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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构-CN201921368135.8有效
发明人：陈贤明 -专利权人：罗定市英格半导体科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用镀钯金线键合硅麦芯片的封装结构，包括PCB封装基板，PCB封装基板上设置有键合区、ASIC芯片和MEMS芯片，ASIC芯片外侧覆盖有软胶保护层，ASIC芯片与MEMS芯片之间及ASIC芯片与PCB封装基板键合区之间分别均通过镀钯金线键合连接。有益效果：镀钯金线键合结构具有更低的接触电阻从而减小声学腔体及声学通道的噪声，镀钯金线键合结构具有更高的抗疲劳强度进而提高硅麦芯片的使用寿命。
一种用镀钯金线键合硅麦芯片封装结构

[发明专利]一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺-CN202310754554.X在审
发明人：刘实;刘仪;刘百川;刘巍;聂立;董慧 -专利权人：上海万生合金材料有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C25D5/10 文献下载
摘要：本申请涉及电镀技术领域，具体公开一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺。该电镀工艺使用第一镀钯液在铜基线表面电镀第一钯层，再使用第一镀金液镀第二金层，得到半镀品，接着使用第二镀钯液在半镀品上镀第三钯层，最后使用第二镀金液镀第四金层，得到全镀品。第一镀钯液包括四氨基乙酸钯、对羧基苯磺酰胺和6‑氮杂脲嘧啶。该铜镀钯金键合线，由于第一镀钯液中各成分的络合、缓冲等作用，能使钯在铜基表面各处沉积速度均匀，细化钯沉积晶粒，得到致密的第一钯层，镀层覆盖率高，不易剥离铜基线。各镀层覆盖率高，不易剥离，加强了对铜基线的保护，焊接后线身和端部不易氧化，不易被酸碱腐蚀。
一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺

[发明专利]一种铜基表面镀镍钯金键合丝的制备方法-CN201610267813.6有效
发明人：李天祥 -专利权人：山东科大鼎新电子科技有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜基表面镀镍钯金键合丝及其制备方法，它包括铜丝基材(1)，所述铜丝基材(1)的外表面依次镀覆有镀镍层(2)、镀钯层(3)和镀金层(4)；实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷
一种表面镀镍钯金键合丝及其制备方法

[实用新型]一种铜基表面镀镍钯金键合丝-CN201620364008.0有效
发明人：李天祥 -专利权人：山东科大鼎新电子科技有限公司
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2016-09-14 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铜基表面镀镍钯金键合丝，它包括铜丝基材(1)，所述铜丝基材(1)的外表面依次镀覆有镀镍层(2)、镀钯层(3)和镀金层(4)；实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷
一种表面镀镍钯金键合丝

[发明专利]一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝及其制备方法-CN201811555805.7在审
发明人：田鹏;房跃波 -专利权人：山东赢耐鑫电子科技有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镀钯镀镍再镀金键合丝，包括铜芯，所述铜芯表面依次镀覆有镀钯层、镀镍层和镀金层，本发明还公开了所述铜镀钯镀镍再镀金键合丝的制备方法，本发明制备的铜镀钯镀镍再镀金键合丝外表面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层；由于铜和镍的结合力很好，镍和钯的结合力也很好，该镀层方式解决了铜钯结合力差，大大提高了成品率和生产效率；并且外层镀金很好的解决了后续拉丝过程中剥落和裂纹的情况，实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷，能够防止后续拉丝过程中剥落和裂纹的效果。
镀金键合丝铜镀钯镀结合力制备拉丝过程镀金层镀镍层镀钯层镀覆铜芯剥落焊点生产效率成品率键合力镍钯金无变形镀层焊接

[发明专利]一种铜镀钯再镀镍键合丝及其制备方法-CN201811245101.X在审
发明人：张军伟;张贺源;冯忠卿 -专利权人：深圳粤通应用材料有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜镀钯再镀镍键合丝，包括铜丝基材，所述铜丝基材表面依次镀覆有镀钯层和镀镍层，本发明还公开了所述铜镀钯再镀镍键合丝的制备方法，本发明的有益效果是所述铜丝基材的外表面依次镀覆有镀镍层、镀钯层和镀金层；由于铜和镍的结合力很好，镍和钯的结合力也很好，该镀层方式解决了铜钯结合力差，大大提高了成品率和生产效率；实现了结合力高，键合力强，方便镍钯金框架的焊接且焊点无变形缺陷，能够防止后续拉丝过程中剥落和裂纹的效果
铜丝键合丝结合力镀镍铜镀镀镍层镀钯层镀覆基材制备焊点基材表面拉丝过程生产效率成品率镀金层键合力镍钯金无变形镀层剥落焊接

