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[发明专利]图形化掩膜层及其形成方法、存储器及其形成方法-CN201910496522.8在审
发明人：周震 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形化掩膜层及其形成方法，一种存储器及其形成方法，所述图形化掩膜层的形成方法包括：形成掩膜材料层；对所述掩膜材料层进行图形化，形成具有若干阵列分布的子掩膜图形的子掩膜层；去除位于所述子掩膜层边缘区域内的子掩膜图形；在剩余的各个所述子掩膜图形侧壁表面形成侧墙，以形成所述图形化掩膜层。上述方法降低了图形化掩膜层的形成难度。
图形化掩膜层及其形成方法存储器

[发明专利]一种纳米级图形化衬底的制造方法-CN201210533172.6有效
发明人：毕少强 -专利权人：映瑞光电科技（上海）有限公司
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种纳米级图形化衬底的制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成掩膜层；在掩膜层上旋涂或喷洒金属纳米颗粒，掩膜层的比热容大于金属纳米颗粒的比热容，金属纳米颗粒的熔点大于掩膜层的熔点；利用激光照射金属纳米颗粒，使金属纳米颗粒的温度达到所述掩膜层的熔点，以形成图形化的掩膜层；去除金属纳米颗粒；以所述图形化的掩膜层作为掩膜刻蚀所述衬底；去除所述图形化的掩膜层，形成纳米级图形化衬底。该方法利用激光对掩膜层上的金属纳米颗粒进行升温，使金属纳米颗粒的温度达到掩膜层的熔点，从而熔化与金属纳米颗粒接触的掩膜层，达到图形化掩膜层的目的，进而利用掩膜层图形化衬底。
一种纳米图形衬底制造方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710448941.5在审
发明人：常荣耀;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2018-12-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图案化的硬掩膜层，所述图案化的硬掩膜层具有若干间隔设置的硬掩膜图案；形成覆盖半导体衬底和图案化的硬掩膜层的覆盖层；形成图案化的掩膜层，所述掩膜层覆盖相邻所述硬掩膜图案之间的覆盖层；以图案化的掩膜层为掩膜执行刻蚀，以去除预定深度的半导体衬底；去除图案化的掩膜层和覆盖层；以图案化的硬掩膜层为掩膜刻蚀半导体衬底，以形成凹字形的双鳍片结构；去除图案化的硬掩膜层。
图案化硬掩膜层衬底掩膜层半导体器件半导体覆盖层去除硬掩膜图案掩膜多沟道场效应晶体管制造刻蚀半导体间隔设置鳍片结构凹字形覆盖刻蚀鳍片

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210927471.1在审
发明人：刘选军;谢岩 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，通过形成图形化的第一掩膜层于基底上，图形化的第一掩膜层中形成有暴露基底表面的第一开口；填充第二掩膜层于第一开口中；形成图形化的第三掩膜层于图形化的第一掩膜层和第二掩膜层上，图形化的第三掩膜层中形成有同时暴露出部分图形化的第一掩膜层和部分第二掩膜层的第二开口；刻蚀去除第二开口暴露出的图形化的第一掩膜层或第二掩膜层，以形成暴露基底表面的第三开口；填充第四掩膜层于第三开口中；去除图形化的第一掩膜层和第二掩膜层；以第四掩膜层为掩膜图形化基底形成目标图形。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用以形成柱掩膜元件的多重图案化制程-CN201710770107.8有效
发明人： S·帕尔;G·洛布;A·克兰西 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及用以形成柱掩膜元件的多重图案化制程，其中，一种方法包括在处理层上方形成硬掩膜层堆叠。该堆叠包括第一、第二及第三硬掩膜层。图案化该第三硬掩膜层，以在其中定义第一掩膜元件并暴露该第二硬掩膜层的部分。图案化该第二硬掩膜层，以在其中定义位于该第一掩膜元件下方的第二掩膜元件，以及第三掩膜元件，且暴露该第一硬掩膜层的部分。图案化该第一硬掩膜层，以在其中定义位于该第二掩膜元件下方的第四掩膜元件、位于该第三掩膜元件下方的第五掩膜元件，以及第六掩膜元件，并暴露该处理层的部分。蚀刻该处理层，以移除未被该第一硬掩膜层覆盖的该处理层的部分。
用以形成柱掩膜元件多重图案化制程

