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[发明专利]一种ZTA产品的热处理特性改善方法-CN202211401751.5在审
发明人： 姜南求;朴灿映 -专利权人：苏州艾成科技技术有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本方法公开了一种ZTA产品的热处理特性改善方法，包括以下操作步骤：S1：准备原材料；S2：AMBpaste的涂抹；S3：铜sheets的处理；S4键合处理；S5：与ZTA基板进行蚀刻；S6：蚀刻后处理。本方法所述的一种ZTA产品的热处理特性改善方法，通过在ZTA基板上采用改善后的AMB方式，键合后，去除了基板的小型间隙及细微间隙，可以改善良率及品质，键合更加厚式样的铜sheets，可改善电和热特性，在形成焊料突出结构时，形象化了抑制(stress已分散)基板上的stress发生的现象，由于这样的效果，在使用0.4t以上的铜时，可确保具有比DCB0.3t更加稳定的性能，在相同的热冲击条件下，可看出至少2倍以上的显著改善效果，同时具有更高的热导率，高电流用量，散热快及热循环后可靠性优越的较高的特性。
一种 zta 产品热处理特性改善方法

[发明专利]一种陶瓷滤波器的表面金属化工艺-CN202210485530.4在审
发明人： 姜南求;朴灿映 -专利权人：苏州艾成科技技术有限公司
申请日： 2022-05-06 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷滤波器的表面金属化工艺，包含以下步骤：先利用铜粉和金属氧化物粉制备浆料；再均匀涂布在陶瓷滤波器毛坯的表面；最后干燥后在还原气氛的高温下烧结，形成铜金属化层；本发明相比于传统银组分中添加玻璃熔块，通过采用Cu‑O共熔接合方式，使金属化层致密化，不仅将铜金属化层的导电度下降最小，同时赋予陶瓷结构物与铜金属化层足够的结合强度，且铜的价格是银价格的十分之一，大大降低了生产成本。
一种陶瓷滤波器表面金属化工艺

[实用新型]一种铜预氧化网带结构-CN202220734312.5有效
发明人： 姜南求;朴灿映 -专利权人：苏州艾成科技技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： B65G15/48 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铜预氧化网带结构，包含铜预氧化网带本体、多个竖直设置在铜预氧化网带本体上的支撑柱；多个所述支撑柱设置有多列，且至少设置有两排；本实用新型通过在铜预氧化网带本体上设置多个竖直放置的支撑柱，能使铜板与铜预氧化网带本体间隔放置，防止接触时产生的不均匀氧化，同时尽量减少接触面，防止污染，且结构简单，降低了生产成本。
一种氧化结构

[发明专利]存储器设备-CN202010651112.9在审
发明人： 姜南求 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括存储器单元阵列，其包括多个存储器块；外围电路，其用于对多个存储器块中的选定存储器块执行编程操作并且在编程操作期间将选定存储器块中包括的存储器单元编程为多个编程状态；以及控制逻辑，其用于控制外围电路执行编程操作。控制逻辑对编程操作期间所使用的编程脉冲数目进行计数，并且基于经计数的编程脉冲数目来确定选定存储器块是否为坏块。
存储器设备

[发明专利]微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件-CN201910344404.5在审
发明人：陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明公开了微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件。所述微波介质陶瓷粉为一种介电常数为34的、陶瓷品质因素能够达到90000以上的微波介质陶瓷粉；所述微波介质陶瓷粉包括粉末，该粉末包括重量比为130Kg︰5Kg︰60Kg︰10Kg︰0.4Kg的碳酸钡BaCO₃、氧化锌ZnO、氧化铌Nb₂O₅、氧化钴CoO、氧化镓Ga₂O₃。本发明能获得比一般介电常数为34的陶瓷原料更高的Q值及更稳定的温度系数，把QxFo[陶瓷品质因素]从75000提高到90000以上。本发明还公开该微波介质陶瓷粉的制备方法，应用该微波介质陶瓷粉的微波介质陶瓷与微波元器件。
微波介质陶瓷微波元器件介电常数品质因素陶瓷氧化钴CoO 陶瓷原料温度系数碳酸钡氧化锌氧化铌氧化镓重量比制备应用

