍钴硫化物，充分保证了镍钴硫化物颗粒的稳定性，从而使这种复合物具有优异的性能，是一种具有重要应用前景的电化学超级电容器电极材料
碳空心球硫化物复合物镍钴双重修饰电化学超级电容器空心碳纳米电极材料氮掺杂聚苯乙烯制备方法和应用表面原位生长固体混合物空心纳米线硫化物颗粒葡萄糖高温热解聚多巴胺内壁生长重要应用负载镍浸渍法镍钴盐双氰胺水热法沉积内壁酸化修饰制备覆盖保证

[发明专利]一种复合氧化银的镍钴氧化物电极材料及其制备方法与应用-CN201910655151.3有效
发明人：喻发全;王蕾;王建芝;张肖笑;谌伟民 -专利权人：武汉工程大学
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合氧化银的镍钴氧化物电极材料及其制备方法与应用。所述电极材料以泡沫镍为基底，在基底表面生长着层状氢氧化镍，所述层状氢氧化镍上附着氧化银纳米粒子，片层上又生长着纳米线，纳米线上生长着镍钴氧化物的纳米花。所述材料的制备方法包括：先配制第一步前驱体盐溶液，放入经预处理的泡沫镍，采用水热法生成掺杂银的层状氢氧化镍；再配制第二步前驱体盐溶液，放入第一步得到的泡沫镍，采用水热法生成掺杂银的镍钴双氢氧化物；最后在空气中退火，得到复合氧化银的镍钴氧化物。本发明实现表面活性物质与泡沫镍基底相结合，制备工艺简单、省时、能耗低、节能环保；具备较大的活性面积与优异的析氧催化活性，在碱性条件下耐腐蚀。
一种复合氧化银氧化物电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法-CN202111567328.8在审
发明人：申栗繁;钱欢;杨彦斌;马永豪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种单分子层表面改性的InGaAs纳米线光电探测器及制备方法，该光电探测器的结构从下至上依次是：表面有SiO2氧化层的掺硼p型硅片作为器件的衬底；单分子层表面改性处理的InGaAs纳米线作为器件的光吸收和电子传输沟道；纳米线两侧镍电极连接外部电源。在器件的制备过程中通过简单的单分子层表面改性处理来提高对纳米线表面态的操控能力，该方法可以有效调节纳米线的电子转移性能，提高InGaAs纳米线光电探测器的光电性能和稳定性，有助于获得高响应率、高稳定性的InGaAs纳米线探测器。
一种单分子层表面改性 ingaas 纳米光电探测器制备方法