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[发明专利]适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机-CN201610351675.X有效
发明人：齐铂金;范霁康 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置及脉冲电子束焊机，其中，该偏压电源装置包括基值生成电路，其用于产生第一直流电压，其输出端正极形成偏压电源装置的电源正极；脉冲生成电路，其输出端正极与基值生成电路的输出端负极连接，输出端负极形成偏压电源装置的电源负极，用于产生脉冲电压，以使得第一直流电压与脉冲电压叠加形成所需要的偏置电压。该偏压电源装置的基值生成电路与脉冲生成电路彼此相互独立、互不干扰，这样有利于实现对脉冲偏压基值和峰值的精确调节。
适用于脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]一种适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201110272609.0无效
发明人：齐铂金;徐国宁 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于脉冲电子束焊接的偏压电源装置，该偏压电源装置包括偏压基值产生模块、偏压脉冲产生模块、电压闭环电路、PWM电路和驱动电路。偏压基值产生模块的输出正极串联到60kV～150kV高压电源的输出负极，偏压基值产生模块输出负极和偏压脉冲产生电路输出正极串联，偏压脉冲产生电路输出负极串联到电子枪的栅极，该装置与高压电源和阴极加热电源共同作用产生幅值、占空比和频率均可调节的脉冲束流。
一种适用于脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202111247505.4在审
发明人：大下辰郎;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。
等离子体处理装置方法

[发明专利]一种高频脉冲电子束偏压电源-CN202110619423.1有效
发明人：张伟;蒋布辉;郭慧峰;栗琪凯;孔令其;何石;马越 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H02M9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频脉冲电子束偏压电源，它包括：基值偏压电源、脉冲偏压电源、隔离通讯电路、隔离供电电源、高压斩波电路；本发明在偏压电源的高压端设置专门的高压斩波电路，能够有效避免高压隔离变压器等器件中的分布电感和电容影响，从而获得上升沿和下降沿快速变化的高频脉冲电子束束流；采用调制解调和高压隔离技术实现了低压端高频脉冲参数向高压端电路的安全可靠隔离串行通讯，并实现了高压端PWM控制波形的产生，使脉冲频率、占空比控制精度高且灵活方便；同时通过高压隔离技术确保了高压端电路供电，大大提高了脉冲偏压上升沿和下降沿的变化速率；本发明结构科学，工艺性好，具有广阔推广应用价值。
一种高频脉冲电子束偏压电源

[发明专利]一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201110141331.3有效
发明人：许海鹰;左从进;邱灵;郭光耀;王永锋 -专利权人：中国航空工业集团公司北京航空制造工程研究所
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： B23K15/02 文献下载
摘要：本发明是一种适用于超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置，它是由降压整流滤波电路、峰值偏压产生电路、基值偏压产生电路、峰值脉冲偏压切换电路、基值脉冲偏压切换电路组成，峰值偏压产生电路产生的峰值偏压Up在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5开通，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6关断时，峰值脉冲偏压Upp作用在电子枪的栅极，获得峰值脉冲束流Ipp，基值偏压产生电路产生的基值偏压Ub在峰值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q5关断，基值脉冲偏压切换电路的功率晶体管Q6开通时，基值脉冲偏压Ubp作用在电子枪的栅极，获得基值脉冲束流Ibp。本发明超音频脉冲电子束焊接的偏压电源装置可以实现脉冲偏压频率≥20kHz，相应的使脉冲束流的频率≥20kHz。
一种适用于音频脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]一种适用于高频脉冲电子束焊接的偏压电源装置-CN201210345485.9无效
发明人：齐铂金;徐国宇 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2012-09-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于高频脉冲电子束焊接的偏压电源装置，该装置包括基值偏压产生模块、高频脉冲偏压产生模块、脉冲宽度调制模块和驱动电路模块。其中，基值偏压产生模块和高频脉冲偏压产生模块采用两路独立电路串联构成，既能够实现高频脉冲束流焊接，又能够实现常规连续束流焊接，同时有利于高频脉冲偏压基值和高频脉冲偏压幅值调节和高频脉冲波形的精确控制；并且高频脉冲偏压产生模块通过控制前级低压电路的方式实现后级高压最终高频脉冲偏压输出，比在高压端调节生成高频脉冲方式更加方便、安全和可靠。
一种适用于高频脉冲电子束焊接偏压电源装置

