[发明专利]一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法有效
| 申请号： | 201310682686.2 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103710748A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴 | 申请（专利权）人： | 王宏兴 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/16 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 张瑞琪 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，包括：在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中氮气和氧气的导入方式为交替导入。本发明解决现有技术中生长的单晶金刚石薄膜颜色会变化，甚至变成深棕色，薄膜的晶体质量也会变差，限制了单晶金刚石薄膜在科学研究、光学、半导体和加工等领域的应用的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 高速度 金刚石 薄膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高质量高速度单晶金刚石薄膜的生长方法，其特征在于，包括：在置于沉积腔中的单晶金刚石衬底表面上通过微波等离子体气相沉积方法在生长温度一定的条件下外延生长单晶金刚石薄膜，在沉积腔中导入反应气体，反应气体包括甲烷、氢气、氮气和氧气，其中，氮气和氧气的导入方式为交替导入。
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