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[其他]磁性的录音媒介-CN85101735无效
发明人：失沢健儿;屋春子 -专利权人：索尼公司
申请日： 1985-04-01 - 公布日： 1987-02-04 - 主分类号： G11B5/85 文献下载
摘要：这里公开的磁性录音媒介，有一以天然蒸气积聚成的铁磁金属层薄片，有高抗磁力与改良的S/N比率。磁性金属媒介包括非磁性基片与一在基片上经天然蒸气积聚成的铁磁层，其中的铁磁层是由铁磁金属元素与非磁性金属元素组成，另外，铁磁层可由铁磁金属元素，非磁性金属元素与氧组成，而非磁性金属在铁磁层中的浓度分布在层中近基片部分比在层中近表面部分较高此外，氧在铁磁层中的浓度分布与非磁性金属元素相似。
磁性录音媒介

[发明专利]一种利用电压调控的频率可调微波振荡器-CN201810669197.6在审
发明人：赵巍胜;龙明直;曾琅;魏家琦 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种利用电压调控的频率可调微波振荡器，核心单元结构包括垂直磁化磁隧道结以及引出的三个端口；垂直磁化磁隧道结由下至上为“金属层/厚氧化层/自由铁磁金属层/薄氧化层/固定铁磁金属层”；固定铁磁金属层，自由铁磁金属层，金属层分别连接电极作为端口；“厚氧化层/自由铁磁金属层/薄氧化层/固定铁磁金属层”为微波发生器件，是产生微波输出信号的核心单元，自由铁磁金属层磁矩可产生高频进动，且具有较强的压控磁各向异性可通过隧道结电流及加在自由铁磁金属层上的电压对微波输出信号的功率及频率分别进行调控，具有更高的实用性。
金属层自由铁磁固定铁磁磁化微波输出信号微波振荡器薄氧化层磁隧道结电压调控核心单元厚氧化层频率可调隧道结垂直微波发生器件磁各向异性高输出功率连接电极磁矩进动调控保证

[发明专利]STT－MRAM存储单元-CN201611258855.X在审
发明人：尚恩明;胡少坚;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管、铁磁金属自由层和铁磁金属固定层，所述选择晶体管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述铁磁金属自由层设置在所述第一掺杂区上，铁磁金属自由层的磁矩方向可改变，所述铁磁金属固定层设置在所述第二掺杂区上，铁磁金属固定层的磁矩方向固定不变。在本发明提供的STT‑MRAM存储单元中，以整个选择晶体管作为存储结构，通过将铁磁金属自由层设置在选择晶体管的第一掺杂区上，将铁磁金属固定层设置在选择晶体管的第二掺杂区上，从而提高了选择晶体管与铁磁金属自由层以及与铁磁金属固定层的耦合强度
stt mram 存储单元

[发明专利]一种基于光调控的有机自旋存储单元-CN201610239469.X有效
发明人：赵巍胜;林晓阳;郑明阳;孙艳明;江雷 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2018-08-28 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种基于光调控的有机自旋存储单元，该存储单元的结构由下至上依次为垂直堆叠的底端电极、铁磁金属层一、有机非铁磁层、铁磁金属层二、顶端电极；所述底端电极，包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种；所述铁磁金属层一，包括铁、钴、镍、钴铁硼、镍铁、镧锶锰氧、赫斯勒合金或其他铁磁材料中的一种或多种；所述非铁磁有机层材料，包括三(8‑羟基喹啉)铝(Alq3)、α‑六噻吩(6T)或其他光敏有机材料中的一种或多种；所述铁磁金属层二，包括钴、钴铁、钴铁硼、赫斯勒合金或其他铁磁材料中的一种或多种；所述顶端电极，包括金、铂、铜或其他非铁磁金属材料中的一种或多种。
一种基于调控有机自旋存储单元

[发明专利]铁磁材料及其制备方法、传感器-CN201810579226.X有效
发明人：于浦;张建兵;王猛 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01F1/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁磁材料。所述铁磁材料的结构式为A3B3O8。其中A为碱土金属元素和稀土金属元素中的一种或多种。B为过渡族金属元素的一种或多种，所述铁磁材料为二维金属态氧化物材料。所述铁磁材料的结构稳定，结晶质量较高，具备二维铁磁金属特性。所述铁磁材料在低温具有很明显的磁各向异性。所述铁磁材料的铁磁转变温度大约在200K。所述铁磁材料具有沿面内方向准二维的电导特性。所述铁磁材料可以广泛的应用到电磁传感器领域。
材料及其制备方法传感器

