专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种准垂直型半导体器件及其制备方法-CN202311204659.4在审
  • 闫韶华;陈龙;刘庆波;黎子兰 - 广东致能科技有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种准垂直型半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用以简化制备工艺,提高电极的接触良率。所述准垂直型半导体器件包括阶梯状外延体、第一电极、第二电极和第三电极,阶梯状外延体中靠近第一垂直侧面的垂直面区域内包括垂直的二维电子气,在靠近第二垂直侧面的垂直面区域内包括垂直的二维空穴气;阶梯状外延体至少包括相邻接的第一阶梯外延体和第二阶梯外延体;第一电极提供在第一阶梯外延体顶部并形成欧姆接触;第二电极提供在第二阶梯外延体顶部并形成欧姆接触;第三电极提供在第一阶梯外延体的第一垂直侧面或第二垂直侧面并形成肖特基接触或绝缘接触。本发明的制备工艺流程简单、难度小,器件良率高。
  • 一种垂直半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种P沟道半导体器件及其制备方法-CN202311204573.1在审
  • 陈龙;闫韶华;黎子兰 - 广东致能科技有限公司
  • 2023-09-19 - 2023-10-27 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种P沟道半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用于解决P沟道器件制备难度大的问题。本发明提供的P沟道半导体器件包括由沟道层和势垒层构成的外延体,势垒层自沟道层的第一垂直界面外延得到;沟道层包括自下向上排列的N型半导体层和P型半导体层;外延体自顶部分隔为并列的第一外延体和第二外延体,第一外延体中垂直的二维空穴气和第二外延体中垂直的二维空穴气绝缘隔离;第一电极提供在第一外延体的顶部;第二电极提供在第二外延体的顶部;第三电极提供在外延体侧面的自第一垂直界面外延的势垒层上。本发明提供的增强型P沟道半导体器件能够提供垂直的高密度空穴气,降低了P沟道器件的制备难度。
  • 一种沟道半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种垂直型半导体器件及其制备方法-CN202311182187.7在审
  • 陈龙;闫韶华;黎子兰 - 广东致能科技有限公司
  • 2023-09-14 - 2023-10-20 - H01L29/861
  • 本发明涉及一种垂直型半导体器件及其制备方法,属于半导体技术领域,用于解决对衬底刻蚀处理时损伤器件功能层的技术问题。所述垂直型半导体器件包括异质衬底、N型Ⅲ‑Ⅴ族化合物层、器件功能层和导电层,其中,异质衬底正面至少包括第一区域和第二区域;N型Ⅲ‑Ⅴ族化合物层提供在所述异质衬底正面的第二区域上方;器件功能层提供在N型Ⅲ‑Ⅴ族化合物层上方;导电层提供在异质衬底正面的第一区域上方,与异质衬底形成欧姆接触,且导电层自第一区域延伸到N型Ⅲ‑Ⅴ族化合物层,与N型Ⅲ‑Ⅴ族化合物层形成欧姆接触。本发明无需复杂的键合、衬底去除等薄膜转移工艺,因而不会因为刻蚀衬底而损伤到器件功能层。
  • 一种垂直半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种防静电珊瑚绒面料及其制备方法-CN202110654358.6有效
  • 贾右兵;闫韶华 - 菏泽市源林川服饰有限公司
  • 2021-06-11 - 2022-08-26 - D04B21/04
  • 本发明公开了一种防静电珊瑚绒面料及制备方法。该防静电珊瑚绒面料的制备方法包括包括整经‑‑坯布织造‑‑剖幅‑‑高温烫光‑‑高温定型‑‑印染‑‑固色蒸华‑‑水洗‑‑抗静电整理‑‑烘干‑‑拉毛、梳毛‑‑反面剪毛‑‑正反面烫光‑‑除浮毛摇粒‑‑成品定型,此方法制备的成本低、制备简单、适用于大规模工业化生产,显著改善产品亲肤、光滑度、抗静电性、手感光滑,此防静电珊瑚绒面料具有良好的抗静电性,能消除静电对人体伤害,并能避免消除静电引起的缠结、不易粘尘,同时具有良好的持久抗静电力、抗菌性能,并且经过洗涤后抗静电性能、抗菌性能依然能够保持。
  • 一种静电珊瑚面料及其制备方法
  • [发明专利]电流传感器、电子设备和检测装置-CN202111681559.1在审
  • 冷群文;闫韶华;赵海轮;丁凯文;周汪洋 - 歌尔微电子股份有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-05-17 - G01R19/00
  • 本发明公开一种电流传感器、电子设备和检测装置,电流传感器包括检测线路和传感组件,传感组件包括形成于芯片上的多个磁阻存储单元,各磁阻存储单元的钉扎层的磁化方向沿其厚度方向设置,多个磁阻存储单元中的至少两个磁阻存储单元连接形成半桥电路,检测线路包括第一检测段和第二检测段,通过设置分别绕设于两个磁阻存储单元周侧的第一检测段和第二检测段,产生两个磁场方向相反、且平行于钉扎层磁化方向的第一感应磁场和第二感应磁场,使得两个磁阻存储单元的阻值发生变化,以解决在传感器的电阻单元是具有垂直磁各向异性的磁隧道结时,现有的电流传感器的检测电路不能通过该类电阻电源进行检测的问题。
  • 电流传感器电子设备检测装置
  • [发明专利]自旋随机存储器及方法-CN201910850886.1有效
  • 赵巍胜;闫韶华;蔡文龙;曹凯华;邓尔雅 - 北京航空航天大学
  • 2019-09-10 - 2021-10-01 - G11C11/16
  • 本申请提供的自旋随机存储器及方法,通过在每个存储分区中设置第二磁性隧道结,第二磁性隧道结通过电流控制保持反平行态,进而可以检测每个存储分区的温度,然后传输给控制电路,从而控制电路基于接收的温度输出读写控制信号,控制读写的电压,即当温度过高时,降低写电压、增大读电压;反之亦然,进而解决了自旋随机存储器的在低温区的写操作失败以及高温区的读错误问题,加大自旋随机存储器的可靠性工作范围,提高自旋随机存储器的使用寿命。
  • 自旋随机存储器方法

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