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[发明专利]一种纳米线阵列电极的规模化制备方法-CN202211084463.1在审
发明人：季山;周国旭;王鹏;王辉;王荣方 -专利权人：嘉兴学院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C25B11/031 文献下载
摘要：使用三步就可以完成纳米线阵列电极的制备：将泡沫镍平铺放入到底部有磁体的表面皿中，保证泡沫镍在磁场覆盖范围内，将一定温度下进行化学反应得到的含镍溶液倒入其中，在磁场的物理作用下静置一段时间后得到一种纳米线阵列电极本发明通过将还原反应和生长镍纳米线阵列分隔开，实现对不同尺寸、不同形状、不同数量泡沫镍的处理。
一种纳米阵列电极规模化制备方法

[发明专利]一维二氧化锰@碳@氢氧化镍核-壳纳米线复合材料的制备方法和应用-CN201910550857.3有效
发明人：王秀华;容芳;唐纪平 -专利权人：安徽师范大学
申请日： 2019-06-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01G11/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维二氧化锰@碳@氢氧化镍核‑壳纳米线复合材料的制备方法和应用，该制备方法包括：将单体MnO2@C纳米线、镍源、过硫酸盐、碱性化合物于水中进行接触反应以制得一维MnO2@C@Ni(OH)2核‑壳纳米线复合材料。该一维二氧化锰@碳@氢氧化镍核‑壳纳米线复合材料具有超长的一维形貌结构，电化学性能优越进而使其能够应用于超级电容器电极材料中，同时该制备方法工艺简单、成本低廉。
二氧化锰氢氧化纳米复合材料制备方法应用

[发明专利]硅纳米线上无电沉积镍技术及基于这种技术的热电功率器件-CN200810037941.7无效
发明人：陶佰睿;苗凤娟;李辉麟;万丽娟;张健 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2008-11-19 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅纳米线上无电沉积镍技术以及基于这种技术的热电功率器件，本发明制作工艺与MEMS工艺兼容，主要采用电化学刻蚀方法，成本低，操作简单，实现容易。主要是在体硅材料上室温下合成硅纳米线阵列，其纳米线平均高度约30μm，平均直径约40nm；此举减小了材料的热导率和温度扩散系数，增强了硅纳米线的量子尺寸效应，提高了热电子发射能力；在硅纳米线上通过无电镀镍技术沉积纳米级镍薄膜，此时镍与硅形成良好的欧姆接触，进一步增强了热电发射能力，减小了该热电结构的内阻；无电镀液为无磷配方，避免了磷与镍形成合金从而减小热电发射效率。
纳米线上沉积技术基于这种热电功率器件

[发明专利]一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法-CN202010372681.X在审
发明人：赵慧 -专利权人：苏州容思恒辉智能科技有限公司
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体芯片堆叠及其制备方法，该方法包括以下步骤：将第一半导体芯片倒装安装在封装基板上；在所述第一半导体芯片上依次形成第一聚醚酰亚胺封装层、第一镍纳米线网格层、第二聚醚酰亚胺封装层、第二镍纳米线网格层以及第三聚醚酰亚胺封装层，接着在所述封装基板上形成第一塑封层、重布线层以及第二半导体芯片，在所述第二半导体芯片上依次形成第四聚醚酰亚胺封装层、第三镍纳米线网格层、第五聚醚酰亚胺封装层、第四镍纳米线网格层以及第六聚醚酰亚胺封装层
一种半导体芯片堆叠封装及其形成方法

[发明专利]一种钴酸镁多孔纳米线阵列/泡沫镍复合电极材料的制备方法-CN201510707198.1在审
发明人：张杰;许家胜;刘馨晴 -专利权人：渤海大学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明属无机非金属材料制备领域，尤其涉及一种钴酸镁多孔纳米线阵列/泡沫镍复合电极材料制备方法，其以可溶性镁盐、可溶性钴盐、尿素和氟化铵在醇/水混合溶液中充分溶解。将洗净并干燥好的泡沫镍浸入到上述混合溶液中,进行水热反应，洗涤干燥后得到长有纳米线阵列的泡沫镍，再经过干燥、煅烧冷却后即得钴酸镁多孔纳米线阵列/泡沫镍复合电极材料。本发明工艺简便易行、产品纯度高、制备成本低，所得产品具有新颖的形貌，并且牢固的生长在高导电性的泡沫镍表面。钴酸镁纳米线的直径在20~50nm之间，长宽在3mm左右，且产品的均一性、分散性都很好，可直接应用于超级电容器电极材料，且生产工艺较简单，易于应用于实际大规模生产。
一种钴酸镁多孔纳米阵列泡沫复合电极材料制备方法

