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[实用新型]蚀刻系统-CN201820437378.1有效
发明人：金钟学;汤泽民;王长兴 -专利权人：东莞太星机械有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蚀刻系统，包括：喷射装置，用于向基板喷射混合了微型泡沫的蚀刻液；吸入及喷嘴构件，安装在接近基板的位置，用于向基板喷射空气来分散蚀刻液，并吸入积累的蚀刻液进行回收；空气供给部，用于为吸入及喷嘴构件提供空气；蚀刻液回收部，用于为吸入及喷嘴构件提供吸入力，以回收基板上的蚀刻液；吸入及喷嘴构件包括：喷嘴体；在喷嘴体中形成的用于在喷嘴体下端喷射空气的空气喷射通道；在喷嘴体中形成的用于从喷嘴体下端吸入蚀刻液的蚀刻液吸入通道，蚀刻液吸入通道与空气喷射通道相互隔离。借此，本实用新型蚀刻系统能够使得水坑效应最小化，同时增加蚀刻速度和减少能量消费量。
蚀刻液吸入喷嘴体喷嘴构件基板蚀刻系统空气喷射通道本实用新型喷射空气吸入通道下端蚀刻空气供给部蚀刻液回收喷射混合喷射装置回收吸入力最小化水坑隔离积累

[实用新型]一种新型氯气吸收装置-CN201520610487.5有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：广州市吉池环保科技有限公司
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：一种新型氯气吸收装置，包括具有氯气入口和氯气出口的罐体，所述的氯气入口位于罐体中部，在罐体上部设置有喷淋室，所述的喷淋室为两个或多个，各喷淋室下部设置有蚀刻液再生室，相邻喷淋室之间通过通道连通，在罐体下部还设置有蚀刻液室，在蚀刻液再生室中产生的蚀刻液输送至酸性蚀刻设备中，经过酸性蚀刻设备使用后的蚀刻液回流至蚀刻液室，氯气入口连接电解设备，电解设备电解产生的氯气通过氯气入口进入喷淋室循环利用。本实用新型采用全封闭式系统，无废水、废气及废物排放，可自动循环运作，进行蚀刻液的回收及再生工作，蚀刻效果稳定，能够实现蚀刻液100%循环再利用。
一种新型氯气吸收装置

[发明专利]一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法-CN202310189679.2在审
发明人：张丁山;王钦;黄丽静;虞城成 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明实施例涉及蚀刻液技术领域，公开了一种蚀刻液以及制备蚀刻液的方法。所述蚀刻液是由盐酸、过氧化氢和纯净水组成，其中，按质量百分比，所述盐酸占5％‑30％,所述过氧化氢占5％‑30％，所述纯净水占10％‑90％。通过上述方式，本发明实施例的蚀刻液具有无色透明的特性，在蚀刻完成并且无害处理之后，排放蚀刻液仍然呈现无色，不会造成有色污染；另外，蚀刻液能够蚀刻出敏感栅丝栅宽度小于20μm的应变片，并且图形完整、清晰准确
一种蚀刻以及制备方法

[实用新型]电路板电镀微蚀液铜回收系统-CN201520026315.3有效
发明人：王劲;张志明;林立明;文曙光;吴丽琼 -专利权人：成都明天高新产业有限责任公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C23G1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电路板电镀微蚀液铜回收系统；其特征在于：该系统包括蚀刻槽、溢流槽、蚀刻液储备槽、调整槽、循环槽、电解槽、再生液收集槽、药剂添加槽；蚀刻槽与溢流槽连通，溢流槽连通蚀刻液储备槽，蚀刻液储备槽连通调整槽和循环槽，电解槽、再生液收集槽、药剂添加槽依次连通，药剂添加槽连通所述蚀刻槽。本实用新型能够全天候的为企业的蚀刻工序提供蚀刻液，使反应槽内的铜离子浓度控制在正常工艺范围中，确保蚀刻品质。
电路板电镀微蚀液铜回收系统

