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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202210780048.3在审
发明人：祁金伟;张耀辉;卢烁今 -专利权人：深圳市千屹芯科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管。该晶体管包括：外延层；漂移区，形成于外延层中，漂移区具有第一掺杂类型；多个超级结，形成于漂移区中并沿第一方向间隔设置，各超级结均沿第二方向和第三方向延伸，第一方向平行于第一表面，第二方向为漂移区的第一表面指向第二表面的方向
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202310131006.1在审
发明人：李伟聪;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括第一金属区、第二金属区和附加电容。本方案可以改善各源极金属之间的信号不同步现象。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN202111587888.X在审
发明人：侯信铭 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开一种绝缘栅双极型晶体管，其包含一P型III‑V族氮化物层，一N型III‑V族氮化物层接触P型III‑V族氮化物层的一侧，一高电子迁移率晶体管设置在N型III‑V族氮化物层上，高电子迁移率晶体管包含一第一III‑V族氮化物层和一第二III‑V族氮化物层，第一III‑V族氮化物层设置在N型III‑V族氮化物层上，第二III‑V族氮化物层设置在第一III‑V族氮化物层上，一源极埋入于第二III‑V族氮化物层和第一III‑V族氮化物层中，其中源极包含一N型III‑V族氮化物主体和一金属结，一漏极接触P型III‑V族氮化物层的另一侧以及一栅极设置在第二III‑V族氮化物层上。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201410127688.X有效
发明人：王春早;马海平;张斌 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括第一基区、第二基区、发射区、栅氧化层、缓冲区、第一集电极区、第二集电极区以及第三集电极区。其中，第二基区、发射区以及栅氧化层依次设置于第一基区的一侧，其中缓冲区、第一集电极区、第二集电极区以及第三集电极区依次设置于第一基区的另一侧。第三集电极区的最大厚度等于第二集电极区的最大厚度，且缓冲区、第一集电极区、第三集电极区三者掺杂浓度逐渐增加，形成双极型晶体管结构。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201310042628.3有效
发明人：朴在勋;张昌洙;宋寅赫;严基宙;徐东秀 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-02-01 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括第一导电类型的第一半导体区域；形成在所述第一半导体区域一个表面上的第二导电类型的第二半导体区域；在长度方向上连续形成在所述第二半导体区域的一个表面上的所述第一导电类型的第三半导体区域；形成在所述第三半导体区域之间、延伸到所述第二半导体区域内部、以及在长度方向上连续的多个沟槽；形成在所述第三半导体区域的一个表面上的所述第二导电类型的第四半导体区域，形成在所述沟槽内的绝缘层；埋入所述绝缘层内的栅电极
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210093721.2有效
发明人：苟鸿雁 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-03-31 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：根据本发明的绝缘栅双极型晶体管包括集电极、漂移区、缓冲区、发射极以及栅极；其中所述发射区与所述漂移区之间形成了第一个PN结，漂移区与所述集电区之间形成了第二个PN结，所述发射区与所述场效应晶体管的源区之间形成了第三个PN结；集电区包括第一掺杂区、第二掺杂区以及第三反型掺杂区；其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有第一掺杂类型，并且所述第一掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度，所述第三反型掺杂区具有第二掺杂类型；并且，所述漂移区和所述第三反型掺杂区布置在所述第二掺杂区的相对两侧，所述漂移区和所述第三反型掺杂区不接触；所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三反型掺杂区两两彼此邻接。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN200810110656.3有效
发明人：冈田喜久雄 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管。在NPT结构的IGBT中，即使提高沟槽密度，对导通电阻的改善也较少。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201810368483.9有效
发明人：冯宇翔;甘弟 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提出了绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N+发射极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；两个沟槽，每个沟槽开设在N+发射极、P阱区和漂移区内，且贯穿N+发射极和P阱区；沟槽氧化层，设置在两个沟槽中且覆盖每个沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个多晶硅栅极填充在沟槽氧化层远离漂移区的一侧，并且，每个多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201911065246.6有效