[发明专利]一种硬模板法制备铂碲镍纳米线的方法-CN201811470489.3在审
发明人：张红;刘志梅;张亮 -专利权人：张红
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01M4/92 文献下载
摘要：一种硬模板法制备铂碲镍纳米线的方法，包括以下步骤：1）按照现有技术中关于制备超细碲纳米线的方法制备出模板剂碲纳米线（也可以使用本申请人之前提出的制备规则弯曲碲纳米线的方法使用弯曲碲纳米线为模板剂）；2）取适量的碲纳米线，经过前序的洗涤处理，除去表面的分散剂，将其分散在去离子水溶液中，向其中加入适量的铂源和镍源，并不断搅拌；3）升高反应温度至50‑70℃下，再向步骤2）反应液中加入提前配制好的溶解有强还原剂的碱溶液；4）待碱液滴加完后，然后维持在该反应温度下继续搅拌30‑45min从而得不到一维铂基纳米线;5）反应结束后，自然冷却至室温，然后对产物经过常规的离心、去离子水洗涤即可。
碲纳米线制备镍纳米线模板剂硬模板去离子水洗涤离子水溶液方法使用碱液滴加强还原剂洗涤处理常规的分散剂碱溶液纳米线铂基铂源超细镍源配制溶解升高

[发明专利]复合Ni、Co的核壳结构Cu基纳米线及其制备方法-CN201410073776.6无效
发明人：沈湘黔;景茂祥;李博;李旻;李旺 -专利权人：江苏大学
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合Ni、Co的核壳结构Cu基纳米线及其制备方法，所述方法能够获得Ni或Co与Cu的摩尔比为1：0.1～1，具有核壳结构，直径为60～90nm，长度15～20μm，颜色为灰色的，具有软磁性的、复合Ni、Co的核壳结构Cu基纳米线。镍包覆层或钴包覆层能保护铜；能有效的避免铜纳米线的氧化，同时，软磁性镍、钴的引入可使铜纳米线具有磁性，方便在磁场下定向排布。所述方法过程简单，容易扩大化生产，成本低。
复合 ni co 结构 cu 纳米及其制备方法

[发明专利]一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法-CN201510299276.9在审
发明人：曾海波;董宇辉;许蕾梦;李建海;薛洁;宋继中 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明公开了一步法合成高稳定高导电铜纳米线墨水的方法，将含镍的前驱盐和含有氯的铜前驱盐溶解于长烷链的有机胺溶剂中；将该混合溶液在惰性气体氛围下加热到一定温度得到铜纳米线，随后继续升温反应一段时间，得到高稳定的铜镍壳-铜核纳米线；最后再在正己烷-丙酮的混合溶液中离心处理2～4次后分散在有机溶剂中，获得高稳定、高导电的铜纳米线墨水。本发明反应条件温和，反应为一步法，反应时间较短，制备工艺简单易控，重复性高，通过所述方法得到的铜镍壳-铜核米线直径为40～50nm，长度为50～70μm，长径比较大，导电性能优异，且透过率高，性能非常稳定
一步法合成稳定导电纳米墨水方法

[发明专利]一种发光二极管芯片及制备方法-CN201711297315.7有效
发明人：程丁;丁涛;张琰琰;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（苏州）有限公司
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：通过在发光二极管芯片的外延层的第一表面的位于P型电极之外的区域设置有钴酸镍纳米线阵列，其中第一表面为外延层的远离衬底的表面，钴酸镍纳米线阵列包括多根钴酸镍纳米线，多根钴酸镍纳米线上分别设置有多个钼酸镍纳米片
外延层第一表面钴酸镍衬底发光二极管芯片发光二极管纳米线阵列电极凹槽纳米线制备光提取效率区域设置粗糙度纳米片全反射钼酸镍光电子芯片制造

[发明专利]一种镍/氢氧化镍储能电极材料的电化学制备方法-CN201510649889.0在审
发明人：杨志;徐书生;胡南滔;魏浩;张亚非 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种镍/氢氧化镍储能电极材料的电化学制备方法，属于储能电极材料的制备领域。其实施方案为：在磁场的帮助下，以水合肼为还原剂，利用水浴法制备镍纳米线前驱体。通过真空抽滤和压片得到镍纳米线薄膜。将薄膜切成0.5×0.5cm²或1×1cm²的薄片，通过电化学处理得到镍/氢氧化镍核壳结构纳米线薄片，并用作储能电极材料。
一种氢氧化镍储能电极材料电化学制备方法

