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[发明专利]深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元的超精确调谐-CN202080097429.0在审
发明人： S·莱姆克;H·V·特兰;Y·卡其夫;L·施奈德;H·奥姆曼尼;T·乌;N·多;V·蒂瓦里 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：对神经存储器中的选定存储器单元进行超精确调谐。首先使用粗略编程和精细编程方法对选定存储器单元进行编程。然后，选定存储器单元通过相邻存储器单元的编程经历超精确编程。由于相邻存储器单元被编程，相邻存储器单元的浮栅与选定存储器单元的浮栅之间的电容耦合将导致选定存储器单元的浮栅的电压增加，但是比通过对选定存储器单元进行直接编程可以实现的增量小。以此方式，可以利用超精确刻度对选定存储器单元进行编程。
深度学习人工神经网络中的模拟神经存储器单元精确调谐

[发明专利]存储器单元的基于时间存取-CN201880038003.0有效
发明人： U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器单元的基于时间存取。在读取操作的感测部分期间，可将选定存储器单元充电到预定电压电平。可基于在所述充电开始与在选定存储器单元达到所述预定电压电平时之间的持续时间识别存储于所述选定存储器单元上的逻辑状态。在一些实例中，时变信号可用于基于所述充电的所述持续时间而指示所述逻辑状态。在一些实例中，所述充电的所述持续时间可基于所述选定存储器单元的极化状态、所述选定存储器单元的电介质电荷状态，或所述选定存储器单元的极化状态及电介质电荷状态两者。
存储器单元基于时间存取

[发明专利]存储器单元的基于时间存取-CN202110404869.2有效
发明人： U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及存储器单元的基于时间存取。在读取操作的感测部分期间，可将选定存储器单元充电到预定电压电平。可基于在所述充电开始与在选定存储器单元达到所述预定电压电平时之间的持续时间识别存储于所述选定存储器单元上的逻辑状态。在一些实例中，时变信号可用于基于所述充电的所述持续时间而指示所述逻辑状态。在一些实例中，所述充电的所述持续时间可基于所述选定存储器单元的极化状态、所述选定存储器单元的电介质电荷状态，或所述选定存储器单元的极化状态及电介质电荷状态两者。
存储器单元基于时间存取

[发明专利]存储器单元的基于时间存取-CN201880045794.X在审
发明人： U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本文中描述用于存储器阵列中的存储器单元的基于时间存取的方法、系统及装置。在读取操作的感测部分期间，可将选定存储器单元充电到预定电压电平。可基于在充电开始与在选定存储器单元达到所述预定电压电平时之间的持续时间识别存储于所述选定存储器单元上的逻辑状态。在一些实例中，时变信号可用于基于所述充电的所述持续时间而指示所述逻辑状态。所述充电的所述持续时间可基于所述选定存储器单元的极化状态、所述选定状态的电介质电荷状态，或所述选定存储器单元的极化状态及电介质电荷状态两者。
存储器单元基于时间存取

[发明专利]在存储器装置的编程期间的电荷损失补偿-CN200980106435.1有效
发明人：维奥兰特·莫斯基亚诺;米凯莱·因卡尔纳蒂;乔瓦尼·桑廷;达尼洛·奥兰迪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：经由以阶跃电压递增的多个编程脉冲来编程选定字线上的选定存储器单元。在成功编程验证操作之后，在正编程所述选定字线的其它存储器单元同时，禁止所述选定存储器单元的编程。对所述选定存储器单元执行另一编程验证操作。如果所述编程验证操作未通过，那么以所述阶跃电压对耦合到所述选定单元的位线进行偏置，且将最终编程脉冲发出到所述选定字线。接着在不评估所述最终编程验证操作的情况下锁定所述选定存储器单元不再进一步编程。
存储器装置编程期间电荷损失补偿