[发明专利]一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器-CN202110985984.3在审
发明人：聂天晓;王海宇;殷加亮 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高多层膜结构自旋轨道矩翻转效率的方法及多层膜结构、磁隧道结与磁随机存储器。上述方法是在多层膜结构的铁磁层和氧化物层之间设置第一金属插入层，增强界面自旋轨道耦合强度。本发明还提供了一种多层膜结构，包括非铁磁层、铁磁层、第一金属插入层和氧化物层。本发明还提供了一种磁隧道结，包括非铁磁层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层；或者非铁磁层、第二金属层、第一铁磁层、第一金属插入层、势垒层、第二铁磁层。本发明还提供了含有上述多层膜结构或磁隧道结的磁随机存储器。本发明通过插入超薄金属的方式，利用氧化工程效应改变非铁磁层和铁磁层的界面，以增强界面自旋轨道耦合效应，提高翻转效率。
一种提高多层膜结构自旋轨道翻转效率方法隧道随机存储器

[发明专利]一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器-CN201910141811.6在审
发明人：陆亚林;黄秋萍;王建林;程浩;傅正平;杨萌萌;黄浩亮;何泓川 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种强度和偏振主动可调的太赫兹波发射器，包括：铁电层；设置在铁电层一侧的导电层；设置在铁电层背离导电层一侧的铁磁金属薄膜；设置在铁磁金属薄膜背离铁电层一侧的非铁磁金属薄膜；磁场装置，用于给铁磁金属薄膜施加水平方向且平行于铁磁金属薄膜的磁场，磁场的方向可调；电压装置一端与导电层连接，另一端与非铁磁金属薄膜连接；飞秒激光源用于发射飞秒激光，飞秒激光沿垂直于导电层的方向依次透过导电层、铁电层、铁磁金属薄膜和非铁磁金属薄膜，在磁场装置和电压装置的控制下
铁磁金属薄膜导电层铁电层太赫兹波偏振发射器非铁磁金属磁场装置电压装置飞秒激光主动可调薄膜磁场背离飞秒激光源生产成本低方向可调灵活控制可调的与非平行垂直施加发射应用

[发明专利]基于铁磁绝缘体的磁隧道结-CN201610542874.9有效
发明人：赵巍胜;刘攀;闫韶华 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铁磁绝缘体的磁隧道结，具体结构为：铁磁金属层/铁磁绝缘层/铁磁金属层；铁磁金属层是铁磁金属材料如铁Fe、钴Co或镍Ni中的一种，或者是铁磁金属合金材料如钴铁CoFe、钴铁硼CoFeB或镍铁NiFe中的一种，或者是高自旋极化率的半金属或半金属合金材料如LaSrMnO₃、Fe₃O₄、Co₂FeAlSi中的一种；所述铁磁绝缘层的材料包括但不限于具有较高居里温度的钇铁石榴石Y₃Fe₅O₁₂、钡铁氧体BaFe₁₂O_{19本发明与现在的研究热点即以MgO等非磁绝缘体为势垒层的磁隧道结相比，由于铁磁绝缘体兼具了铁磁性和绝缘性以及在某些铁磁绝缘材料中已被论证的自旋过滤效应，该磁隧道结可以具备更加优良的性能，比如更高的TMR值等}
基于绝缘体隧道

[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件-CN202111186841.2在审
发明人：万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 -专利权人：中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H10N15/20 文献下载
摘要：根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层]a、[反铁磁层/铁磁层/重金属层]b、以及[反铁磁层/铁磁层/重金属层/铁磁层]c中的一种或多种，铁磁层由铁磁导电材料形成，重金属层由重金属材料形成，[反铁磁层/铁磁层]a结构中的反铁磁层由包括重金属元素的反铁磁材料形成，其余结构中的反铁磁层由反铁磁材料形成，铁磁层具有面内磁矩并且被所述反铁磁层偏置在第一方向上，所述磁性多层膜结构响应于其膜层法线方向上的温度梯度
基于磁性多层膜结构反常能斯特效应热电器件