[发明专利]微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件-CN201910345081.1在审
发明人：陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：本发明公开了微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件。所述微波介质陶瓷粉为一种介电常数为43的、陶瓷品质因素能够达到46000以上的微波介质陶瓷粉；所述微波介质陶瓷粉包括粉末，该粉末包括重量比为70Kg︰60Kg︰50Kg︰20Kg︰1Kg的碳酸钙CaCO₃、二氧化钛TiO₂、氧化钐Sm₂O₃、氧化铝Al₂O₃、氧化铈CeO₂。本发明能获得比一般介电常数为43的陶瓷原料更高的Q值及更稳定的温度系数，把QxFo[陶瓷品质因素]从传统的42000提高到46000以上，本发明还公开该微波介质陶瓷粉的制备方法，应用该微波介质陶瓷粉的微波介质陶瓷与微波元器件。
微波介质陶瓷微波元器件介电常数品质因素陶瓷碳酸钙二氧化钛陶瓷原料温度系数传统的氧化铝氧化钐氧化铈重量比制备应用

[实用新型]一种双模陶瓷波导滤波器-CN201820608462.5有效
发明人：陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双模陶瓷波导滤波器，其采用并排连接的两个陶瓷谐振器。本实用新型能在同一个陶瓷谐振器上发生垂直的两个电磁场形成两种谐振腔来分别产生两种谐振频率，因而损耗比现有的陶瓷波导滤波器少，尺寸也能缩小到一半。每个陶瓷谐振器在背对着另一个陶瓷谐振器的一侧端面上设置一字线条区，在相对另一侧端面上设置十字线条区，在连接两个侧端面的侧表面上开设调试孔和电性耦合孔。两个区的中心位于同一直线上，一字线条区和调试孔位于同一水平面上，电性耦合孔位于一字线条区下方且呈45度夹角，两个调试孔位于两个陶瓷谐振器的同一侧。两个陶瓷谐振器的外表面全部金属化形成金属层，去除一字线条区内的金属层和十字线条区内的金属层。
陶瓷谐振器线条一字滤波器陶瓷波导调试孔金属层本实用新型电性耦合双模并排连接同一水平同一直线谐振频率电磁场侧表面垂直的金属化谐振腔背对侧端去除

[发明专利]一种双模陶瓷波导滤波器-CN201810385186.5在审
发明人：陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： H01P1/207 文献下载
摘要：本发明公开了一种双模陶瓷波导滤波器，其采用并排连接的两个陶瓷谐振器。本发明能在同一个陶瓷谐振器上发生垂直的两个电磁场形成两种谐振腔来分别产生两种谐振频率，因而损耗比现有的陶瓷波导滤波器少，尺寸也能缩小到一半。每个陶瓷谐振器在背对着另一个陶瓷谐振器的一侧端面上设置一字线条区，在相对另一侧端面上设置十字线条区，在连接两个侧端面的侧表面上开设调试孔和电性耦合孔。两个区的中心位于同一直线上，一字线条区和调试孔位于同一水平面上，电性耦合孔位于一字线条区下方且呈45度夹角，两个调试孔位于两个陶瓷谐振器的同一侧。两个陶瓷谐振器的外表面全部金属化形成金属层，去除一字线条区内的金属层和十字线条区内的金属层。
陶瓷谐振器线条一字滤波器陶瓷波导调试孔金属层电性耦合双模并排连接同一水平同一直线谐振频率电磁场侧表面垂直的金属化谐振腔背对侧端去除

[实用新型]一种波导滤波器-CN201520920054.X有效
发明人：安钟锡;姜南求;陈荣达 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种波导滤波器，包括上层陶瓷模组、中层陶瓷块模组和下层陶瓷模组；其中上层陶瓷模组包括至少一个上层陶瓷块，所述上层陶瓷块上设有三个凹槽和至少两个通孔，该凹槽将该上层陶瓷块分隔形成三个谐振孔；中层陶瓷块模组包括多个陶瓷块，其中至少一个陶瓷块上设有通孔；下层陶瓷模组包括至少一个下层陶瓷块，该下层陶瓷块上设有三个凹槽和通孔，该凹槽将该下层陶瓷块分隔形成三个谐振孔；上层陶瓷块上的凹槽和通孔与下层陶瓷块上的凹槽和通孔相匹配。其提供了一种新型的产生notch现象的方法，且通过调整陶瓷块的方式可调节notch的位置，在原有技术上减小了产品体积。
一种波导滤波器

[实用新型]可调节式滤波器-CN201720190916.7有效
发明人： 姜南求;陈荣达;武健安 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可调节式滤波器，其包括屏蔽罩、陶瓷基体、PCB板；陶瓷基体设置于PCB板上，陶瓷基体上开设有若干通孔，通孔贯通陶瓷基体，且通孔的延伸方向与陶瓷基体的长度方向相平行；屏蔽罩为L型，L型屏蔽罩一端连接于陶瓷基体上，另一端连接于PCB板上，屏蔽罩上设置有若干螺丝孔，若干螺丝孔分别与若干通孔相对同轴设置，任一螺丝孔中设置有螺丝，螺丝的长度小于相对的螺丝孔和通孔之间的距离。本实用新型的可调节式滤波器通过开设与通孔相对的螺丝孔，并在螺丝孔中设置螺丝，从而可改变相应电磁场的变化程度，从而达到调节整个滤波器的频率的目的。此外，上述调节为可逆式调节，如此增强了本实用新型的可调节式滤波器的通用性。
调节滤波器