[发明专利]一种兼容性铝蚀刻液及制备方法-CN202310673634.2在审
发明人：林秋玉;王维 -专利权人：福建中融科技有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻液技术领域，且公开了一种兼容性铝蚀刻液，所述蚀刻液的原料按重量百分比计算，包括：硝酸2.7％～3.3％；磷酸63％～67％；醋酸16％～18％；添加剂1.6％～10％；金属盐0.3％～0.5该一种兼容性铝蚀刻液及制备方法，使得蚀刻液适用于不同厚度的液晶显示屏含铝膜层，且反应温和稳定，蚀刻精度高，更优先的，并添加金属盐以实现对不同厚度液晶显示屏含铝膜层稳定和均匀的蚀刻，针对不同厚度的膜层，只需调整蚀刻时间即可达到蚀刻的目的，无需更换蚀刻液成分以及调整蚀刻液成分含量。
一种兼容性蚀刻制备方法

[发明专利]一种使用可控流体场的玻璃蚀刻设备-CN201310022627.2有效
发明人：朱迈;罗清泉;谢庆强;陈秀玉 -专利权人：汕头市拓捷科技有限公司
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种使用可控流体场的玻璃蚀刻设备，包括蚀刻液供给设备、蚀刻液回收设备以及蚀刻反应槽，蚀刻液供给设备通过输送管连接到蚀刻反应槽，蚀刻液供给设备设有至少两组，分别输出不同反应液，在蚀刻反应槽的前侧面及后侧面及底面共三个面上分别设置有多组的液体进出口，每组的液体进出口分别与反应液输出管道的输送管连接，每组输送管上连接一流量控制器，反应液在蚀刻反应槽与各个流量控制器与连接管路之间形成可控流体场，所述的流量控制器与蚀刻液回收设备之间还设有一回收管。本发明的使用可控流体场的玻璃蚀刻设备，采用在三个方向都设置进出液的管道，并使用多组不同的反应液的结构,保证蚀刻反应的均匀。
一种使用可控流体玻璃蚀刻设备

[实用新型]一种使用可控流体场的玻璃蚀刻设备-CN201320032307.0有效
发明人：朱迈;罗清泉;谢庆强;陈秀玉 -专利权人：汕头市拓捷科技有限公司
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种使用可控流体场的玻璃蚀刻设备，包括蚀刻液供给设备、蚀刻液回收设备以及蚀刻反应槽，蚀刻液供给设备通过输送管连接到蚀刻反应槽，蚀刻液供给设备设有至少两组，分别输出不同反应液，在蚀刻反应槽的前侧面及后侧面及底面共三个面上分别设置有多组的液体进出口，每组的液体进出口分别与反应液输出管道的输送管连接，每组输送管上连接一流量控制器，反应液在蚀刻反应槽与各个流量控制器与连接管路之间形成可控流体场，所述的流量控制器与蚀刻液回收设备之间还设有一回收管。本实用新型的使用可控流体场的玻璃蚀刻设备，采用在三个方向都设置进出液的管道，并使用多组不同的反应液的结构，保证蚀刻反应的均匀。
一种使用可控流体玻璃蚀刻设备

[发明专利]一种铜制程面板中调节蚀刻锥角的蚀刻液及调节方法-CN202010458724.6有效
发明人：张演哲;郝晓斌;贺兆波;钟昌东;张庭;蔡步林;万杨阳;王书萍;冯凯;尹印;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜制程面板中调节蚀刻锥角的蚀刻液及调节方法。利用氧化剂、有机酸及衍生物、络合剂组成铜制程面板的蚀刻液，能够对铜及其合金进行蚀刻。通过向配方中加入适量的强电离无机酸调节剂调控蚀刻液的pH，使其维持在3.5‑4.5之间来改变对铜的活化性能，从而调控侧向蚀刻速率使蚀刻锥角发生变化。本发明还通过调控蚀刻液喷淋的流量，改变纵向蚀刻中铜离子浓度，从而与pH值综合优化侧向和纵向的蚀刻速率来调节蚀刻锥角。本发明通过调节剂在较小的pH变动范围中调控蚀刻液，可以保证刻蚀液稳定性的同时，减轻pH对管道的腐蚀压力，配合蚀刻液喷淋流量，根据工艺制程需要，可使蚀刻锥角在15°‑100°范围内调整，达到对蚀刻锥角大范围调控的目的
一种铜制面板调节蚀刻方法

