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[发明专利]芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法-CN201510229164.6在审
发明人：植木笃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：本发明提供芯片间隔维持装置以及芯片间隔维持方法，能够在短时间内准确地去除扩张的扩张膜的松弛。芯片间隔维持装置是通过扩张状态维持隔着扩张膜(S)而支撑于环状框架(F)上的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的装置，其构成为具有：吸附保持被加工物的工作台(11)；在工作台的周围保持环状框架的框架保持单元(12)；使保持工作台与框架保持单元在铅直方向上相对移动并扩张扩张膜，在被加工物的多个芯片间形成间隔的扩张单元(37)；向由于解除膨胀带的扩张而产生于被加工物的周围的隆起部(R)照射热的加热单元(41)
芯片间隔维持装置以及方法

[发明专利]芯片间隔维持方法-CN201510170826.7在审
发明人：植木笃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供一种芯片间隔维持方法，在短时间内可靠地去除扩张后的粘接带的松弛。芯片间隔维持方法是以拉伸粘接带而使其扩张的状态维持借助粘接带(T)被支承于环状框架(F)的被加工物(W)的多个芯片(C)的间隔的方法，构成为：使保持于保持台(11)的被加工物与保持于框架保持单元(12)的环状框架沿铅直方向相对移动，来拉伸粘接带，在被加工物的多个芯片间形成间隔，在保持台上吸引保持粘接带以维持多个芯片的间隔，并使保持台与框架保持单元阶段性地返回到初始状态而解除粘接带的张力，并且利用加热单元
芯片间隔维持方法

[发明专利]芯片间隔维持装置-CN201510363748.2有效
发明人：服部笃;植木笃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供芯片间隔维持装置，其能够抑制使芯片间隔维持在扩大状态时的芯片的污染。芯片间隔维持装置(2)使多个芯片(27)的间隔维持在扩张的状态，多个芯片(27)是将贴附在扩展片材(23)上的被加工物(11)分割而形成的多个芯片，芯片间隔维持装置(2)构成为具备：远红外线照射构件(42
芯片间隔维持装置

[发明专利]芯片间隔维持方法-CN201710769571.5有效
发明人：原田成规;赵金艳 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供芯片间隔维持方法，即使是在被加工物上粘贴有不因加热而收缩的扩展片的情况下，也维持芯片的间隔被扩展的状态并防止产生因片材松弛而导致的芯片彼此的接触。该芯片间隔维持方法具有如下步骤：芯片间隔形成步骤，对片材(T2)进行扩展而在芯片之间形成间隔；以及片材收缩步骤，在实施了芯片间隔形成步骤之后，在维持着芯片之间的间隔的状态下对框架(F)与被加工物(W)之间的片材进行加热而在被加工物外周侧使拉伸了的片材收缩，该芯片间隔维持方法还具有在实施片材收缩步骤之前将多个热缩带(T3)粘贴在框架与被加工物之间的片材上的步骤，在片材收缩步骤中，对框架与被加工物之间的片材和带一同进行加热而使粘贴有带的区域的片材收缩。
芯片间隔维持方法

[发明专利]芯片间隔形成方法-CN202210393374.9在审
发明人：服部笃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供芯片间隔形成方法，在芯片之间良好地形成规定的间隔。在芯片间隔形成步骤中，从设置于扩展片的下方的保持台的保持面喷出空气，从而降低扩展片与保持面之间的摩擦。因此，能够容易地对扩展片进行扩展，因此能够在芯片之间良好地形成规定的间隔。
芯片间隔形成方法

[发明专利]芯片封装结构-CN202010076846.9在审
发明人：苏志彦;林俊德 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构，包括电路板、第一芯片、间隔件以及第二芯片。第一芯片设置于电路板上，间隔件设置于电路板上，其中间隔件包括间隔部以及至少一穿孔结构，且穿孔结构贯穿间隔部。第二芯片设置于第一芯片与间隔件上，且第二芯片通过间隔件电连接到电路板。
芯片封装结构

[发明专利]三维半导体封装,以及用于其中的间隔芯片-CN200510007015.1无效
发明人：福造幸雄 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：在三维半导体封装中，逻辑电路芯片(36；60；90；118；144；172；178B)具有在其上表面上形成的多个上电极引脚，并且间隔芯片(44；70；98；126；152；180A；180B)贴装逻辑电路芯片上间隔芯片具有形成在其下表面上的多个下电极引脚，和形成在其上表面上并且电气连接到其各下电极引脚的多个上电极引脚。进行在逻辑电路芯片上贴装间隔芯片，从而使间隔芯片的下电极引脚结合到逻辑电路芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。存储芯片(42；68；96；124；150A；178A；178C)贴装在间隔芯片上，并且具有形成在其表面上的多个电极引脚。进行在间隔芯片上贴装存储芯片，从而使存储芯片的电极引脚结合到间隔芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。
三维半导体封装以及用于中的间隔芯片

[发明专利]芯片封装结构及方法-CN200910106126.6无效
发明人：傅敬尧 -专利权人：国碁电子(中山)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2009-03-12 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：一种芯片封装结构，包括基板、间隔垫层、芯片及多个焊线。基板上设有多个金手指，间隔垫层与基板一体成型。芯片通过黏着剂固定于间隔垫层上，所述芯片包括多个焊垫。所述间隔垫层的长度和宽度小于所述芯片的长度和宽度。所述焊线电性连接所述金手指和所述焊垫。因为间隔垫层的长度和宽度小于芯片的长度和宽度，从而在黏晶过程中，银胶不会污染基板的金手指和芯片。本发明还提供一种芯片封装方法。
芯片封装结构方法