[发明专利]磁隧道结以及磁存储器-CN201610339183.9有效
发明人：张博宇;赵巍胜;廖宇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种磁隧道结MTJ以及磁存储器，该MTJ从上到下依次包括第一铁磁层、势垒层、第二铁磁层、缓冲层、第三铁磁层和重金属层，其中：第一铁磁层、第二铁磁层和第三铁磁层均包括混合金属材料，势垒层包括金属氧化物材料，缓冲层包括非铁磁材料；第一铁磁层的磁化方向为固定方向，第二铁磁层与第三铁磁层形成铁磁耦合或反铁磁耦合。实施本发明实施例，可以提高磁隧道结中的第三铁磁层的磁化方向的翻转速度，提高MTJ的可靠性，并可以降低写入电流，从而降低功耗。
隧道以及磁存储器

[发明专利]一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法-CN202110759599.7在审
发明人：王开友;刘雄华;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
一种随机存储单元及其制备方法使用方法

[发明专利]STT－MRAM存储单元-CN201611264467.2在审
发明人：尚恩明;胡少坚;陈寿面 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明提供一种STT‑MRAM存储单元，包括选择晶体管和磁隧道结，所述选择晶体管包括衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和栅极，所述磁隧道结包括铁磁金属自由层、铁磁金属固定层和势垒层，所述势垒层设置在所述铁磁金属自由层与所述铁磁金属固定层之间，所述磁隧道结设置在所述第一掺杂区上，所述铁磁金属固定层的磁矩方向固定不变，所述铁磁金属自由层的磁矩方向可改变。在本发明提供的STT‑MRAM存储单元中，通过将磁隧道结设置在选择晶体管的第一掺杂区上，从而提高了磁隧道结与选择晶体管之间的耦合强度，通过铁磁金属自由层及铁磁金属固定层的磁矩方向来实现读写操作，同时STT‑MRAM
stt mram 存储单元

[发明专利]一种铁料分离装置-CN201811269201.6在审
发明人：安同信;孟立红;陈震 -专利权人：中再生纽维尔资源回收设备（江苏）有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： B03C1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁料分离装置，包括依次设置的第一输送带、第一磁滚筒、振动装置、第二磁滚筒和第二输送带，第一输送带将铁料输送至第一磁滚筒，第一磁滚筒能够吸持铁料中的金属物；振动装置能够产生震动，且将铁料从第一磁滚筒输送至第二磁滚筒；第二磁滚筒能够吸持铁料中的金属物，第二输送带用于输送铁料。由此，通过两个磁滚筒将铁料中的金属物吸持住并送往下一个输送带，将铁料中的金属物和非金属杂物进行分离，达到除杂的效果，而振动装置能够将铁料中的金属物和非金属杂物进行初步分离，提高分离效果和分离效率。
铁料磁滚筒输送带金属物振动装置吸持非金属杂物分离装置初步分离分离效果分离效率依次设置除杂震动申请

[实用新型]一种铁料分离装置-CN201821759207.7有效
发明人：安同信;孟立红;陈震 -专利权人：中再生纽维尔资源回收设备（江苏）有限公司
申请日： 2018-10-29 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： B03C1/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种铁料分离装置，包括依次设置的第一输送带、第一磁滚筒、振动装置、第二磁滚筒和第二输送带，第一输送带将铁料输送至第一磁滚筒，第一磁滚筒能够吸持铁料中的金属物；振动装置能够产生震动，且将铁料从第一磁滚筒输送至第二磁滚筒；第二磁滚筒能够吸持铁料中的金属物，第二输送带用于输送铁料。由此，通过两个磁滚筒将铁料中的金属物吸持住并送往下一个输送带，将铁料中的金属物和非金属杂物进行分离，达到除杂的效果，而振动装置能够将铁料中的金属物和非金属杂物进行初步分离，提高分离效果和分离效率。
铁料磁滚筒输送带金属物振动装置吸持非金属杂物分离装置初步分离分离效果分离效率依次设置除杂震动申请

[发明专利]一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器-CN201410531733.8有效
发明人：张博宇;郭玮;张雨;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-10-10 - 公布日： 2015-03-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种无需外部磁场的自旋轨道动量矩磁存储器，该存储器SOT-MTJ基于垂直磁各向异性，除了包含有传统MTJ结构中的自由层、隧穿势垒层、参考层和反铁磁金属层，还额外添加了一层非铁磁金属层，并且优化了反铁磁金属层的材料，以及改进了隧穿势垒层的形状；该SOT-MTJ结构从下到上依次为底电极，非铁磁金属层，铁磁金属层一即自由层，楔形隧穿势垒层，铁磁金属层二即参考层，反铁磁金属层及顶电极共七层。
一种无需外部磁场自旋轨道动量矩磁存储器

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