[发明专利]存储器设备-CN202010651112.9在审
发明人：姜南求 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括存储器单元阵列，其包括多个存储器块；外围电路，其用于对多个存储器块中的选定存储器块执行编程操作并且在编程操作期间将选定存储器块中包括的存储器单元编程为多个编程状态；以及控制逻辑，其用于控制外围电路执行编程操作控制逻辑对编程操作期间所使用的编程脉冲数目进行计数，并且基于经计数的编程脉冲数目来确定选定存储器块是否为坏块。
存储器设备

[发明专利]用于保护存储器装置中的所存储数据的存取方案-CN201910319023.1在审
发明人：松原安士 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及用于保护存储器装置中所存储的数据的存取方案。在一个实例中，存储器装置可包含与数字线及板线耦合的一组存储器单元。一种操作所述存储器装置的方法可包含：对所述一组存储器单元中的选定存储器单元执行存取操作；及基于执行所述存取操作而对所述多个存储器单元中的非选定存储器单元执行均衡操作。所述均衡操作可包含经由所述数字线及所述板线对所述非选定存储器单元的相对端子施加相等的电压，这可允许例如由所述存取操作所致的泄漏电荷等的累积电荷耗散。此均衡操作可减小在进行存取操作之后非选定存储器单元中发生存储损失的可能性。
存储器单元存储器装置存取操作非选定数字线均衡板线存取存储选定存储器单元存储数据累积电荷电荷申请案耦合的耗散减小相等泄漏施加

[发明专利]电压切换电路-CN201610555070.2有效
发明人：柏正豪 -专利权人：力旺电子股份有限公司
申请日： 2016-07-14 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种电压切换电路，连接至一非易失性存储器的一存储器胞。在该非易失性存储器的一编程模式且该存储器胞为一选定存储器胞时，在二输出端皆提供一高电压。在该非易失性存储器的该编程模式且该存储器胞为一未选定存储器胞时，在二输出端提供一中间电压与一接地电压。在该非易失性存储器的一抹除模式且该存储器胞为该选定存储器胞时，在二输出端提供该高电压与该接地电压。在该非易失性存储器的该抹除模式且该存储器胞为该未选定存储器胞时，在二输出端提供该接地电压。在一读取模式时，在二输出端皆提供一读取电压。
电压切换电路

[发明专利]存储器器件及其擦除操作-CN202180000881.5有效
发明人：梁轲;侯春源 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：在某些方面中，一种存储器器件包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列包括多个存储器单元行；多个字线，多个字线分别耦合到多个存储器单元行；以及外围电路，外围电路耦合到多个字线并且被配置为对多个存储器单元行中的选定存储器单元行执行擦除操作选定存储器单元行耦合到选定字线。为了执行擦除操作，外围电路被配置为：在第一时间段中，将耦合到多个存储器单元行中的未选定存储器单元行的未选定字线从初始电压放电到放电电压；并且在第一时间段之后的第二时间段中，使未选定字线浮置。
存储器器件及其擦除操作

[发明专利]对浮动栅极耦合具有补偿的非易失性存储装置的读取操作-CN200780007206.5有效
发明人：尼玛·穆赫莱斯 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2007-02-27 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：由于基于相邻浮动栅极(或其它相邻电荷存储元件)中所存储的电荷的电场耦合，可能发生非易失性存储器单元的浮动栅极(或其它电荷存储元件)上所存储的表观电荷的移位。所述问题最显著发生于已在不同时间编程的若干组相邻存储器单元之间。为了解决此耦合，针对特定存储器单元的读取过程将向相邻存储器单元提供补偿，以便减小所述相邻存储器单元对所述特定存储器单元具有的耦合效应。为此，将读取电压施加至选定存储器单元的字线，将第二通过电压施加至与所述选定存储器单元相邻的存储器单元的字线，且将第一通过电压施加至其它字线。在读取所述选定存储器单元之前，读取所述相邻存储器单元的状态，且根据此状态，设定所述第二通过电压。
浮动栅极耦合具有补偿非易失性存储装置读取操作

