专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]绝缘晶体-CN201920184049.5有效
  • 阳平 - 上海擎茂微电子科技有限公司
  • 2019-02-01 - 2020-05-22 - H01L29/739
  • 本实用新型提供了一种绝缘晶体,所述绝缘晶体的边缘为终端保护区,所述绝缘晶体的中间部分包括了元胞区、温度传感区;温度传感器正极和温度传感器负极位于温度传感区内。本实用新型所述绝缘晶体自带温度传感功能,结构更加简单紧凑、能够精准地监控和获取芯片工作时电流信息、以实现对模块内部芯片更好的保护,进一步提高模块的寿命和可靠性,同时还可以减小模块的体积。
  • 绝缘栅双极型晶体管
  • [实用新型]绝缘晶体-CN201320220726.7有效
  • 汉斯-约阿希姆·舒尔茨;弗兰克·普菲尔什;霍尔格·豪斯肯 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2013-04-26 - 2013-11-13 - H01L29/739
  • 本实用新型涉及一种绝缘晶体,该绝缘晶体具有集电极、发射和被配置在集电极与发射之间的半导体主体,其中,该半导体主体包括:第一基区,具有第一导电;源区,具有与第一导电不同的第二导电并且与第一基区形成第一pn结;以及至少一个沟槽,其填充有栅极并且具有第一宽度的第一沟槽部和第二宽度的第二沟槽部,第二宽度不同于第一宽度,其中,发射包括第一金属化层和接触部,该接触部与半导体主体接触。因此,能够改善绝缘晶体的热传导特性,即,改善散热特性,从而能够最小化其自发热效应的影响。
  • 绝缘栅双极型晶体管
  • [实用新型]一种单端输入迟滞比较电路-CN201520312354.X有效
  • 沈怿皓;于涛 - 上海中基国威电子有限公司
  • 2015-05-14 - 2015-07-29 - H03K5/22
  • 第一绝缘晶体的门接第五电阻至输入电压端,第一绝缘晶体、第二绝缘晶体的发射分别接第三绝缘晶体、第四绝缘晶体的发射,第三绝缘晶体、第五绝缘晶体的门、集电极均接第四绝缘晶体的门,第三绝缘晶体、第四绝缘晶体的集电极分别接第三电阻、第四电阻至第十三绝缘晶体、第十四绝缘晶体的集电极。
  • 一种输入迟滞比较电路
  • [发明专利]绝缘晶体模块击穿保护电路-CN201310537659.6有效
  • 叶彬城;陈文全 - 中航太克(厦门)电子技术股份有限公司
  • 2013-11-04 - 2017-01-04 - G05B19/048
  • 绝缘晶体模块击穿保护电路,涉及晶体保护电路。设有控制中心、绝缘晶体击穿检测电路、绝缘晶体绝缘晶体驱动模块;绝缘晶体击穿检测电路的输入端与IGBT的C及输入驱动端连接,绝缘晶体击穿检测电路与绝缘晶体驱动模块驱动输出电源连接,绝缘晶体击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接,控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘晶体驱动模块的输入端,绝缘晶体驱动模块与IGBT的E连接。IGBT一旦发生击穿,绝缘晶体击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心,经控制中心进行处理,避免带来连锁损坏。
  • 绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路
  • [实用新型]一种绝缘晶体模块击穿保护电路-CN201320688973.X有效
  • 叶彬城;陈文全 - 厦门普罗太克科技有限公司
  • 2013-11-04 - 2014-04-23 - G05B19/048
  • 一种绝缘晶体模块击穿保护电路,涉及晶体保护电路。设有控制中心、绝缘晶体击穿检测电路、绝缘晶体绝缘晶体驱动模块;绝缘晶体击穿检测电路的输入端与IGBT的C及输入驱动端连接,绝缘晶体击穿检测电路与绝缘晶体驱动模块驱动输出电源连接,绝缘晶体击穿检测电路的击穿信号输出端与控制中心连接,控制中心的控制PWM信号输出端接绝缘晶体驱动模块的输入端,绝缘晶体驱动模块接IGBT的E。IGBT一旦发生击穿,绝缘晶体击穿检测电路检测到后将击穿电信号送至控制中心,经控制中心进行处理,避免带来连锁损坏。
  • 一种绝缘栅双极型晶体管模块击穿保护电路
  • [实用新型]一种半导体电路及智能功率模块-CN202222641578.8有效
  • 冯宇翔;谢荣才;华庆;李强;盛爽;蒋华杏;高远航 - 广东汇芯半导体有限公司
  • 2022-10-08 - 2023-02-28 - H01L25/07
  • 本实用新型提供了一种半导体电路及智能功率模块,包括:驱动IC芯片、多个电容和多组功率模块,所述驱动IC芯片引脚分别与所述多个电容、所述多组功率模块电连接;所述多组功率模块包括RC绝缘晶体和与所述RC绝缘晶体并联的绝缘晶体,所述绝缘晶体的栅极与所述RC绝缘晶体的栅极连接,所述绝缘晶体的源与所述RC绝缘晶体的源连接,所述绝缘晶体的漏与所述RC绝缘晶体的漏连接,所述绝缘晶体的栅极、所述RC绝缘晶体的栅极分别连接至所述驱动IC芯片的引脚。