[发明专利]四边扁平无引脚封装件及其生产方法-CN201210098828.6有效
发明人：朱文辉;慕蔚;徐召明;李习周;郭小伟 -专利权人：天水华天科技股份有限公司;华天科技（西安）有限公司
申请日： 2012-04-06 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种四边扁平无引脚封装件及其生产方法，封装件包括由载体凹坑和环绕载体凹坑设置的三圈引脚组成的引线框架载体，该三圈引脚分别由多个互不相连的引脚组成，载体凹坑内粘贴有IC芯片，所有引脚上均镀有内引脚化学镀镍钯金层；内引脚化学镀镍钯金层与IC芯片同向设置，IC芯片与内引脚化学镀镍钯金层之间通过键合线相连接；IC芯片、所有引脚镀有内引脚化学镀镍钯金层的一端和键合线均封装于塑封体内。本封装件克服了现有普通四边扁平无引脚封装单面封装时引脚数少、焊线长、焊线成本高、频率应用受限制的问题。
四边扁平引脚封装及其生产方法

[发明专利]集成电路封装结构及其生产工艺-CN201510895527.X在审
发明人：刘兴波;梁大钟;宋波 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于键合线连接的免贴膜、免电镀的集成电路封装结构及其生产工艺，集成电路封装结构，包括有镀银层，所述镀银层为相互独立的镀银层段，还包括有设于部分镀银层段上的芯片，各部分镀银层段通过键合线连接，所述芯片、镀银层、镀镍钯金层和键合线外周设有塑封体，芯片、镀银层、镀镍钯金层和键合线构成了芯片的电源和信号通道。
集成电路封装结构及其生产工艺

[发明专利]一种氧化铝高温共烧陶瓷基板化学镀镍钯金的方法-CN202310407045.X在审
发明人：刘路华;廖杨;石星宇;周慧敏;李开登 -专利权人：西南应用磁学研究所（中国电子科技集团公司第九研究所）
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C23C18/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化铝高温共烧陶瓷基板化学镀镍钯金的方法，属于化学镀镍钯金技术领域，具体包括上挂、除油、微蚀、玻璃微蚀、酸洗、钯活化、抑制、化学镀镍硼、预镀钯、化学镀钯和化学镀金等步骤，本发明在氧化铝高温陶瓷钨金属上进行化学镀镍钯金进行金属改性，使工件具有良好的可焊性和可键合性，均金丝键合强度可达到280mN、平均金带键合拉力均大于500mN、平均芯片剪切强度达到5.11Kgf，均达到国军标相关技术标准。
一种氧化铝高温陶瓷化学镀镍钯金方法

[发明专利]铜基材的化学镀层结构及其工艺-CN201410244153.0在审
发明人：王江锋;何志刚;李云华 -专利权人：深圳市创智成功科技有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜基材的化学镀层结构及其工艺，该结构包括铜基材，铜基材的表面上设有导电区和非导电区，铜基材的导电区上包覆有置换钯层，且铜基材的导电区包覆置换钯层后由下至上依次化学镀有化学镀钯层和化学镀金层本发明的铜基材上仅镀有化学镀钯层和化学镀金层，不存在化学镀镍金、镍钯金的镍腐蚀状况，不仅提高了产品的可靠性，而且无化学镀镍的存在，有效该结构避免受周围磁性环境的影响，达到镀层不易磁化的效果；可适合10μm或以下的线宽线距，避免产生渗镀的风险；该结构中省略了化学镀镍层，大大降低了该镀层结构的成本，达到了成本低的效果；且具有镀层不易磁化、键合性能好、焊接稳定及品质可靠等特点。
基材化学镀层结构及其工艺