[实用新型]一种可形成衰减极点的介质多模波导滤波器-CN201520859069.X有效
发明人： 姜南求;陈荣达 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可形成衰减极点的介质多模波导滤波器，包括上层模块和下层模块，上层模块包括并排连接的第一电介质材料块和第二电介质材料块，下层模块包括并排连接的第三电介质材料块和第四电介质材料块。通过在多层介质模的同一面上设计信号的输入与输出的电极端口，以及上下层模块间形成COUPLE并且在信号的输入与输出的电极端口面包含可形成衰减极点的基板来构造，以此来改善并减小介质多模波导滤波器的体积。依据本实用新型可以更改产品的体积并且用此种的波导滤波器可以把通信中继器的整体的体积也变小，另现目前原材料大部分用进口的情况下，可以减少原材料的费用，具有较大的市场价值。
一种形成衰减极点介质波导滤波器

[实用新型]谐振器-CN201520894755.0有效
发明人： 姜南求;陈荣达;武健安 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01P7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种谐振器，其包括陶瓷本体和接头；所述陶瓷本体上开设有通孔，所述通孔贯通所述陶瓷本体，且所述通孔的延伸方向与所述陶瓷本体的长度方向相同，所述陶瓷本体的侧壁设置有第一金属层，所述通孔的侧壁设置有第二金属层；所述接头连接于所述通孔的一端，并与所述第二金属层电性连接。本实用新型的谐振器采用半波长的谐振方式，从而，其具有较高的可控性，有利于高频段谐振器的研发和生产加工，取得了良好的经济效益。
谐振器

[实用新型]一种陶瓷波导滤波器-CN201620724233.0有效
发明人：安钟锡;陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2016-12-21 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷波导滤波器，其包括上、下叠置的且表面均覆盖有导电性物质的第一区与第二区。第一区包括依次相接的至少三个谐振器一，第二区包括依次相接的且与至少三个谐振器一相对应的至少三个谐振器二。同一区上的相邻两个谐振器的相接处的相对两侧上均设置有一个凹槽。第一区的一端上的谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在偏离自身谐振器一的中央区域上设置有主耦合部一。第一区上位于中间区域的其中一个谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在自身谐振器一的中央上设置有辅助耦合部一。第二区上设置有与主耦合部一、辅助耦合部一一一对应的且能相互耦合连接的主耦合部二、辅助耦合部二。
一种陶瓷波导滤波器

[发明专利]一种陶瓷波导滤波器-CN201610541197.9在审
发明人：安钟锡;陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷波导滤波器，其包括上、下叠置的且表面均覆盖有导电性物质的第一区与第二区。第一区包括依次相接的至少三个谐振器一，第二区包括依次相接的且与至少三个谐振器一相对应的至少三个谐振器二。同一区上的相邻两个谐振器的相接处的相对两侧上均设置有一个凹槽。第一区的一端上的谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在偏离自身谐振器一的中央区域上设置有主耦合部一。第一区上位于中间区域的其中一个谐振器一，且面向相应谐振器二的一侧表面上并在自身谐振器一的中央上设置有辅助耦合部一。第二区上设置有与主耦合部一、辅助耦合部一一一对应的且能相互耦合连接的主耦合部二、辅助耦合部二。
一种陶瓷波导滤波器

[发明专利]微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件-CN201610244873.6在审
发明人：陈荣达;姜南求 -专利权人：苏州艾福电子通讯股份有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-09-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了微波介质陶瓷粉及其方法、微波介质陶瓷、微波元器件。微波介质陶瓷粉包括粉末，该粉末包括重量比为130Kg︰5Kg︰60Kg︰10Kg︰0.4Kg的碳酸钡BaCO₃、氧化锌ZnO、氧化铌Nb₂O₅、氧化钴CoO、氧化镓Ga₂O₃。本发明能获得比一般介电常数为34的陶瓷原料更高的Q值及更稳定的温度系数，把QxFo[陶瓷品质因素]从75000提高到90000以上。本发明还公开该微波介质陶瓷粉的制备方法，应用该微波介质陶瓷粉的微波介质陶瓷与微波元器件。
微波介质陶瓷及其方法元器件

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