[发明专利]多级磁场直管磁过滤与脉冲偏压复合的电弧离子镀方法-CN201310226754.4有效
发明人：魏永强;宗晓亚;蒋志强;文振华;陈良骥 -专利权人：魏永强
申请日： 2013-06-08 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：多级磁场直管磁过滤与脉冲偏压复合的电弧离子镀方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决弧源上施加磁过滤引起等离子体传输效率低和脉冲偏压不能彻底清除大颗粒的问题。本发明方法包括：一、将工件接脉冲偏压电源，电弧离子镀靶源接靶电源，在靶源前接多级磁场直管磁过滤装置；二、薄膜沉积：待真空室内气压小于10-2Pa时，通入工作气体至0.01～10Pa；开启脉冲偏压电源，调节脉冲偏压幅值、频率和占空比；开启靶电源，产生等离子体；开启多级磁场直管磁过滤装置，实现大颗粒的清除和等离子体在磁过滤装置中的高效传输；调节工艺参数，快速制备无大颗粒缺陷的薄膜；三、采用单级磁场结合直流/脉冲偏压，获得一定厚度的薄膜
多级磁场直管磁过滤脉冲偏压复合电弧离子镀方法

[发明专利]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201910441985.4在审
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本发明属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节等离子体镀膜单极性脉冲双极性脉冲偏压电源直流叠加复合式占空比电力电子技术领域脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压模式输出波形非对称电源输出

[发明专利]一种镀膜装置及清洗工艺-CN202210129087.7有效
发明人：田修波;郑礼清;李建伟;王进平 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-11 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：镀膜装置包括装置本体、工件转架、弧靶、挡板、辅助弧靶、脉冲偏压电源、脉冲弧电源、阳极电源及弧电源；工件转架转动设于装置本体中，弧靶及辅助弧靶分别设于装置本体内，且位于工件转架的同一侧，辅助弧靶位于弧靶的上方，挡板设于弧靶朝向工件转架的一侧，脉冲偏压电源与工件转架连接，脉冲弧电源连接弧靶，阳极电源与弧电源分别与辅助弧靶连接，脉冲偏压电源与脉冲弧电源脉冲同步。本申请镀膜装置辅助弧靶既可作为辅助阳极，还可作为正常的电弧靶沉积靶材使用，节省了镀膜装置内部零件的设置，降低了成本，提高了镀膜装置空间的利用率，脉冲同步可以在短时间对基底进行清洗。
一种镀膜装置清洗工艺

[实用新型]一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源-CN201920776684.2有效
发明人：李民久;陈庆川;蒲世豪;熊涛;姜亚南;贺岩斌;黄雨;邵斌 -专利权人：核工业西南物理研究院;成都同创材料表面科技有限公司
申请日： 2019-05-24 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： H02M9/06 文献下载
摘要：本实用新型属于自动控制技术和电力电子技术领域，具体涉及一种多用途复合式等离子体镀膜用偏压电源。该电源可以输出所需要的不同输出波形特性的直流负偏压、单极性脉冲负偏压、直流叠加单极性脉冲负偏压模式、非对称双极性脉冲偏压模式或直流叠加双极性脉冲偏压。并且，负偏压的脉冲电压幅度、频率和占空比可调节，直流叠加脉冲负偏压的直流电压幅度可调节，负偏压工作在高压低电流或低压大电流模式两种模式可设置，正脉冲电压幅度和占空比可调节。
负偏压可调节单极性脉冲双极性脉冲直流叠加占空比电力电子技术领域等离子体镀膜脉冲电压幅度直流电压幅度直流叠加脉冲自动控制技术本实用新型低压大电流正脉冲电压直流负偏压偏压电源偏压模式输出波形非对称复合式电源输出