[实用新型]铜基材的化学镀层结构-CN201420293024.6有效
发明人：王江锋;何志刚;李云华 -专利权人：深圳市创智成功科技有限公司
申请日： 2014-06-03 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜基材的化学镀层结构，该结构包括铜基材，铜基材的表面上设有导电区和非导电区，铜基材的导电区上包覆有置换钯层，且铜基材的导电区包覆置换钯层后由下至上依次化学镀有化学镀钯层和化学镀金层。本实用新型的铜基材上仅镀有化学镀钯层和化学镀金层，不存在化学镀镍金、镍钯金的镍腐蚀状况，不仅提高了产品的可靠性，而且由于采用无镍结构，有效避免该结构受周围磁性环境的影响，达到镀层不易磁化的效果；可适合10μm或以下的线宽线距，避免产生渗镀的风险；该结构中省略了化学镀镍层，大大降低了该镀层结构的成本，达到了成本低的效果；且具有镀层不易磁化、键合性能好、焊接稳定及品质可靠等特点。
基材化学镀层结构

[发明专利]无电解镀钯金工艺-CN201780049965.1有效
发明人：加藤友人;渡边秀人 -专利权人：小岛化学药品株式会社
申请日： 2017-08-02 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： C23C18/18 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种即使对于小型的单电极或L/S窄的配线，也不会发生钯的析出异常而可以仅在铜上选择性地形成镀钯金皮膜的无电解镀钯金工艺。为了解决上述课题，无电解镀钯金工艺的特征在于，具备：通过将所述表面设有铜的绝缘基材浸渍于含有选自硫代硫酸盐和硫醇构成的组中的一种以上的含硫化合物的含硫水溶液，进行铜表面电位调整处理的工序(S4)；对调整了所述铜的表面电位的绝缘基材进行无电解镀钯处理，在所述铜上形成镀钯皮膜的工序(S5)；对在所述铜上形成所述镀钯皮膜的绝缘基材进行无电解镀金处理，在所述镀钯皮膜上形成镀金皮膜的工序(S6)。
电解金工

[发明专利]一种基于键合线连接的超薄封装件及其制作工艺-CN202011244476.1在审
发明人：肖国庆 -专利权人：江西芯世达微电子有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于键合线连接的超薄封装件及其制作工艺，封装件包括：引线框架、芯片、塑封体、镀银层、镀NiPdAu层、铜倒角连接层和键合线；镀银层为相互独立的镀银层段，部分镀银层上具有芯片；芯片和未设置芯片的部分镀银层通过键合线连接；塑封体包围了芯片、镀银层、镀NiPdAu层、铜倒角连接层和键合线；芯片、镀银层、镀NiPdAu层、铜倒角连接层和键合线构成了电路的电源和信号通道。在图形镀银层和框架基板之间增加一层铜倒角互连层，塑封之后形成有效的防拖拉结构，极大地降低了框架在腐蚀变薄后，在模具内滑动的风险，同时降低了塑封料压力，增加了塑封料与金属框架的接合面积，封装可靠性大幅提升
一种基于键合线连接超薄封装及其制作工艺

[实用新型]一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件-CN201020159222.5无效
发明人：袁毅 -专利权人：袁毅
申请日： 2010-04-07 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种通过镀镍键合铜丝连接的半导体封装件，包括带多个引脚的引线框架和至少一块半导体芯片，半导体芯片用导电粘胶固定在引线框架上，引线框架和半导体芯片用密封体密封，在引线框架与半导体芯片之间连接有镀镍键合铜丝，镀镍键合铜丝包括铜芯线或铜合金芯线，在铜芯线或铜合金芯线的表面直接镀有镍层。本实用新型的目的是提供一种键合铜丝不容易被氧化、可在保护气芬下进行键合、提高接口结合强度和稳定的可靠性的半导体封装件。
一种通过镀镍键合铜丝连接半导体封装

[实用新型]一种超薄封装件-CN201520003392.7有效
发明人：宋波;梁大钟;施保球;刘兴波 -专利权人：广东气派科技有限公司
申请日： 2015-01-05 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄封装件，包括塑封体以及封装在塑封体内的芯片、镀银层、镀NiPdAu层、铜连接层和键合线，芯片、镀银层、铜连接层、镀NiPdAu层和键合线构成了电路的电源和信号通道，所述的铜连接层有多个，每个铜连接层的上表面和下表面分别设置有镀银层和镀NiPdAu层，所述的多个镀银层相互独立，所述的芯片设置在部分镀银层上，无芯片的镀银层段通过键合线与芯片连接，由于可以免电镀、免贴膜，生产成本可以大幅降低
一种超薄封装

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