  • 一种半导体电路智能功率模块
  • [发明专利]一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法-CN201911085915.6有效
  • 陈立锋;张营;孙九瑞 - 济宁学院
  • 2019-11-08 - 2020-12-25 - H02M3/335
  • 本发明公开一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法,属于电路控制技术领域,包括变压器,原边驱动线路包括第一原边绝缘晶体、第二原边绝缘晶体、第三原边绝缘晶体和第四原边绝缘晶体,其中第一原边绝缘晶体和第二原边绝缘晶体相串联,第三原边绝缘晶体和第四原边绝缘晶体相串联,第一原边绝缘晶体和第二原边绝缘晶体的串联线路与第三原边绝缘晶体和第四原边绝缘晶体的串联线路相并联后连接有第一电容
  • 一种调频拓扑空载控制电路及其控制方法
  • [发明专利]一种绝缘晶体直流特性的仿真方法-CN201410061156.0有效
  • 孙伟锋;戴佼容;孙陈超;顾春德;叶伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 - 东南大学
  • 2014-02-24 - 2014-05-14 - G01R31/26
  • 本发明提出一种绝缘晶体直流特性仿真方法,包括以下步骤:获取不同温度下、不同宽长比绝缘晶体的直流特性测试数据;建立绝缘晶体的直流宏模型,在NMOS晶体与PNP晶体组合的基础上,加入一个压控漂移区电阻表示绝缘晶体的电导调制效应;获取绝缘晶体直流宏模型的初步模型文件;提取绝缘晶体25℃时的直流宏模型的模型参数;继续将85℃及125℃时的测试数据载入MBP,对绝缘晶体直流宏模型进行温度参数的提取;保存绝缘晶体直流宏模型的模型参数;在Cadence中仿真得到绝缘晶体的输出特性,完成对绝缘晶体仿真方法的建立。
  • 一种绝缘栅双极型晶体管直流特性仿真方法
  • [实用新型]一种全数字控制交流静止变流器-CN201320555047.5有效
  • 郭丕龙;张宇娇 - 三峡大学
  • 2013-09-09 - 2014-01-29 - H02M5/22
  • 一种全数字控制交流静止变流器,它包括电源,电源与第一向晶闸管串接入变压器一次侧,变压器二次侧回路中设有第一绝缘晶体、第二绝缘晶体、第三绝缘晶体、第四绝缘晶体,第一绝缘晶体的发射与第二绝缘晶体的发射连接,第二绝缘晶体的集电极与第三绝缘晶体集电极连接,第三绝缘晶体的发射与第四绝缘晶体的发射连接,电源的两端与第二向晶闸管及负载形成回路;晶闸管以及绝缘晶体与单片机的并行口连接
  • 一种数字控制交流静止变流器
  • [实用新型]抑制绝缘晶体关断尖峰的电路-CN201520264379.7有效
  • 吴志猛;廖荣辉;曹晓生;文熙凯 - 深圳市禾望电气股份有限公司
  • 2015-04-28 - 2015-09-02 - H02M1/32
  • 本实用新型提供了一种抑制绝缘晶体关断尖峰的电路,包括绝缘晶体和负反馈电路;所述驱动电路的输出端与所述绝缘晶体的栅极连接,用于驱动所述绝缘晶体导通或关断,所述负反馈电路的第一端与所述绝缘晶体的栅极连接,所述负反馈电路的第二端与所述绝缘晶体的辅助射连接,所述负反馈电路的第三端与所述绝缘晶体的功率射连接,用于检测所述辅助射与所述功率射之间的寄生电感的压降,在所述绝缘晶体关断时抑制所述绝缘晶体的集电极和功率射之间的关断尖峰
  • 抑制绝缘栅双极型晶体管尖峰电路
  • [实用新型]一种低温度系数低压CMOS带隙基准-CN201520311921.X有效
  • 沈怿皓;于涛 - 上海中基国威电子有限公司
  • 2015-05-14 - 2015-08-26 - G05F1/565
  • 第三绝缘晶体、第四绝缘晶体的集电极均接第二绝缘晶体的门,第四绝缘晶体的门接第六绝缘晶体的门,第一三极、第三三极的发射分别接第七绝缘晶体、第九绝缘晶体的集电极,第七绝缘晶体、第八绝缘晶体的集电极分别接运算放大器电路的负极端、正极端,运算放大器电路的输出端接第一绝缘晶体的门
  • 一种温度系数低压cmos基准
  • [发明专利]一种绝缘晶体驱动结构及逆变器-CN201710627792.9在审
  • 苏伟;孙迎禹;蒋荣勋;葛亮 - 北京新能源汽车股份有限公司
  • 2017-07-28 - 2017-12-01 - H02M1/08
  • 本发明提供一种绝缘晶体驱动结构及逆变器,其中,该绝缘晶体驱动结构包括绝缘晶体;设置于绝缘晶体的上方,且与绝缘晶体固定的驱动电路板;以及,多个包括有弹性元件的连接件,连接件设置于绝缘晶体与驱动电路板之间,且分别与绝缘晶体和驱动电路板电性连接;其中,弹性元件由导电材料制成,弹性元件的一端固定连接于绝缘晶体,另一端抵接于驱动电路板。这样,无需采用焊接就能够达到绝缘晶体与驱动电路板之间良好的电性连接,并且其安装工艺简单、方便,维修性好,性能可靠,能够降低成本。
  • 一种绝缘栅双极型晶体管驱动结构逆变器

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