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[发明专利]一种选择性铜蚀刻液-CN202110926379.9有效
发明人：王书萍;钟昌东;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;万杨阳;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性铜蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、有机羧酸、螯合剂、pH调节剂和铜蚀刻加速剂。本发明所述选择性铜蚀刻液能够在高效蚀刻金属铜的同时保证金属钨的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属钨的蚀刻。在蚀刻过程中，咪唑等pH调节剂稳定蚀刻液pH，避免蚀刻液pH的大幅波动，从而对金属铜和钨的蚀刻速率及蚀刻稳定性造成较大的波动；螯合剂快速与蚀刻液中生成的铜离子形成配位键进行螯合，避免蚀刻液中铜离子的累积造成氧化剂双氧水的分解，影响蚀刻液的稳定性；金、银和铂族金属（钌、铑、钯、锇、铱、铂）等贵金属与有机羧酸的复配物作为铜离子蚀刻加速剂，在蚀刻过程中，加快铜离子的蚀刻保证金属铜相对钨的高选择性蚀刻。
一种选择性蚀刻

[实用新型]一种含铜离子酸性蚀刻液再生系统-CN201020567155.0有效
发明人：吴超;李建光;何世武;李明军;崔磊;王大定 -专利权人：深圳市洁驰科技有限公司
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型适用于蚀刻领域，提供了一种含铜离子酸性蚀刻液再生系统，该再生系统包括蚀刻缸、蚀刻废液中转槽、离子膜电解槽、再生蚀刻液槽，该离子膜电解槽通过离子交换膜分为阳极室和阴极室，该蚀刻废液中转槽将蚀刻缸和阳极室相连通，该蚀刻废液中转槽储存来自于蚀刻缸中并用于供给至阳极室的蚀刻废液，该再生蚀刻液槽将阳极室和蚀刻缸相连通，该再生蚀刻液槽储存阳极室中再生蚀刻液并用于提供至蚀刻缸。本实用新型再生系统，利用氯离子电解产生强氧化剂氯气，来氧化蚀刻废液中的亚铜离子，解决了现有技术需要额外添加氧化剂来氧化亚铜离子的技术问题，降低了生成成本，而且不添加杂质到再生蚀刻液中，保证了再生蚀刻液和新鲜蚀刻液的一致性
一种离子酸性蚀刻再生系统

[实用新型]一种自动移印钢片蚀刻机-CN201621084437.9有效
发明人：莫彦彬;张建秋 -专利权人：东莞市誉博自动化科技有限公司
申请日： 2016-09-27 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种自动移印钢片蚀刻机。本申请的自动移印钢片蚀刻机，包括操作平台、蚀刻液储液筒支架、蚀刻液储液筒、毛刷、升降模组和横扫模组；操作平台水平设置，用于放置移印钢片；蚀刻液储液筒支架垂直安装于操作平台旁；横扫模组固定安装于蚀刻液储液筒支架上，活动端固定连接升降模组，驱动升降模组在水平位置移动；升降模组的活动端固定连接毛刷，驱动毛刷垂直上下移动；毛刷与蚀刻液储液筒管道连通；蚀刻液储液筒固定安装于蚀刻液储液筒支架上。本申请的自动移印钢片蚀刻机，能自动对移印钢片蚀刻液涂抹、蚀刻，操作人员只需要放置或取出钢片，降低了蚀刻工序安全隐患，无需依赖操作人员经验，提高生产效率的同时，也更利于生产管理。
一种自动钢片蚀刻

[发明专利]一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液-CN201911088498.0在审
发明人：李少平;张庭;郝晓斌;贺兆波;冯凯;王书萍;尹印;万杨阳;张演哲 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高氮化硅蚀刻均匀性的酸性蚀刻液，其蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总重量≥88%的磷酸、0.01‑10%的醇醚类、0.001‑2%的表面活性剂。本蚀刻液中的醇醚类能够改善蚀刻液的浸润性，表面活性剂能够降低蚀刻液的表面张力。相对传统的仅使用磷酸作为蚀刻液相比，本发明中的蚀刻液浸润性优、表面张力低，对氮化硅层具有低接触角，可明显提高蚀刻液对氮化硅层的润湿性和蚀刻均匀性。
一种提高氮化蚀刻均匀酸性

[发明专利]蚀刻液浓度控制方法-CN200810213433.X无效
发明人：陈志行 -专利权人：浩硕科技股份有限公司
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： G05D11/02 文献下载
摘要：一种蚀刻液浓度控制方法，其包括以下步骤：设定蚀刻液的目标浓度值；抽取蚀刻液样本；用丙二醇稀释所述蚀刻液样本；测量所述蚀刻液样本的浓度，得到所测量的浓度值；依据所述目标浓度值与所测量的浓度值的差值，调整所述蚀刻液的浓度至所述目标浓度值蚀刻液浓度分析过程中不使用毒性物质，减少蚀刻液浓度控制过程对环境造成的负担。
蚀刻浓度控制方法