[实用新型]一种湿法蚀刻装置-CN201821724016.7有效
发明人：张剑鸣 -专利权人：苏州慧桥自动化设备有限公司
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种湿法蚀刻装置，包括蚀刻槽和固定安装在蚀刻槽上端的夹持机械臂，所述蚀刻槽内壁的中部固定设有液位挡环，所述挡环下端的蚀刻槽内活动设有活塞，所述活塞两侧的蚀刻槽上均连通有连接管，所述连接管的进液端固定连通腐蚀液箱，且腐蚀液箱内设有加压泵，且连接管的出液端连通设有阀门，所述蚀刻槽的底端通过软管连通有气泵。本实用新型在对蚀刻材料湿法蚀刻时，通过传统的夹持机械臂将蚀刻材料固定在蚀刻槽内，然后通过一侧的加压泵将其中一种腐蚀液注入到蚀刻槽内，然后关闭该侧连接管上的阀门，通过气泵向蚀刻槽底端注入空气，从而将活塞向上抬升，将腐蚀液提升到蚀刻材料处，对其进行湿法蚀刻。
蚀刻槽腐蚀液连接管活塞蚀刻材料湿法蚀刻装置本实用新型夹持机械臂湿法蚀刻加压泵挡环底端阀门气泵连通固定连通软管连通出液端传统的进液端上端内壁抬升液位

[发明专利]一种TMAH蚀刻液的制备蚀刻方法-CN202010621821.2在审
发明人：乔正收;王金城 -专利权人：镇江润晶高纯化工科技股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种TMAH蚀刻液的制备蚀刻方法。所述的蚀刻液为组合物,包括四甲基氢氧化铵、醇类和水。所述的蚀刻对象为单晶硅。所述的蚀刻方法首先将单晶硅片上待蚀刻图形表面的氧化硅腐蚀干净,之后将单晶硅片浸入加热后的TMAH硅蚀刻液中完成蚀刻。通过本发明的TMAH蚀刻液及蚀刻方法获得硅片无表面金字塔、橘皮效应等缺陷。本发明的TMAH单晶硅蚀刻液应用在MEMS微加工工艺中，蚀刻后硅片无表面金字塔、橘皮效应，满足了半导体客户的需求。本发明的蚀刻液改变了对单晶硅的传统湿法蚀刻特性,具有操作简单、可精确控制蚀刻深度、重复性强、低毒性低污染、易于实现批量化的优点。
一种 tmah 蚀刻制备方法

[发明专利]蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法-CN202210128160.9在审
发明人：李恩庆;康明伦 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本申请提供一种蚀刻液组合物和显示面板及其制备方法，蚀刻液组合物包括过氧化氢、螯合剂、辅助螯合剂、腐蚀抑制剂、蚀刻剂、pH调节剂以及水，辅助螯合剂为羧基酸。在本申请中，通过将羧基酸加入蚀刻液组合物中，形成不含氟的蚀刻液组合物，避免蚀刻液组合物对膜层造成损伤，同时，提高蚀刻液组合物的稳定性。
蚀刻组合显示面板及其制备方法