[实用新型]一种高频电源活性屏离子渗氮装置-CN202220045556.2有效
发明人：高岩;文凯;张乘玮 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C8/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高频电源活性屏离子渗氮装置，包括反应室、主电源和偏压电源，主电源的阴极与活性屏相连，偏压电源设置有偏压电极，偏压电极的阴极与样品台相连，主电源与偏压电源均设置为高频脉冲电源，绝缘装置在样品台和阴极之间，起到隔绝两个回路的作用，活性屏离子渗氮时，主电源的阴极连接在活性屏上而非样品本身，因此可以避免传统离子渗氮过程中的空心阴极效应和边缘效应等不利因素。高频电源在渗氮过程中在通电和断电之间转换状态。当有电弧产生时，电源断电进而达到迅速灭弧的效果。
一种高频电源活性离子装置

[发明专利]一种多功能PVD镀膜机-CN201210096695.9无效
发明人：张笑;朱宏辉 -专利权人：上海仟纳真空镀膜科技有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种多功能PVD镀膜机，包括真空室、设置在真空室内的导电工件转架、等离子电弧蒸发源和电弧电源，还包括脉冲偏压电源、中频溅射源、中频电源、气体离子源、离子源电源，所述脉冲偏压电源和等离子电弧蒸发源、中频溅射源、气体离子源通过四组开关进行单独控制，脉冲偏压电源和等离子电弧蒸发源、中频溅射源、气体离子源都可以单独或协同工作。
一种多功能 pvd 镀膜

[发明专利]一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空沉积方法-CN201711490248.0在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压阶梯管复合的真空沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压阶梯管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗，设置制备工艺参数
电源偏压电源阶梯管内衬高功率脉冲磁场装置活动线圈真空沉积组合磁场大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空沉积方法-CN201711490408.1在审
发明人：魏永强;王好平;宗晓亚;蒋志强 -专利权人：魏永强
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空沉积方法，属于材料表面处理技术领域，本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括：偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置；薄膜沉积：连接装置，启动系统，待真空室内的真空度小于10^‑4Pa时，通入工作气体，开启镀膜电源，偏压电源对等离子体的能量进行调节，多级磁场装置和活动线圈装置消除大颗粒缺陷和引导复合等离子体的传输，减少在真空室中的损耗，设置制备工艺参数
电源偏压电源锥形管内衬高功率脉冲磁场装置活动线圈真空沉积组合磁场大颗粒材料表面处理技术等离子体电弧离子镀靶源磁控溅射靶源电弧等离子体复合等离子体制备工艺参数复合电弧离子镀薄膜沉积磁控溅射工作气体连接装置匹配装置启动系统使用限制磁过滤真空室放电靶材镀膜薄膜室内传输污染

[发明专利]采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置-CN202011517187.4在审
发明人：韩锋;姚继忠;龚华刚;潘佩;韩卫峰 -专利权人：上海汇珏网络通信设备股份有限公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用变压器隔离带负偏置任意占空比的电源驱动装置，包括设有初级绕组和次级绕组的变压器，初级绕组两端之间连接有变压器驱动电路，次级绕组的两端并联有正偏压电路、整流电路和负偏压电路，正偏压电路、整流电路和负偏压电路分别电连接至射极跟随电路，射极跟随电路的输出端连接至IGBT功率器件；由控制电路产生单向PWM或PFM控制脉冲，通过变压器驱动电路、正偏压电路、整流电路、负偏压电路等分立器件的配合，变为合适任意占空比、带负偏压、无延时和无占空比丢失的IGBT驱动脉冲，消除了目前使用的普通变压器驱动和光耦驱动的技术缺陷，使IGBT功率器件的驱动中，不需要额外的正、负驱动电源，无光电耦合器、无集成电路
采用变压器隔离带偏置任意电源驱动装置

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