[发明专利]一种用于金属层和半导体层形态控制的蚀刻液及其应用-CN202210629068.0在审
发明人：邵振 -专利权人：江苏和达电子科技有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于金属层和半导体层形态控制的蚀刻液，所述蚀刻液包括：占所述蚀刻液质量百分含量为5‑20%的无机酸，占所述蚀刻液质量百分含量为8‑15%的有机酸，占所述蚀刻液质量百分含量为8‑15%的碱性物质，占所述蚀刻液质量百分含量为4‑8%的添加剂，占所述蚀刻液质量百分含量为6‑9%的双氧水，以及占所述蚀刻液质量百分含量为40‑60%的水；本发明所述蚀刻液可以同时蚀刻金属层及半导体层，缩短蚀刻时间，进而缩短液晶面板的生产周期，提升液晶面板的产能，并且本发明所述的蚀刻液具备合适的蚀刻速度以及较高的蚀刻精度，同时还具有较高的承载力，本发明还提供所述蚀刻液的应用。
一种用于金属半导体形态控制蚀刻及其应用

[实用新型]蚀刻液自动添加装置-CN201020680779.3无效
发明人：曾巨湘;蒋红清;李伟章;钟红生 -专利权人：深圳市翔宇电路有限公司
申请日： 2010-12-27 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型是一种蚀刻液自动添加装置，其包括电源、控制器及蚀刻泵，蚀刻泵控制向蚀刻槽内添加蚀刻液，其特征在于，所示控制器与蚀刻槽接通，且所述控制器内设置有比重计和探头，比重计位于探头的下部，悬浮于控制器内的蚀刻液中，探头接通电源，电源连接蚀刻泵，当蚀刻槽内的蚀刻液CU2+超标的话，则控制器内的比重计会上浮，与上部的探头接触，使探头接通电路，电源则控制开启蚀刻泵，蚀刻泵向蚀刻槽内添加蚀刻液，蚀刻液添加到比重范围内，则比重计或下降，断开与探头的接触，探头则不会再接通电路，通过此装置可自动完成对蚀刻液的添加。
蚀刻自动添加装置

[发明专利]一种PCB碱性蚀刻工艺-CN201811229193.2在审
发明人：邓增顺 -专利权人：东莞泰山电子有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明公开一种PCB碱性蚀刻工艺，包括以下步骤，采用氯离子含量为160‑200克/升、二价铜离子的含量为120‑160克/升、PH值保持在8.2‑9.0的碱性蚀刻液；然后利用该碱性蚀刻液加入蚀刻机的蚀刻缸内，让蚀刻机将所述碱性蚀刻液的温度保持在45摄氏度到55摄氏度之间；随后设置蚀刻机的喷淋上压力和喷淋上压力；最后将已完成显影的PCB板放入蚀刻机中进行蚀刻。与现有技术相比，本发明采用的蚀刻液为碱性蚀刻液，在相同的条件下，碱性蚀刻液相比于酸性蚀刻液，蚀刻速度快20％，相对生产产能增加20％，可以大幅度地提高生产效率，提高工厂的效益；而且碱性蚀刻液比酸性蚀刻液在生产相同板时
碱性蚀刻液蚀刻机蚀刻酸性蚀刻液碱性蚀刻喷淋二价铜离子生产效率温度保持氯离子蚀刻液产能放入显影生产成本生产

[实用新型]蚀刻液监控装置及具有该蚀刻液监控装置的蚀刻设备-CN201821180930.X有效
发明人：陈德和 -专利权人：东莞宇宙电路板设备有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本实用新型适用于电路板生产技术领域，提供了一种蚀刻液监控装置及蚀刻设备。上述蚀刻液监控装置包括第一监测组件和第二监测组件，第一监测组件通过第一进液管和第一回流管与蚀刻液主箱连接，第二监测组件通过第二进液管和第二回流管与蚀刻液主箱连接，第一监测组件还分别电连接有抽风机和打气风机，第二监测组件还电连接有加液装置。上述蚀刻设备包括上述蚀刻液监控装置。本实用新型所提供的一种蚀刻液监控装置及具有该蚀刻液监控装置的蚀刻设备，蚀刻液监控装置能对蚀刻液的PH值、ORP值和药水含量比重值进行监测和控制，提升了蚀刻液蚀刻速率的稳定性，进而有利于提高蚀刻设备进行电路板线路加工的精细度
蚀刻液监控装置监测组件蚀刻设备本实用新型电连接回流管主箱第二进液管第一进液管电路板生产电路板线路监测和控制蚀刻含量比重抽风机精细度风机药水打气加工

[发明专利]蚀刻装置-CN201110229889.7有效
发明人：刘咸柱;陈钜盛;肖兴荣 -专利权人：富泰华工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C03B15/00 文献下载
摘要：一种蚀刻装置，其包括基体及储液件，储液件安装于基体上，储液件开设有用于收容蚀刻液的容纳孔。储液件的侧面还开设有与容纳孔连通的喷射孔，蚀刻液从喷射孔喷射而出。蚀刻装置还包括转动安装于基体上的转动件，且转动件与储液件的侧面相对设置。采用上蚀刻装置蚀刻曲面玻璃时，由于转动件带动曲面玻璃转动，蚀刻液可从各个角度喷射至曲面玻璃上，使曲面玻璃均匀地受到蚀刻液的蚀刻，从而避免了由于曲面玻璃表面不规则，使蚀刻液的流速不均匀而导致蚀刻不均匀。
蚀刻装置

