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[实用新型]绝缘栅双极型晶体管的散热器及其晶体管散热器组件-CN201120055513.4有效
发明人：王琦;绳伟辉;冯涛 -专利权人：阿尔特（中国）汽车技术有限公司
申请日： 2011-03-04 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：本实用新型提供了绝缘栅双极型晶体管（10）的散热器（20）包括一个散热体（210）和一个导热连接垫圈（220）。其中，散热体设有可盛放冷却介质的盛放槽（212）。本实用新型还提供了使用该绝缘栅双极型晶体管的晶体管散热器组件。使用绝缘栅双极型晶体管散热器及其散热组件，降低整个散热器的加工精度，简化了整个散热器的组装工艺，进一步提高了散热器的散热能力。
绝缘栅双极型晶体管散热器及其组件

[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管元胞结构、制造方法及器件-CN202310670291.4有效
发明人：段湘艳;方敏 -专利权人：广东巨风半导体有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管元胞结构、制造方法及器件。逆导型绝缘栅双极型晶体管元胞结构包括：集成在衬底上的绝缘栅双极型晶体管部和与绝缘栅双极型晶体管连接的二极管部；其中，二极管部包括：第一正面金属区；设置在第一正面金属区底部的深P型陷阱区；设置在深P型陷阱区中并与第一正面金属区底部连接的多个第一沟槽结构；设置在多个第一沟槽结构之间的第一P+型发射区；依次叠层设置在深P型陷阱区下方的第一N型漂移区、第一N型缓冲区、N型集电区以及第一背面金属区。本发明通过在二极管部中引入沟槽结构，使得电场更加均匀地分布在整个区域，达到增加整体结构的耐压能力，延长器件整体寿命，提高器件可靠性的效果。
逆导型绝缘栅双极型晶体管结构制造方法器件

[发明专利]增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构-CN201110412662.6无效
发明人：张帅;李冰 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构；包括：源区、漏区、栅区，紧靠栅区边界形成沟道，在P型体区下方有硅衬底N--，在硅衬底N--上生长有N-外延层。本发明可以减轻绝缘栅双极型晶体管Planner IGBT元胞间寄生的结型场效应晶体JFET的夹断效应，从而增强器件的驱动电流。
增加驱动电流能力绝缘栅双极型晶体管结构

[实用新型]一种高效安全抗干扰的IGBT驱动电路-CN201921366332.6有效
发明人：雷宇恩 -专利权人：江门嘉权科技信息咨询有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：驱动芯片输出电路可完美匹配IGBT驱动芯片的输出端，将驱动信号发送至后级电路中，光电耦合电路可以提高IGBT驱动芯片输出电路的共模抑制比，由于其本身是光电隔离的且传输具有单向性，因此可以提高整体电路的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，另外，设计了电子稳压电路，可以使IGBT驱动芯片输出电路得电压更加稳定，减少波动，从而防止输入到绝缘栅双极型晶体管IGBT内的电压为过电压，不至于损坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。因此，本实用新型能够为绝缘栅双极型晶体管IGBT的驱动提供良好保护，提升IGBT驱动的抗电磁波干扰能力和电绝缘能力，避免烧坏绝缘栅双极型晶体管IGBT。
一种高效安全抗干扰 igbt 驱动电路

[实用新型]一种可调直流电压的变频空调功率电路-CN201820968877.3有效
发明人：王晓娟;景汝峰;艾永保;王令书;赵云龙;吕奕霖 -专利权人：儒竞艾默生环境优化技术（上海）有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H02M5/458 文献下载
摘要：本实用新型提供一种可调直流电压的变频空调功率电路，包括：单位功率因数软上电电路和逆变回路单元；单位功率因数软上电电路包括依次相连的：整流单元、滤波单元和升降压单元；升降压单元包括：串联的绝缘栅双极型晶体S1、第二电感L2、第六功率二极管D6；并联的绝缘栅双极型晶体S2、第三电容C3和第五功率二极管D5；所述逆变回路单元包括：输出逆变回路单元的U相的第一绝缘栅双极型晶体管组；输出逆变回路单元的V相的第二绝缘栅双极型晶体管组；输出逆变回路单元的W相的第三绝缘栅双极型晶体管组。
逆变回路绝缘栅双极型晶体管单位功率因数绝缘栅双极型可调直流电压本实用新型功率二极管变频空调功率电路上电电路升降压输出电感滤波单元依次相连整流单元直流电压电容并联导通关断可调串联升降供电

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路-CN201010568165.0无效
发明人：赵明宇 -专利权人：深圳市蓝韵实业有限公司
申请日： 2010-12-01 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H02H7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管过流保护自恢复电路，其利用迟滞比较器可以实现在过流下，关闭驱动，当电流减小到规定数值时，恢复驱动，实现自动保护功能。在过流时，本发明利用迟滞比较器，合理设置窗口空间可以使绝缘栅双极型晶体管过流保护后，电流下降到一定数值时，绝缘栅双极型晶体管驱动恢复正常，设备恢复正常工作，而且电路具备一定的抗干扰能力。
一种绝缘栅双极型晶体管保护恢复电路

[发明专利]逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备-CN201711034355.2有效
发明人：何昌 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法、电力电子设备，以改善逆导型绝缘栅双极型晶体管的负阻效应，提高器件的可靠性。逆导型绝缘栅双极型晶体管包括集电极金属、位于集电极金属前侧且交替排列的第一P型集电区和N型集电区，以及对应设置在每个N型集电区前侧的第二P型集电区，第二P型集电区与N型集电区相对设置，集电极金属通过贯穿N型集电区的接触孔槽与第二P型集电区连接。
逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制作方法电力电子设备