[发明专利]用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法-CN201811003455.3在审
发明人：赵芬利 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻液，包括：所述蚀刻液的主要成分包括占蚀刻液总质量百分比为10～15％的过氧化氢、占蚀刻液总质量百分比为3～7％的调节剂、占蚀刻液总质量百分比为1～5％的螯合剂、占蚀刻液总质量百分比为5～15％的缓冲溶液、占蚀刻液总质量百分比为0.5～2％的抑制剂，余量为去离子水；本发明还提供一种用于铜钼金属膜层的蚀刻方法。有益效果：本发明所提供的用于铜钼金属膜层的蚀刻液及蚀刻方法，将含有过氧化氢的蚀刻液在蚀刻前进行紫外灯照射，增强了对铜钼金属膜层的氧化能力，进一步加快了蚀刻反应速率，更进一步提升了蚀刻品质。
蚀刻液蚀刻质量百分比金属膜层铜钼过氧化氢的紫外灯照射过氧化氢缓冲溶液去离子水氧化能力调节剂抑制剂螯合剂

[发明专利]一种FMM金属薄板的竖直式蚀刻装置及其蚀刻方法-CN201910142687.5在审
发明人：简旭宏;黄俊铭;陈彦志 -专利权人：合肥永淇智材科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种FMM金属薄板的竖直式蚀刻装置及其蚀刻方法，蚀刻装置包括装有蚀刻液的蚀刻容器、以及用以传送FMM金属薄板的传送机构；所述蚀刻容器上开设有进料槽与出料槽。本发明将整个FMM金属薄板的蚀刻装置呈竖直式排布，便于蚀刻液的注入与排出，同时，在呈竖直方向布置的FMM金属薄板的两侧设置喷液机构，可减少蚀刻液在FMM金属薄板两面的滞留，进而改善蚀刻液滞留造成的蚀刻不均匀等现象，有利于改善FMM金属薄板两面蚀刻的均匀性。
金属薄板蚀刻蚀刻装置蚀刻液竖直式蚀刻容器滞留传送机构两侧设置喷液机构不均匀出料槽进料槽均匀性排布排出竖直传送

[发明专利]薄膜蚀刻液、蚀刻方法及其应用-CN202111587645.6在审
发明人：曾光 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本申请的一些实施例公开了一种薄膜蚀刻液、蚀刻方法及其应用，其能够先后对两层薄膜结构进行蚀刻，从而采用一步法蚀刻成液晶显示器的栅极结构，而无需在第一道蚀刻完毕后再更换另一种不同的蚀刻液，也无需更换蚀刻液时的清洁步骤，这大大增加了蚀刻的效率，降低了蚀刻液的浪费。本申请的一些实施例中的薄膜蚀刻液并不含有双氧水成分，能够实现稳定蚀刻，有利于形成良好的蚀刻界面的形貌以及形成所需的蚀刻坡度角。
薄膜蚀刻方法及其应用

[发明专利]一种印制电路板加工装置及加工方法-CN202210612188.X有效
发明人：杨继兵;李悬 -专利权人：深圳市新锐霖电子有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H05K3/06 文献下载
摘要：本发明公开一种印制电路板加工装置及加工方法，一种印制电路板加工装置，包括蚀刻箱，所述蚀刻箱的内部开设有蚀刻槽，所述蚀刻槽的边缘通过悬挂板挂设有倾斜导板和输送机构，且所述倾斜导板和输送机构位于蚀刻槽的两端，所述倾斜导板和输送机构之间固定连接有对电路板进行蚀刻的蚀刻机构，所述蚀刻机构的上端面固定连接有蚀刻挡板，所述蚀刻机构的前端面固定安装有驱动装置，所述蚀刻槽的内部承载有蚀刻液，所述蚀刻机构侧端面一侧固定连接有为蚀刻液进行预热的加热机构，且所述加热机构位于蚀刻液液面的下方，所述驱动装置高度高于蚀刻液的液面，该装置有效提高了印制电路板加工时的蚀刻效率。
一种印制电路板加工装置方法

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