[发明专利]一种超级电容器用Ni3-CN201911202092.0有效
发明人：李中春;田美姣;王迪;顾爱军;周志豪 -专利权人：江苏理工学院
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01G11/24 文献下载
摘要：本发明公开一种超级电容器用Ni3Se4纳米线的制备方法，属于储能材料制备领域。制备过程为：首先在无模板和表面活性剂的条件下制备氢氧化镍纳米线前驱体；然后以氢氧化镍纳米线为自模板进行硒化反应，即可得到Ni3Se4纳米线。本发明的制备方法简便易行，不需要复杂设备，成本低廉；制备的Ni3Se4纳米线分布均匀。在碱性电解质中，Ni3Se4纳米线具有较大的比容量和良好的倍率性能，是一种有发展前景的超级电容器电极材料。
一种超级电容器用 ni base sub

[发明专利]镍铁钼类水滑石纳米线双功能电催化剂及其制备方法-CN202010782252.X在审
发明人：詹天荣;温永红;张朋;陈璐瑶;王泽琨;王磊 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： B01J23/883 文献下载
摘要：本发明提供了一种原位生长在泡沫镍上的镍铁钼水滑石纳米线双功能电催化剂及其制备方法和应用。该催化剂以泡沫镍为基底，在水热条件下，采用尿素水解法制备所得，纳米线由类水滑石纳米片构成，纳米线组成花状结构，该结构便于反应物、中间体以及生成气体的吸脱附过程，同时可加快反应过程的电子传递效率；钼以高价态形式的掺杂改变了镍元素和铁元素的电子结构以及催化剂的形貌，增加了催化剂的催化活性中心的种类和催化活性位点的数目，因此表现出了优异的析氧和析氢双功能催化活性，特殊的纳米线结构使呈现出了良好的稳定性，在电解水技术中具有潜在的应用价值。
镍铁钼类水滑石纳米功能催化剂及其制备方法

[发明专利]一种整体式钴掺杂镍钼纳米线催化剂的制备方法和应用-CN202110479834.5在审
发明人：谌春林;夏博文;张建 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C25B3/05 文献下载
摘要：本申请公开了一种整体式钴掺杂镍钼纳米线催化剂的制备方法和应用，所述催化剂包括载体和原位生长在所述载体上的活性物质；所述活性物质包括钴元素、镍元素和钼元素。所述制备方法包括：1、经水热反应在载体上生成前驱体；2、对前驱体进行原位电化学活化得到整体式钴掺杂镍钼纳米线催化剂。本申请所提供的整体式钴掺杂镍钼纳米线催化剂稳定性高、使用寿命长，其具有丰富的孔道结构及大长径比纳米线形貌，提高了反应传质、传荷速率。相比于纳米粉体催化剂，本申请催化剂反应后易于与产物分离，且能多次重复利用。该催化剂可应用于化工、环保、以及生物质转化等领域，特别适用于大电流生物质电催化反应。
一种整体掺杂纳米催化剂制备方法应用

[发明专利]一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法-CN201110406334.5无效
发明人：袁永锋;郭绍义;杨金林;裴有斌;方杰 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： C03C17/23 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法。本发明氧化镍电致变色薄膜为NiO纳米线阵列薄膜，所述NiO纳米线的直径为5～100nm，长度为50nm～5μm。其制备方法是以聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯嵌段共聚物为模板，在Ni(NO3)2和NaNO3的水溶液中阴极电沉积法制备前驱物Ni(OH)2纳米线阵列，甲苯溶液溶解去除模板后热处理获得NiO纳米线阵列薄膜本发明的氧化镍电致变色薄膜性能良好，变色速度快，着色效率高，循环稳定性优良，可以组装成各类电致变色器件，在信息存储、建筑玻璃灵巧窗、大屏幕显示等领域有广泛的应用前景。
一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法

[发明专利]一种超细骨架有序介孔铁酸镍甲苯气敏材料及其制备方法-CN201810286398.8在审
发明人：赖小勇;栗慧;郭茹;曹锟;杨庆凤;王晓中 -专利权人：宁夏大学
申请日： 2018-04-03 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：该气敏材料是由铁酸镍螺旋骨架纳米线立方周期性排列而成，骨架纳米线之间具长度2‑5纳米的连接，根据纳米线之间距离的不同形成两种不同大小的介孔分布；骨架纳米线的直径为5‑8.5纳米；比表面积177‑216m2
气敏材料纳米线铁酸镍甲苯介孔制备周期性排列螺旋骨架超细痕量检测