发明人：张龙;马杰;顾炎;张森;祝靖;龚金丽;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，包括设于所述漂移区上的阳极第一导电类型区，所述阳极第一导电类型区包括第一区和第二区，所述阳极第二导电类型区包括第三区和第四区，所述第一区的掺杂浓度小于所述第二区，所述第三区的掺杂浓度小于所述第四区
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN200910101804.X无效
发明人：屈志军;曾祥 -专利权人：无锡凤凰半导体科技有限公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明绝缘栅双极型晶体管，其包括在N-衬底表面进行低浓度的N-离子注入形成的衬底，形成在衬底表面的栅极氧化层，淀积在栅极氧化层上的多晶硅栅极，形成在栅极氧化层与N-衬底之间的p+阱区及位于p+阱区与栅极氧化层之间的N+阱区，位于N-衬底下方的背面注入区，位于注入区下方的集电极及位于栅极氧化层上方的发射极，在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区；其通过在栅极氧化层下方的N-型衬底上增加了一个浓P型阱区，实现了在不损失绝缘栅双极型晶体管通态压降的情况提高了其耐压值。
绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管-CN201210573752.8无效
发明人：陈天;杨晓鸾;季顺黄;武洪建 -专利权人：无锡凤凰半导体科技有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管，所述绝缘栅双极型晶体管集电极由外向内依次设有金属层、P+层、N+层，其特征在于：所述N+层朝向集电极的表面设有多个倒置平顶锥形凹槽，所述倒置平顶锥形凹槽内表面设P+层，通过由倒置平顶锥形阵列包围集电极短路点的集电极面积扩展效应，提高了其背发射效率，极大的抑制了现有设计中引入N+型集电极短路点所导致的通态压降的升高现象，避免了通态电阻的增加和焦耳热的增多。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220640.4有效
发明人：弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；半导体主体，包括：第一基区，具有第一导电类型，源区，具有不同于第一导电类型的第二导电类型，与发射极电接触，并与第一基区形成第一pn-结；至少一个沟槽，其中至少一个沟槽被填充有栅电极，至少一个沟槽具有：第一沟槽部，具有第一宽度；第二沟槽部，具有第二宽度；第二宽度不同于第一宽度；凹槽，形成在半导体主体的表面上且至少部分形成在源区处，发射极的一部分填充凹槽，使得发射极与源区和第一基区接触通过利用发射极的一部分来填充第一基区中形成的凹槽，根据本公开的绝缘栅双极型晶体管中的寄生晶闸管结构被破坏，从而有效地避免了闩锁效应的发生。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201820585100.9有效
发明人：冯宇翔;甘弟 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提出了绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括：漂移区；P阱区，设置在漂移区的一侧；N⁺发射极，设置在P阱区远离漂移区的一侧；两个沟槽，每个沟槽开设在N⁺发射极、P阱区和漂移区内，且贯穿N⁺发射极和P阱区；沟槽氧化层，设置在两个沟槽中且覆盖每个沟槽的表面；两个多晶硅栅极，每个多晶硅栅极填充在沟槽氧化层远离漂移区的一侧，并且，每个多晶硅栅极包括依次层叠设置的N型子栅极和P型子栅极。
漂移区绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅极发射极本实用新型沟槽氧化层子栅极减小漂移寄生电容依次层叠集电极开通填充贯穿覆盖

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220752.X有效
发明人：汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：实用新型提供了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：第一基区，具有第二导电类型；源区，具有不同于第二导电类型的第一导电类型并与第一基区形成第一pn结；漂移区，具有第一导电类型并与第一基区形成第二pn结；集电区，具有第二导电类型；至少一个沟槽，其中，至少一个沟槽由栅电极填充，至少一个沟槽具有第一沟槽部和第二沟槽部，第一沟槽部具有第一宽度，第二沟槽部具有第二宽度，第二宽度与第一宽度不同；以及场终止区，具有第一导电类型场终止区具有深能级掺杂区，可以保证在绝缘栅双极型晶体管断开期间功率损耗降低也能够获得良好的短路鲁棒性。
绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]绝缘栅双极型晶体管-CN201320220862.6有效
发明人：弗兰克·普菲尔什;汉斯-约阿希姆·舒尔茨;霍尔格·豪斯肯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2013-04-26 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：发射极；以及半导体主体，其中所述半导体主体包括：第一基区，具有第一导电类型；源区，具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，并与所述第一基区形成第一pn结；形成在所述第一基区中，具有至少一个位于所述源区之下并与所述源区接触的第一部分，所述防闩锁区具有所述第一导电类型，并且掺杂浓度大于所述第一基区的掺杂浓度；以及至少一个沟槽，其中，所述至少一个沟槽被填充有栅电极
绝缘栅双极型晶体管

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