[发明专利]一种半导体器件-CN200710186578.0无效
发明人：福造幸雄 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-01-31 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：在该三维半导体封装中，逻辑电路芯片(36；60；90；118；144；172；178B)具有在其上表面上形成的多个上电极引脚，并且间隔芯片(44；70；98；126；152；180A；180B)贴装逻辑电路芯片上间隔芯片具有形成在其下表面上的多个下电极引脚，和形成在其上表面上并且电气连接到其各下电极引脚的多个上电极引脚。进行在逻辑电路芯片上贴装间隔芯片，从而使间隔芯片的下电极引脚结合到逻辑电路芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。存储芯片(42；68；96；124；150A；178A；178C)贴装在间隔芯片上，并且具有形成在其表面上的多个电极引脚。进行在间隔芯片上贴装存储芯片，从而使存储芯片的电极引脚结合到间隔芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。
一种半导体器件

[发明专利]半导体封装结构及其模组-CN201210058206.0有效
发明人：王文龙;喻琼;俞国庆;沈戌霖;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种封装结构，包括一侧形成有光学电子器件的芯片，以及覆盖所述芯片的基板；所述芯片与基板之间设有主间隔件，其特征在于，所述芯片与基板之间还设有位于所述光学电子器件与主间隔件之间的至少一层次间隔件与现有技术相比，本发明通过在所述光学电子器件和主间隔件之间设置次间隔件，以防止因芯片尺寸过大造成芯片受力开裂问题，并且避免了因间隔件过于加宽而造成的涂胶不均问题，从而提升芯片封装质量。
半导体封装结构及其模组

[实用新型]半导体封装结构及其模组-CN201220082945.9有效
发明人：王文龙;喻琼;俞国庆;沈戌霖;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/16 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种封装结构，包括：一侧形成有光学电子器件的芯片，以及覆盖所述芯片的基板；所述芯片与基板之间设有主间隔件，其特征在于，所述芯片与基板之间还设有位于所述光学电子器件与主间隔件之间的至少一层次间隔件与现有技术相比，本实用新型通过在所述光学电子器件和主间隔件之间设置次间隔件，以防止因芯片尺寸过大造成芯片受力开裂问题，并且避免了因间隔件过于加宽而造成的涂胶不均问题，从而提升芯片封装质量。
半导体封装结构及其模组

[发明专利]半导体装置-CN201910147699.7在审
发明人：内田祐树;渡部武志;早川健;天野彩那;菅生悠树;池部礼淑 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：根据实施例的半导体装置包括衬底和提供在所述衬底上方的第一半导体芯片。第二半导体芯片提供在所述第一半导体芯片上方。相对于与所述衬底的安装表面正交的方向，间隔物芯片提供在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间，所述间隔物芯片由第一树脂材料制成。第一粘合剂材料提供在所述间隔物芯片与所述衬底或所述第一半导体芯片之间。第二粘合剂材料提供在所述间隔物芯片与所述第二半导体芯片之间。第二树脂材料覆盖所述第一和第二半导体芯片以及所述间隔物芯片。
半导体芯片间隔物衬底芯片粘合剂材料树脂材料半导体装置安装表面正交的覆盖

[发明专利]一种SSD堆叠封装结构及其制备方法-CN201910926954.8在审
发明人：王蕊;熊涛;马晓建 -专利权人：华天科技(西安)有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种SSD堆叠封装结构及其制备方法，其特征在于，包括：基板；控制芯片，所述控制芯片贴装在所述基板上，且控制芯片与基板电性连接；间隔件，所述间隔件下表面具有容置空间，间隔件贴装在所述基板上，且控制芯片置于所述容置空间内；存储芯片，所述存储芯片贴装在间隔件上表面；存储芯片通过键合线与基板电性连接；及塑封体，所述塑封体包覆基板、间隔件、存储芯片和键合线。该封装结构通过U型的Spacer保护控制芯片，防止裂片，小体积便于实现并提高了封装质量。
控制芯片间隔件存储芯片基板贴装基板电性容置空间键合线塑封体堆叠封装结构封装结构上表面下表面包覆裂片封装制备

[实用新型]一种基于AMR传感器阵列的小电流测量装置-CN202022482534.6有效
发明人：李伟;刘育东;赖明聪 -专利权人：中光华研电子科技有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： G01R15/20 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种基于AMR传感器阵列的小电流测量装置，包括左右间隔设置的第一双轴AMR芯片和第一单轴AMR芯片，所述第一双轴AMR芯片上方的左侧从上到下依次间隔设置有第二单轴AMR芯片和第二双轴AMR芯片，所述第一双轴AMR芯片的左侧间隔设置有第三双轴AMR芯片，所述第三双轴AMR芯片的左侧间隔有第三单轴AMR芯片，所述第二双轴AMR芯片的正下方间隔设置有第四双轴AMR芯片，所述第四双轴AMR芯片的正下方间隔设置有第四单轴AMR芯片，借此，本实用新型具有能避免传感器的输出受到环境中存在其他电气设备和导线产生的干扰磁场、地磁场影响以及传感器安装位置偏移的问题的优点。
一种基于 amr 传感器阵列电流测量装置

[实用新型]具有非阵列凸块的倒装芯片封装结构-CN200820127602.3无效
发明人：钟启源 -专利权人：力成科技股份有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有非阵列凸块的倒装芯片封装结构，主要包含形成有接合垫的基板、设置于基板上的芯片、间隔粘着件以及密封芯片的封胶体。在实施例中，间隔粘着件包含间隔球与粘着胶。芯片的凸块为非阵列设置并接合至接合垫。间隔粘着件介设于基板与芯片之间，并支撑芯片的主动面的周边。因此，芯片能平行于基板，以避免在倒装焊接与封胶的过程中芯片倾斜的问题，以提高倒装芯片封装结构的质量。
具有阵列倒装芯片封装结构

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