[实用新型]一种新型驱动方案的保护电路-CN202120189832.8有效
发明人：肖南海;洪海霞;李齐鑫 -专利权人：上海音特电子有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型包括微控制单元、瞬态抑制二极管、快恢复整流二极管、绝缘栅双极型晶体管、外部驱动设备；微控制单元的VH脚与快恢复整流二极管相连，然后连接微控制单元的VL脚后接第一电容到电线接地端，形成自举电路；微控制单元的OUT控制信号脚接第一电阻至绝缘栅双极型晶体管的控制栅极，微控制单元的CLAMP管脚与绝缘栅双极型晶体管的栅极连接，C集电极接外部驱动设备。本实用新型提高了产品的性能，有效防止外部电机的电磁干扰EMI，很好的保护微控制单元，使核心的微控制单元和绝缘栅双极型晶体管IGBT得到很好保护，产品的稳定性就得到很好保证。
一种新型驱动方案保护电路

[发明专利]具备具有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区的半导体基板的半导体装置-CN201080065840.6有效
发明人：岩崎真也;添野明高 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其能够抑制绝缘栅双极性晶体管区和二极管区之间的载流子移动，从而抑制绝缘栅双极性晶体管动作时的通态电压的上升，且改善二极管的恢复特性在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低
具备具有二极管区绝缘极性晶体半导体装置

[发明专利]一种基于三电平拓扑结构的IGBT驱动保护电路-CN202211442245.0有效
发明人：何卫安;李军;王文广 -专利权人：杭州飞仕得科技股份有限公司
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种基于三电平拓扑结构的IGBT驱动保护电路，该电路包括：绝缘栅双极型晶体管IGBT、IGBT驱动电路、钳位二极管、内部体二极管、母线电容以及保护器件。通过并联于IGBT驱动电路的VSS端和OUT端之间的保护器件，可以分流由绝缘栅双极型晶体管IGBT的发射极处电压跳变引起的瞬态电流，使瞬态电流经过保护器件至绝缘栅双极型晶体管IGBT的等效输入电容，从而减少流过
一种基于电平拓扑结构 igbt 驱动保护电路

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的终端耐压调整方法-CN202211481979.X有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，该绝缘栅双极型晶体管包括半导体衬底、有源区和终端区，其中，有源区和终端区均设置于半导体衬底上，终端区环绕有源区设置，终端区包括至少两个终端环，终端环上设置有压焊点，相邻的两个终端环相互独立或通过压焊点相互连接本方案可以在不重新进行流片制作的前提下对绝缘栅双极型晶体管的终端耐压进行灵活调整。
绝缘栅双极型晶体管终端耐压调整方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统-CN200810138293.4无效
发明人：肖乾;闫文玉 -专利权人：科达半导体有限公司
申请日： 2008-07-15 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明一种绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统，包括方波信号发生器、驱动电路、高压电源、专用绝缘栅双极型晶体管插座、负载接入端、示波器，其特征是测试系统由方波信号发生器、方波信号发生器控制的驱动电路、与驱动电路连接的专用绝缘栅双极型晶体管插座、与插座相连接的负载接入端、与负载相连的高压电源、与插座相连的示波器构成；使用的设备简单、制造方便，有利于降低生产成本，提高量产能力。
绝缘栅双极型晶体管开关时间参数测试系统

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量测量电路及其测量方法-CN201711361231.5在审
发明人：黄俭;高存旗 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： G01R29/24 文献下载
摘要：本发明适用于半导体技术领域，提供一种高压IGBT器件的门极电荷量的测试。该栅极电荷量测量电路包括控制模块、充电模块、电流检测模块以及电量计算模块；控制模块在第一控制信号有效且第二控制信号无效时控制充电模块根据工作电压向待测绝缘栅双极型晶体管进行充电，电流检测模块检测充电模块对待测绝缘栅双极型晶体管进行充电时的充电电流，且将充电电流反馈至电量计算模块，电量计算模块获取待测绝缘栅双极型晶体管从开始充电状态至完全开启状态时所使用的时间，并根据时间与充电电流计算待测绝缘栅双极型晶体管的栅极电荷量。
绝缘栅双极型晶体管栅极电荷测量电路及其测量方法

[发明专利]降压斩波功率单元及列车辅助变流器-CN201310005198.8有效
发明人：陈宏;牛勇;刘革莉;尹梅 -专利权人：永济新时速电机电器有限责任公司
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：其中，所述降压斩波功率单元，包括：由底至顶层叠设置的绝缘栅双极型晶体管、配置板、复合母排及驱动电路板组件。所述配置板与所述绝缘栅双极型晶体管连接。所述复合母排的两连接端分别与所述绝缘栅双极型晶体管的集电极和发射极连接。所述驱动电路板组件通过支架设置在所述复合母排的上方，所述驱动电路板组件与所述绝缘栅双极型晶体管连接。
降压功率单元列车辅助变流器

[实用新型]一种逆变器功率模块-CN201620155771.2有效
发明人：朱建国;谢运良 -专利权人：永联科技南和有限公司
申请日： 2016-03-01 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种逆变器功率模块，包括绝缘栅双极型晶体管模块、散热器、电容组、交流输出铜排、电容母排、直流输入铜排、机架、面板等，尤其包括电容支架。其中：散热器、面板、与防尘罩固定在机架上；绝缘栅双极型晶体管模块固定在散热器上；电容组中每个电容的底部固定在电容支架上，每个电容的电极与电容母排相连；电容母排还有一端与直流输入铜排连接，电容母排的再一端与绝缘栅双极型晶体管模块的正负极相连；绝缘栅双极型晶体管模块的交流极与交流输出铜排相连，交流输出铜排固定在机架上。
一种逆变器功率模块