[发明专利]无定形碳处理方法及采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法-CN201110296996.1有效
发明人：邓浩;张彬 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种作为硬掩膜的无定形碳的处理方法，包括：提供硬掩膜层，材质为无定形碳；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入。本发明还一种采用无定形碳作为硬掩膜的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，其上形成有对准标记及衬底图案，且最上层为待刻蚀层；在待刻蚀层上淀积硬掩膜层，硬掩膜层材质为无定形碳；通过无定形碳探测对准标记，使得掩膜版上的图案和衬底图案对准；图案化硬掩膜层；对图案化硬掩膜层进行硼离子注入，形成新的图案化硬掩膜层；以新的图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀待刻蚀层。采用本发明的技术方案，可以克服现有的采用无定形碳作为硬掩膜进行刻蚀时，掺硼剂量范围有限及去除该硬掩膜层时工艺要求较高的问题。
无定形碳处理方法采用作为硬掩膜刻蚀

[发明专利]掩膜层的刻蚀方法、刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法-CN201110391678.3有效
发明人：凯文皮尔斯 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种掩膜层的刻蚀方法，该掩膜层至少包括中间掩膜层与有机物掩膜层；该掩膜层采用等离子体干法刻蚀，刻蚀过程中施加等离子射频激励电压以产生等离子体；所述掩膜层的刻蚀包括步骤：首先以图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀下方的中间掩膜层，形成图形化的中间掩膜层；接着施加脉冲式偏置射频电压并以图形化的中间掩膜层为掩膜刻蚀下方的有机物掩膜层，形成图形化的有机物掩膜层；其中等离子射频激励电压的频率高于所述脉冲式偏置射频电压的频率。本发明还提供了掩膜层的刻蚀装置及层间介质层的刻蚀方法。采用本发明提供的技术方案，实现条件简单且成本低。
掩膜层刻蚀方法装置介质

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911259681.2在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待图形化材料层以及覆盖待图形化材料层的掩膜材料层，待图形化材料层用于形成目标图形；在掩膜材料层上形成核心层；在核心层的侧壁形成掩膜侧墙；对部分掩膜侧墙进行刻蚀处理，以去除核心层的任一侧壁的部分掩膜侧墙，露出核心层的部分侧壁；对部分所述掩膜侧墙进行刻蚀处理后，以剩余的核心层和掩膜侧墙为掩膜图形化掩膜材料层，形成掩膜层；以掩膜层为掩膜，图形化待图形化材料层，形成目标图形本发明通过刻蚀的方式去除核心层的任一侧壁的部分掩膜侧墙，因此，掩膜侧墙和核心层的拐角处的形貌质量较好，这有利于提高目标图形的质量，从而提高半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]图案化方法和半导体结构的制造方法-CN202310670869.6在审
发明人：王晋;黄峰;郝玮倩;万星星;高晋文;郭佳惠 -专利权人：润芯感知科技（南昌）有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案化方法和半导体结构的制造方法，所述图案化方法包括：在衬底基板上形成第一掩膜材料层和第二掩膜材料层；移除第二掩膜材料层的一部分，以形成第二掩膜层；移除第一掩膜材料层的一部分，以形成第一掩膜层，并在第一掩膜层的侧边在第二掩膜层的屋檐部与衬底基板之间形成初始底切结构；对第二掩膜层进行坍塌处理，使得第二掩膜层的屋檐部朝向衬底基板坍塌，第一掩膜层和坍塌的第二掩膜层构成掩膜结构；在衬底基板的部分和掩膜结构上形成材料层；进行剥离工艺，移除掩膜结构以及材料层的位于掩膜结构上的部分，并形成具有目标图案的图案化的材料层。使用本公开的图案化方法可使得所形成的图案化的材料层具有精度较高的图案和尺寸。
图案方法半导体结构制造