[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN202180053024.1在审
发明人：根来世;小林健司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：通过将碱性的第1蚀刻液供应给基板，而对表示单晶硅与多晶硅中的至少一者的蚀刻对象物施行蚀刻。在将第1蚀刻液供应给基板前或供应后，将碱性的第2蚀刻液供应给基板，而对蚀刻对象物施行蚀刻；该第2蚀刻液含有阻碍氢氧化物离子与蚀刻对象物接触的化合物，且对硅的(110)面、(100)面、及(111)面的蚀刻速度的最大值与最小值差比第1蚀刻液小，蚀刻速度的最大值比第1蚀刻液小。
处理方法以及装置

[发明专利]蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统-CN03125565.5有效
发明人：伊豆田信彦;村田贡 -专利权人： M.FSI株式会社
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：公开了一种由磷酸溶液组成并在蚀刻槽内用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液的再生方法。因为蚀刻，使蚀刻液含有硅化合物。根据该再生方法，从蚀刻槽中抽出其中含有硅化合物的蚀刻液。然后向抽出的蚀刻液中加入水以降低蚀刻液中磷酸的浓度到80－50wt％。由于磷酸浓度降低，导致硅化合物沉淀。从蚀刻液中除去这样沉淀的硅化合物。还公开了一种使用该再生方法的蚀刻方法以及适于实施该再生方法和蚀刻方法的蚀刻系统。
蚀刻再生方法系统

[实用新型]一种FPC柔性电路板加工用蚀刻机-CN202022348589.8有效
发明人：潘斌;李浙兵;钱富贤 -专利权人：江西创亿电子有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FPC柔性电路板加工用蚀刻机，涉及蚀刻机技术领域，具体为一种FPC柔性电路板加工用蚀刻机，包括蚀刻筒，所述蚀刻筒上方外部的左右分别开设有注液口，所述蚀刻筒下方外部的左右分别开设有出液口，所述蚀刻筒的外部活动套接有控液环，所述控液环的外部开设有连接口，所述蚀刻筒的前后端固定安装有挡液板。该FPC柔性电路板加工用蚀刻机，通过在蚀刻筒上方的左右开设注液口，同时在蚀刻筒下方位于注液口的正下方的位置开设出液口，使控液环套接在蚀刻筒的外部，使控液环盖住蚀刻筒和注液口，同时在控液环的外部开设连接口，方便通过连接口和注液口与出液口配合进行加化学溶液，放出废液。
一种 fpc 柔性电路板工用蚀刻

[实用新型]一种太阳能硅片表面蚀刻装置-CN202022906899.7有效
发明人：张传祥;刘超 -专利权人：合肥畅阳新能源科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能硅片表面蚀刻装置，包括蚀刻外壳体、液管、输液软管，所述蚀刻外壳体的下端四角处均固定连接设置有支撑脚，所述蚀刻外壳体的内部下端倾斜固定连接设置有蚀刻倾斜底板，所述蚀刻外壳体的下端固定安装设置有废液出管，所述蚀刻外壳体的上端设置有蚀刻液罐，所述蚀刻外壳体的上端固定连接设置有液泵，所述液泵的输入端通过液管与蚀刻液罐相连接。本实用新型通过蚀刻外壳体的下端设置蚀刻倾斜底板，并且在蚀刻外壳体的下端设置有废液出管，使用过后的蚀刻液可流入蚀刻倾斜底板内，并在倾斜的蚀刻倾斜底板内流入废液出管处，通过废液出管可对蚀刻废液进行集中处理，便于对蚀刻废液进行收集。
一种太阳能硅片表面蚀刻装置

[发明专利]一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法-CN202211261256.9有效
发明人：黄锣锣;贺兆波;叶瑞;张庭;钟昌东;张演哲;黎鹏飞;刘悦 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23F1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种高蚀刻速率与深宽比的铝蚀刻液制备方法。该铝蚀刻液由三乙醇胺、缓蚀剂、pH调节剂、阴离子型表面活性剂和去离子水组成。其中，三乙醇胺用于提升蚀刻液的粘度，缓蚀剂与蚀刻液粘度协同调节蚀刻液的异向传质，减少铝的侧蚀量，pH调节剂提升蚀刻液的碱性来加快蚀刻速率。在制备过程中，通过控制各组分的添加量和顺序，搅拌均匀后再通过pH调节剂控制蚀刻液的碱性，使其提高铝蚀刻液的蚀刻速率。本发明中的铝蚀刻液能缩短铝蚀刻工艺时间，并满足高深宽比的要求。
一种蚀刻速率制备方法