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[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法-CN202111247505.4在审
发明人： 大下辰郎;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，其利用施加到偏压电极的电压脉冲来控制冲击基片的离子的能量。公开的等离子体处理装置包括腔室、基片支承器、等离子体生成部和偏压电源。基片支承器设置在腔室内，包含偏压电极。等离子体生成部构成为能够在腔室内从气体生成等离子体。偏压电源构成为与偏压电极电连接，能够生成施加到偏压电极的多个电压脉冲的序列。多个电压脉冲分别具有从基准电压电平转变为脉冲电压电平的前沿期间和从脉冲电压电平转变为基准电压电平的后沿期间，前沿期间的时间长度和后沿期间的时间长度中的至少一者比0秒长，且为0.5μ秒以下。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN202110735397.9在审
发明人：永关一也;茂山和基;松田俊也;古谷直一;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN202110659565.0在审
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]排气装置、处理装置以及排气方法-CN201811464877.0有效
发明人：永关一也;茂山和基;松田俊也;古谷直一;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-03 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种排气装置、处理装置以及排气方法。目的在于减少处理室的压力的偏差。提供一种排气装置，该排气装置具有：排气机构，其具有第1叶片构件和第2叶片构件，该第1叶片构件和该第2叶片构件在处理容器的排气空间中同轴地配置于比被处理体靠外周侧的位置，且至少一者能够旋转，该处理容器在真空气氛的处理空间中对被处理体实施处理；以及排气部，其与所述排气空间连通，在所述排气机构的下游侧进行所述处理容器内的排气。
排气装置处理装置以及排气方法

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201810939779.1有效
发明人：永海幸一;藤原一延;大下辰郎;道菅隆;丸山幸儿;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和电源控制方法-CN201910332392.4在审
发明人：永海幸一;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。本发明能够抑制在载置台与被处理体之间发生放电。等离子体处理装置包括：载置台，其载置作为等离子体处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；直流电源，其交替地产生施加到载置台的正直流电压和负直流电压；测量载置于载置台的被处理体的电压的测量部；计算部，其基于测量出的被处理体的电压，计算将负直流电压施加到载置台的期间的、载置台与被处理体之间的电位差；和电源控制部，其控制直流电源，以使得施加到载置台的负直流电压的值的电位差变化使计算出的电位差减少的变化量。
载置台被处理体等离子体处理装置负直流电压电位差等离子体处理测量施加控制直流电源电位差变化电源控制部正直流电压电源控制下部电极直流电源变化量计算部放电载置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201910332423.6在审
发明人：永海幸一;大下辰郎;永关一也;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。
直流电压下部电极施加等离子体处理等离子体处理装置蚀刻高频电源腔室主体速率降低直流电源负极性内壁离子照射

[发明专利]等离子体处理装置-CN201780026498.0在审
发明人：永关一也;大下辰郎;永海幸一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供使向腔室主体照射的离子的能量降低的等离子体处理装置。一个实施方式的等离子体处理装置包括腔室主体、载置台和高频电源部。腔室主体提供腔室。腔室主体与接地电位连接。载置台具有下部电极，设置在腔室内。高频电源部与下部电极电连接。高频电源部生成向下部电极供给的偏置用的输出波。高频电源部产生使基频的高频的电压波形的正电压成分减少的输出波。
高频电源部腔室主体等离子体处理装置下部电极输出波载置台电压波形接地电位能量降低电连接正电压基频偏置腔室离子照射室内

[发明专利]等离子体处理装置-CN201510225056.1有效
发明人：横田聪裕;檜森慎司;大下辰郎;草野周 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够有效地消除径向上的中心成为等离子体密度分布中的特异点那样的、不期望的不均匀性并能够以较大的控制范围对等离子体密度分布自如地进行控制的等离子体处理装置。该电容耦合型等离子体处理装置在上部电极之上包括主磁体单元和辅助磁体单元。主磁体单元具有主磁轭和多个主电磁线圈。在辅助磁体单元中，在主磁体单元的比最内周的主电磁线圈靠半径方向内侧的位置，将多个棒型电磁体在转圈方向上以恒定间隔配置在自中心轴线偏离规定距离的位置。使直流的激励电流以恒定的电流值在第1组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿正向流动，使直流的激励电流以相同的电流值在第2组的棒型电磁体的辅助电磁线圈中沿逆向流动。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质-CN200780049914.5无效
发明人：泽田郁夫;P·芬泽克;大下辰郎;松崎和爱;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。
等离子体处理装置方法以及存储介质

[发明专利]气化装置、成膜装置、成膜方法、计算机程序以及存储介质-CN200880000424.0无效
发明人：泽田郁夫;瀬川澄江;池田恭子;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种气化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料气化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率气化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为1000nm以下的气泡，使该液体材料雾化，形成液体材料的雾状物质，进一步，加热该液体材料的雾状物质使其气化。在液体材料中，预先使极其微小的气泡以高均一性进行分散，因此使该液体材料雾化时，能够得到极其微小而且均一的液体材料的雾状物质，容易进行热交换。使该液体材料的雾状物质气化时，可以提高气化效率，并抑制颗粒的产生。
气化装置方法计算机程序以及存储介质

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