[发明专利]图案化掩膜层的形成方法-CN202010252468.5在审
发明人：余桥;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本申请公开了一种图案化掩膜层的形成方法，包括：提供基底结构，在所述基底结构上依次形成掩膜材料层，填充层，抗反射层以及光掩膜层；图案化所述光掩膜层，并将所述光掩膜层的图案转移至所述抗反射层以及填充层，形成暴露所述掩膜材料层的开口；沿所述开口对暴露出的掩膜材料层进行离子注入，使离子注入区域的掩膜材料层形成掩膜层，并去除所述光掩膜层；采用干法非等离子体刻蚀工艺去除所述抗反射层；采用湿法刻蚀工艺去除所述填充层；去除所述掩膜材料层。所述方法避免在所述掩膜材料层以及掩膜层表面产生抗反射层以及填充层的残留，以形成无缺陷的图案化掩膜层。
图案化掩膜层形成方法

[发明专利]形成孔的方法-CN201210122591.0有效
发明人：王新鹏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-24 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种形成孔的方法，包括：提供基底，在所述基底上形成有介质层；在所述介质层上形成第一图形化的掩膜层和第二图形化的掩膜层，所述第一图形化的掩膜层和第二图形化的掩膜层共同形成的图形定义出孔的位置，其中，所述第一图形化的掩膜层沿列方向定义孔的位置，所述第二图形化的掩膜层沿行方向定义孔的位置；以所述第一图形化的掩膜层和第二图形化的掩膜层为掩膜，干法刻蚀所述介质层形成孔。
形成方法

[发明专利]掩膜结构及其形成方法-CN202310730122.5在审
发明人：陈坤;唐星 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G03F1/70 文献下载
摘要：本公开是关于半导体技术领域，涉及一种掩膜结构及其形成方法，该形成方法包括：形成依次层叠分布的待图案化膜层、第一掩膜层、遮光层以及第一光阻层；在第一光阻层内形成第一显影区；在第一显影区对遮光层进行蚀刻，以形成露出第一掩膜层的第一掩膜图案；对第一掩膜图案内暴露出的第一掩膜层进行蚀刻，以形成多个间隔分布的第二掩膜图案；以第二掩膜图案为掩膜对待图案化膜层进行蚀刻，以形成目标掩膜图案，第一掩膜层与待图案化膜层的蚀刻选择比大于遮光层与待图案化膜层的蚀刻选择比本公开的形成方法可提高掩膜图案的分辨率。
膜结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件的形成方法-CN202011117357.X在审
发明人：郑展;徐涛 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成图形化的第一硬掩膜层；其中，所述图形化的第一硬掩膜层具有第一开口；以所述图形化的第一硬掩膜层作为第一阻挡层，对所述衬底进行第一次离子注入；对所述第一开口进行填充，形成第一掩膜层；去除部分所述第一掩膜层以暴露出所述图形化的第一硬掩膜层；去除所述图形化的第一硬掩膜层，形成图形化的第一掩膜层；所述图形化的第一掩膜层具有第二开口；以所述图形化的第一掩膜层作为第二阻挡层，对所述衬底进行第二次离子注入；去除所述图形化的第一掩膜层。本发明通过一层或多层第一硬掩膜层实现自对准和高深宽比的高能离子注入。
一种半导体器件形成方法

[发明专利]图形化方法-CN201310383321.X有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种图形化方法，包括提供基底；在所述基底上由下至上依次形成待刻蚀层、柱体材料层和硬掩膜层；图形化所述硬掩膜层和柱体材料层，形成图形化的硬掩膜层和柱体；在所述图形化的硬掩膜层和柱体侧壁形成侧墙；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体；去除所述图形化的硬掩膜层和柱体后，以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成图形化的待刻蚀层。本技术方案提供的图形化方法可以得到尺寸精确的图形化的待刻蚀层。
图形方法

[发明专利]栅极制造方法-CN200910052545.6无效
发明人：齐龙茵;奚裴;石小兵;黄莉;杨昌辉;张振兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2009-06-04 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明揭露了一种栅极制造方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上依次形成栅氧化层、多晶硅层、硬掩膜层和图案化光阻层；以所述图案化光阻层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜层，形成图案化硬掩膜层，同时所述图案化光阻层被部分移除；以剩余的图案化光阻层和所述图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述多晶硅层和栅氧化层，同时所述剩余的图案化光阻层被完全移除，所述图案化硬掩膜层被部分移除；移除剩余的图案化硬掩膜层，形成栅极。
栅极制造方法

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