[发明专利]配置为控制非易失性存储器件的控制器的操作方法和储存设备的操作方法-CN202111428083.0在审
发明人：柳尚辰;李允宑;李熙元;李侊祐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：公开了一种控制器的操作方法，该控制器被配置为控制非易失性存储器件。该方法包括：从非易失性存储器件接收与包括在非易失性存储器件中的选定存储单元相关联的单元计数数据；基于单元计数数据来调整非易失性存储器件的操作参数；基于调整后的操作参数对选定存储单元执行谷值搜索操作；以及基于谷值搜索操作的结果对选定存储单元执行读操作
配置控制非易失性存储器控制器操作方法储存设备

[发明专利]在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法-CN200980101910.6有效
发明人：杨赛森;钟成;朴东奎;穆罕默德·H·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法。在实施例中，存储器装置(100)包括字线逻辑电路(110)，所述字线逻辑电路(110)耦合到多个字线(108)且适合于选择性地向耦合到选定存储器单元的选定字线施加正电压(V)且向非选定字线施加负电压(NV)，所述选定存储器单元包括磁性隧道结(MTJ)装置。
存储器装置读取操作期间选择性施加电压系统方法

[发明专利]具有动态编程验证电平的存储器装置-CN202111622421.4在审
发明人： A·夏尔马 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请涉及具有动态编程验证电平的存储器装置。存储器装置可包含存储器单元阵列和配置成存取所述存储器单元阵列的控制器。所述控制器可感测选定存储器单元的第一阈值电压。响应于所述经感测第一阈值电压在第一预编程验证电平和第一编程验证电平之间，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于SSPC编程。响应于所述经感测第一阈值电压小于所述第一预编程验证电平，所述控制器可将所述选定存储器单元偏置用于非SSPC编程。响应于所述经感测第一阈值电压大于所述第一编程验证电平，所述控制器可禁止所述选定存储器单元进行编程。
具有动态编程验证电平存储器装置

[发明专利]用于存取存储器单元阵列的技术-CN201811548278.7在审
发明人： U·迪温琴佐;L·迪马蒂诺 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本申请案涉及用于存取存储器单元阵列的技术。本文中描述用于在存储器装置中的选定存储器单元的存取操作期间减轻由状态转变感应的寄生信号的技术。一些存储器装置可包含与和多个数字线及/或多个字线相关联的存储器单元耦合的板。因为所述板与多个数字线及/或第一字线耦合，所以在存取操作期间可能发生所述存储器装置的各种组件之间的意外耦合。为了减轻由所述意外耦合感应的寄生信号，所述存储器装置可在所述存取操作的某些部分期间将所述选定存储器单元与选定数字线隔离。所述存储器装置可在所述板从第一电压转变到第二电压时，在所述选定数字线从第三电压转变到第四电压时或其组合隔离所述选定存储器单元。
存储器装置数字线选定存储器单元存取存储器单元存取操作期间电压转变寄生信号耦合字线隔离存储器单元存取操作状态转变耦合感应申请案耦合的关联

[发明专利]数据锁存器在非易失性存储器的多阶段编程中的使用-CN200680010776.5有效
发明人：李彦;若尔－安德里安·瑟尼 -专利权人：桑迪士克股份有限公司
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置包含用于管制非易失性存储器中多阶段编程过程的电路。示范性实施例使用快速通过写入技术，其中使用单个编程通过，但改变选定存储器单元的偏压以随着所述存储器单元接近其目标值而通过升高所述选定存储器单元的沟道的电压电平来减慢编程。本发明的原理性方面引入与读取/写入电路相关联的锁存器，所述读取/写入电路可沿着相应位线连接到每一选定存储器单元以用于存储处于此较低电平的检验的结果。
数据锁存器非易失性存储器阶段编程中的使用

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